公开(公告)号：CN105097445A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510201123.6

申请日：2015-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林毓超 ,  邱沅明 ,  张铭庆 ,  蔡信谊 ,  陈昭成

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32862 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32633 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供了去除蚀刻室中的颗粒的方法，包括：在干蚀刻室中形成涂层，将晶圆放置在干蚀刻室内，蚀刻晶圆的含金属层，以及将晶圆移出干蚀刻室。在将晶圆移出干蚀刻室之后，去除涂层。

公开(公告)号：CN105097445B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201510201123.6

申请日：2015-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林毓超 ,  邱沅明 ,  张铭庆 ,  蔡信谊 ,  陈昭成

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供了去除蚀刻室中的颗粒的方法，包括：在干蚀刻室中形成涂层，将晶圆放置在干蚀刻室内，蚀刻晶圆的含金属层，以及将晶圆移出干蚀刻室。在将晶圆移出干蚀刻室之后，去除涂层。