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公开(公告)号：CN102034666A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010284827.1
申请日：2010-09-09
申请人： 显示器生产服务株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/3244
摘要： 本发明涉及一种等离子反应内室的侧部气体喷射器。该侧部气体喷射器一块圆形均匀板和一块盖板。所述的圆形均匀板包括一个注入反应气体的喷射孔和一个分布反应气体的均匀通道部件，该均匀通道部件使从喷射孔进入的反应气体呈辐射状同时注入到均匀板的内圆周表面上多个位置处。所述的盖板与均匀板顶部相连，密封了均匀通道部件的顶部。
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公开(公告)号：CN101577216A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910133994.3
申请日：2009-04-22
申请人： 显示器生产服务株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , C23F4/00 , H05H1/24
CPC分类号： H01J37/32633 , H01J37/32623
摘要： 本发明提供了一种等离子化学反应器。所述的反应器包括一个空腔，一个阴极装置和一块挡板。所述的空腔提供了一个等离子反应的空间。所述的阴极装置包括一个阴极支撑杆和一个基托。所述的阴极支撑杆一端与空腔的一个壁面连接，另一端与基托连接。所述的基托用于支撑基板。所述的挡板从外面插入基托并与之连接，挡板上间隔地设有多个穿过挡板的穿孔用来排放反应气体，这些穿孔是不均匀设置的，其中在阴极支撑杆顶侧处的一个穿孔面积要大于远离阴极支撑杆一侧处的一个穿孔面积。
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公开(公告)号：CN101996842B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010247277.6
申请日：2010-07-30
申请人： 显示器生产服务株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/32834
摘要： 本发明公开了一种等离子体蚀刻装置。该装置包括一个内室、一个阴极装置和一个完整的阴极内衬。所述的内室设有一个等离子体反应空间。所述的阴极装置是设置在内室内的中间，它支撑底板。所述的完整的阴极内衬在两层上设有多个第一气孔和第二气孔，它们彼此相互间隔，使内室中的气体流动和流出保持均匀，并且阴极内衬从外面插入到阴极装置上，并且其底部与内室的内表面相连。
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公开(公告)号：CN102162099A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110042368.0
申请日：2011-02-22
申请人： 显示器生产服务株式会社
IPC分类号： C23F4/00
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要： 本发明涉及等离子蚀刻设备所具备的气体注入系统，尤其是涉及一种用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统，包括从隔室上部供给反应气体的上部气体注入器和从隔室侧面供给调节气体的侧部气体注入器或从晶圆下侧向上喷射调节气体的背面气体注入器，侧部气体注入器或背面气体注入器以放射状形成多个喷射口的同时，将喷射口邻接于边缘部而设置，使调节气体能够近距离喷射到晶圆的边缘部，从而能够容易地控制边缘部的蚀刻率或CD(critical dimension)均匀度或轮廓，以提高晶圆整体的蚀刻均匀度，最小化工程不良，还能够显著提高边缘部的芯片成品率。
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公开(公告)号：CN101577216B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910133994.3
申请日：2009-04-22
申请人： 显示器生产服务株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , C23F4/00 , H05H1/24
CPC分类号： H01J37/32633 , H01J37/32623
摘要： 本发明提供了一种等离子化学反应器。所述的反应器包括一个空腔，一个阴极装置和一块挡板。所述的空腔提供了一个等离子反应的空间。所述的阴极装置包括一个阴极支撑杆和一个基托。所述的阴极支撑杆一端与空腔的一个壁面连接，另一端与基托连接。所述的基托用于支撑基板。所述的挡板从外面插入基托并与之连接，挡板上间隔地设有多个穿过挡板的穿孔用来排放反应气体，这些穿孔是不均匀设置的，其中在阴极支撑杆顶侧处的一个穿孔面积要大于远离阴极支撑杆一侧处的一个穿孔面积。
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公开(公告)号：CN102157345B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201010590674.3
申请日：2010-12-07
申请人： 显示器生产服务株式会社
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/321 , H01J37/32266
摘要： 本发明提供一种等离子反应器和利用其进行蚀刻的方法。该方法包括第一改变步骤来改变连接到RF电源供应装置的多组电感线圈的数量和结构设置，一个应用RF电源和产生高密度等离子的应用步骤，第一蚀刻步骤蚀刻工件第一蚀刻目标层，第一停止步骤来停止RF电源的提供，第二改变步骤来改变多组电感线圈的数量或结构设置，一个向相应的电感线圈提供RF电源和产生低密度等离子的应用步骤，第二蚀刻步骤蚀刻工件第二蚀刻目标层，和第二停止步骤来停止RF电源的提供。
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公开(公告)号：CN102162099B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110042368.0
申请日：2011-02-22
申请人： 显示器生产服务株式会社
IPC分类号： C23F4/00
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要： 本发明涉及等离子蚀刻设备所具备的气体注入系统，尤其是涉及一种用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统，包括从隔室上部供给反应气体的上部气体注入器和从隔室侧面供给调节气体的侧部气体注入器或从晶圆下侧向上喷射调节气体的背面气体注入器，侧部气体注入器或背面气体注入器以放射状形成多个喷射口的同时，将喷射口邻接于边缘部而设置，使调节气体能够近距离喷射到晶圆的边缘部，从而能够容易地控制边缘部的蚀刻率或CD(critical dimension)均匀度或轮廓，以提高晶圆整体的蚀刻均匀度，最小化工程不良，还能够显着提高边缘部的芯片成品率。
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公开(公告)号：CN101996842A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010247277.6
申请日：2010-07-30
申请人： 显示器生产服务株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/32834
摘要： 本发明公开了一种等离子体蚀刻装置。该装置包括一个内室、一个阴极装置和一个完整的阴极内衬。所述的内室设有一个等离子体反应空间。所述的阴极装置是设置在内室内的中间，它支撑底板。所述的完整的阴极内衬在两层上设有多个第一气孔和第二气孔，它们彼此相互间隔，使内室中的气体流动和流出保持均匀，并且阴极内衬从外面插入到阴极装置上，并且其底部与内室的内表面相连。
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公开(公告)号：CN102157345A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010590674.3
申请日：2010-12-07
申请人： 显示器生产服务株式会社
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/321 , H01J37/32266
摘要： 本发明提供一种等离子反应器和利用其进行蚀刻的方法。该方法包括第一改变步骤来改变连接到RF电源供应装置的多组电感线圈的数量和结构设置，一个应用RF电源和产生高密度等离子的应用步骤，第一蚀刻步骤蚀刻工件第一蚀刻目标层，第一停止步骤来停止RF电源的提供，第二改变步骤来改变多组电感线圈的数量或结构设置，一个向相应的电感线圈提供RF电源和产生低密度等离子的应用步骤，第二蚀刻步骤蚀刻工件第二蚀刻目标层，和第二停止步骤来停止RF电源的提供。
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公开(公告)号：CN101740300A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910208243.3
申请日：2009-10-17
申请人： 显示器生产服务株式会社
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32623 , H01J37/32642
摘要： 本发明提供了一种等离子反应器中的静电夹头装置。该装置设有一个静电夹头，一个静电夹头盖环和一个阴极装置盖环。该静电夹头设有一个主体部分和一个突起部分。所述的主体部分为一个具有第一直径的圆形。所述的突起部分整个从主体部分中形成，并从主体部分中伸出，其为一个具有第二直径的圆形，其中第二直径小于第一直径。所述的静电夹头盖环沿突起部分的外圆周环绕地设置。所述的阴极装置盖环沿静电夹头盖环的一个外圆周和主体部分的一个外圆周环绕地设置在阴极装置的上部。
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