-
公开(公告)号：CN111988008A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010434951.5
申请日：2020-05-21
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 公开了一种基板处理设备。基板处理设备可包括：腔室，在腔室中限定有处理空间；支撑单元，用于将基板支撑在处理空间中；加热器电源，其用于向支撑单元中的加热器施加电力；以及高频电源，用于将高频电力施加到支撑单元中的下部电极；以及滤波器单元，其安装在用于将加热器电源与加热器连接的线路处以防止高频流入。滤波器单元可包括：壳体；壳体中的一个或多个线圈；以及设置在壳体与线圈之间的调节构件。调节构件可以由非磁性材料制成。调节构件可以以预定间隔与线圈间隔开，并且与壳体的内壁间隔开或者与壳体的内壁接触。
-
公开(公告)号：CN108321073A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810372058.7
申请日：2015-04-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/32174
Abstract: 提供一种基板处理装置，其包括过程室、支撑单元、气体供应单元和等离子体生成单元。等离子体生成单元可以包括：电源；初级天线，其通过第一线路连接至高频电源；次级天线，其通过在第一接头处从第一线路分叉的第二线路连接至高频电源，初级天线和次级天线与电源并行连接；第三电抗器件，其通过在第二接头处从第二线路分叉的第三线路连接至电源，次级天线和第三电抗器件与电源并行连接；以及可变电抗器件，其安装在定位在第二接头和次级天线之间的第二线路上。
-
公开(公告)号：CN103996634A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410054295.0
申请日：2014-02-18
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67253 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L22/10
Abstract: 半导体制造装置和利用该半导体制造装置的半导体制造方法，具体涉及利用等离子体的基板处理装置和利用该基板处理装置的基板处理方法。根据本发明的一实施例的基板处理方法包括：传送步骤，基板传送到腔体内部的处理空间；夹紧步骤，第1气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，上述基板固定在支承部件上；基板处理步骤，第2气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，对上述基板实施利用上述等离子体的工序；以及检测步骤，接受上述腔体内部的光并分析所接受的上述光从而检测上述腔体内部状况，在上述检测步骤中测量上述腔体内部状况，从而决定是否实施上述基板处理步骤。
-
公开(公告)号：CN103094042A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210425796.6
申请日：2012-10-31
Applicant: 细美事有限公司
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H05H1/46 , H05H2001/4682
Abstract: 提供一种基板处理设备和阻抗匹配方法。该基板处理设备包括：高频功率源，其用于产生高频功率；处理室，其用于通过使用高频功率来执行等离子体处理；匹配电路，其用于对处理室的变化阻抗进行补偿；以及变压器，其被设置在处理室和匹配电路之间，以减少处理室的阻抗。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107342207A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710291951.2
申请日：2017-04-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H05B3/62 , F27D7/06 , H05B2203/007 , H01J37/32 , H01J37/32431 , H01J37/32522
Abstract: 实施方式包括一种基板温度控制装置、一种包括基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法，其可以按每个区域控制基板的温度，并且不增加装置的体积。所述基板温度控制装置包括：支撑板，用于支撑基板；多个加热单元，放置在基板的不同区域中，并且按每个区域控制基板的温度；电源单元，用于提供功率以控制基板的温度；开关单元，连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间，并且包括一个或多个晶体管器件；以及控制器，用于通过控制开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。
-
公开(公告)号：CN105023823A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510213842.X
申请日：2015-04-29
Applicant: 细美事有限公司
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/32174
Abstract: 提供一种基板处理装置，其包括过程室、支撑单元、气体供应单元和等离子体生成单元。等离子体生成单元可以包括：电源；初级天线，其通过第一线路连接至高频电源；次级天线，其通过在第一接头处从第一线路分叉的第二线路连接至高频电源，初级天线和次级天线与电源并行连接；第三电抗器件，其通过在第二接头处从第二线路分叉的第三线路连接至电源，次级天线和第三电抗器件与电源并行连接；以及可变电抗器件，其安装在定位在第二接头和次级天线之间的第二线路上。
-
公开(公告)号：CN103855459A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310613417.0
申请日：2013-11-27
Applicant: 细美事有限公司
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/3211
Abstract: 本发明提供了一种等离子体天线以及包括所述等离子天线的等离子体产生装置。等离子体天线包括：第一天线，其利用射频信号感生电磁场；第二天线，其利用射频信号感生电磁场；以及电容器，其连接在第一天线的输入端子与第二天线的输入端子之间。
-
公开(公告)号：CN103715051A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310451516.3
申请日：2013-09-27
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子处理装置。等离子体处理装置，包括：在内部形成空间的腔室；位于所述腔室内并支承基板的基板支承单元；向所述腔室内供给工艺气体的气体供给单元；位于所述腔室的上部并具有提供从所述工艺气体产生等离子体的电磁波的天线的等离子体源单元；位于所述天线的上部使从所述天线向所述腔室的相反方向提供的电磁波反射到朝向所述腔室的方向的反射板；以及使所述反射板的位置移动的反射板驱动部。
-
公开(公告)号：CN119601445A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202410925261.8
申请日：2024-07-11
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/32 , H01L21/67 , G01R27/02
Abstract: 本申请提供了检查装置及包括检查装置的半导体制造装备，该检查装置能够在不破坏装备的情况下执行装备的检查。检查装置包括：测量模块，测量第一端口处的第一阻抗和第二端口处的第二阻抗；比较模块，比较第一阻抗和第二阻抗；以及确定模块，基于第一阻抗和第二阻抗的比较结果，确定装备部件是否正在正确地操作，其中，第一阻抗包括第一电阻和第一电抗，第二阻抗包括第二电阻和第二电抗，并且确定模块基于第一电阻和第二电阻的比较结果以及第一电抗和第二电抗的比较结果中的至少一个，确定装备部件是否正在正确地操作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.021 seconds)
