发明授权
- 专利标题: 等离子反应器及使用其进行蚀刻的方法
- 专利标题(英): Plasma reactor and etching method using the same
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申请号: CN201010590674.3申请日: 2010-12-07
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公开(公告)号: CN102157345B公开(公告)日: 2014-06-11
- 发明人: 张赫眞 , 金珉植 , 李洸旼 , 高诚庸 , 蔡焕国 , 朴根周 , 金起铉 , 李元默
- 申请人: 显示器生产服务株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道水原市灵通区灵通洞958-1番地梦帕大厦4层
- 专利权人: 显示器生产服务株式会社
- 当前专利权人: 显示器生产服务株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道水原市灵通区灵通洞958-1番地梦帕大厦4层
- 代理机构: 广州弘邦专利商标事务所有限公司
- 代理商 张钇斌
- 优先权: 10-2009-0130381 2009.12.24 KR
- 主分类号: H01L21/00
- IPC分类号: H01L21/00 ; H05H1/46 ; H01J37/32
摘要:
本发明提供一种等离子反应器和利用其进行蚀刻的方法。该方法包括第一改变步骤来改变连接到RF电源供应装置的多组电感线圈的数量和结构设置,一个应用RF电源和产生高密度等离子的应用步骤,第一蚀刻步骤蚀刻工件第一蚀刻目标层,第一停止步骤来停止RF电源的提供,第二改变步骤来改变多组电感线圈的数量或结构设置,一个向相应的电感线圈提供RF电源和产生低密度等离子的应用步骤,第二蚀刻步骤蚀刻工件第二蚀刻目标层,和第二停止步骤来停止RF电源的提供。
公开/授权文献
- CN102157345A 等离子反应器及使用其进行蚀刻的方法 公开/授权日:2011-08-17
IPC分类: