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公开(公告)号：CN112526819B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202011262730.0
申请日：2017-02-08
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 穆罕默德·德里亚·特泰克 , 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 安德鲁·D·贝利三世 , 亚历克斯·帕特森 , 理查德·A·戈奇奥
IPC分类号： G03F1/70 , G03F1/80 , G03F1/84 , G06F30/398
摘要： 本发明涉及经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置。公开了优化计算机模型的方法，其通过使用多个模型参数(B)将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数(A)相关联。在一些实施方式中，所述方法可以包括：修改B的一个或多个值，以便相对于A的一组或者多组成组的值减少指示在从模型生成的计算反射光谱和对应的实验反射光谱之间的差的尺度。在一些实施方式中，计算所述尺度可以包括：将所述计算反射光谱和对应的实验反射光谱投射到经降维的子空间上，并且计算投射到所述子空间上的所述反射光谱之间的差。还公开了实现这样的优化计算机模型的蚀刻系统。
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公开(公告)号：CN110998805B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201880050870.6
申请日：2018-07-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H05H1/46 , C23C16/02
摘要： 一种用于蚀刻衬底的方法，其包括使用等离子体蚀刻工艺在等离子体室中对衬底材料进行第一蚀刻。第一蚀刻使特征在材料中形成至第一深度。在第一蚀刻之后，该方法包括在没有从室中去除衬底的情况下，在等离子体室中执行原子层钝化(ALP)工艺，以在掩模和第一蚀刻期间形成的特征上沉积共形的钝化膜。ALP工艺使用来自液态前体的蒸气以在特征和掩模上形成钝化层。该方法还包括使用等离子体蚀刻工艺在等离子体室中对材料进行第二蚀刻。共形的钝化膜被配置为在第二蚀刻期间保护掩模和特征的侧壁。还描述了等离子体处理系统。
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公开(公告)号：CN117978147A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311482565.3
申请日：2019-03-15
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/003 , H03K19/01 , H03L7/26
摘要： 描述了用于射频(RF)信号的参数的多电平脉冲化和频率的多电平脉冲化的系统和方法。RF信号通过匹配器被施加到衬底支撑件。参数从低电平脉冲化到高电平，同时频率从低电平脉冲化到高电平。另外，将直流(DC)参数施加到衬底支撑件或将另一RF信号施加到上电极。施加到衬底支撑件的RF信号的参数和频率与施加到上电极的DC参数或RF信号同时脉冲化，以提高晶片的处理速度，增大掩模的选择性并减小等离子体室内的离子的角展度。
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公开(公告)号：CN111489984B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201911281036.0
申请日：2016-10-24
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及前开式环形盒。用于与处理模块交换消耗部件的盒包括具有前侧、后侧以及第一和第二横向侧的底板。第一支撑柱设置在邻近前侧的第一横向侧上。第二支撑柱设置在邻近前侧的第二横向侧上。第三支撑柱设置在邻近后侧的第一横向侧上，而第四支撑柱设置在邻近后侧的第二横向侧上。每个支撑柱包括沿纵向分布并且指向内部的多个支撑指状物。第一硬质止动柱平行于第三支撑柱设置，第二硬质止动柱平行于第四支撑柱设置。连接到底板的外壳结构被配置为包围第一、第二、第三和第四支撑柱、顶板和第一和第二硬质止动柱，并且包括设置在底板的前侧上的前开口。门与前开口配合，并且包括用于当消耗部件被接纳在盒中时将消耗部件固定在盒中的保持组件。
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公开(公告)号：CN111886671B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201980020863.6
申请日：2019-03-15
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 描述了用于射频(RF)信号的参数的多电平脉冲化和频率的多电平脉冲化的系统和方法。RF信号通过匹配器被施加到衬底支撑件。参数从低电平脉冲化到高电平，同时频率从低电平脉冲化到高电平。另外，将直流(DC)参数施加到衬底支撑件或将另一RF信号施加到上电极。施加到衬底支撑件的RF信号的参数和频率与施加到上电极的DC参数或RF信号同时脉冲化，以提高晶片的处理速度，增大掩模的选择性并减小等离子体室内的离子的角展度。
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公开(公告)号：CN107768275B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201710564129.9
申请日：2017-07-12
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 张依婷 , 斯拉瓦纳普利安·斯利拉曼 , 亚历克斯·帕特森
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/32 , H01J37/20
摘要： 本发明涉及利用可移动边缘环和气体注入调整控制晶片上CD均匀性。一种衬底处理系统中的衬底支撑件包括内部部分和外部部分。内部部分定位于气体分配装置下方，所述气体分配装置被构造成将第一处理气体引向所述内部部分。所述外部部分包括边缘环，所述边缘环围绕所述内部部分的外周边定位以至少部分地环绕所述内部部分和布置在所述内部部分上的衬底。所述边缘环被配置为相对于所述内部部分升高和降低，并且将第二处理气体朝所述内部部分引导。控制器确定在处理过程中沉积在所述衬底上的材料的分配，并且基于所确定的所述分配，选择性地调整边缘环的位置，以及选择性地调整所述第一处理气体和所述第二处理气体中的至少一种的流动。
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公开(公告)号：CN107526864B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201710475240.0
申请日：2017-06-21
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 理查德·怀斯 , 哈梅特·辛格 , 亚历克斯·帕特森 , 安德鲁·D·贝利三世 , 瓦希德·瓦赫迪 , 理查德·A·戈奇奥
IPC分类号： G06F30/392 , G06F115/06
摘要： 本发明涉及经边缘放置误差预测的光致抗蚀剂设计布局图案邻近校正。公开了为待在蚀刻操作中使用的光致抗蚀剂产生邻近校正设计布局的方法。所述方法可以包括识别初始设计布局中的特征，以及估计在蚀刻工艺期间在所述特征内的特征内等离子体通量(IFPF)的一个或多个数量特性。所述方法还可以包括通过将所述IFPF的所述一个或多个估计的数量特性与查找表(LUT，和/或通过用所述LUT训练的多变量模型的应用，例如通过机器学习方法(MLM)构建的)中的那些进行比较来估计所述特征的边缘放置误差(EPE)的数量特性，所述LUT将所述EPE的数量特性的值与所述IFPF的所述一个或多个数量特性的值相关联。此后，根据EPE的所确定的数量特性修正所述初始设计布局。
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公开(公告)号：CN111696894A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010377480.9
申请日：2016-10-24
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 达蒙·蒂龙·格内特 , 乔恩·麦克切斯尼 , 亚历克斯·帕特森 , 德里克·约翰·威特科维基 , 奥斯丁·恩戈
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于容纳消耗部件的前开式环形盒(FORP)。所述前开式环形盒包括：多个隔室，其用于将消耗部件沿竖直堆叠的方向容纳在所述前开式环形盒内；沿所述前开式环形盒的内侧壁设置的多个壁架提供了用于在所述竖直堆叠的方向上支撑所述消耗部件的架子；设置在所述前开式环形盒内的分隔器板，其提供将所述前开式环形盒的内部区域划分为上部区域和下部区域的水平面，使得所述上部区域和所述下部区域中的每一个都包括用于容纳所述消耗部件的一组所述架子；和排放口，其限定在所述前开式环形盒的基部，所述排放口为气体从所述前开式环形盒的所述下部区域流出提供了路径。
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公开(公告)号：CN111183496A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201880065144.1
申请日：2018-10-02
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 射频(RF)滤波器包括具有多个线圈区段的电感元件，所述多个线圈区段共同形成绞合磁导线的电缆的未分开线圈。至少两个相邻的线圈区段具有不同的匝距。绞合磁导线的电缆包括每通道两根导线，并且被构造用于至少一个通道。在电感元件的第一端部的绞合磁导线的电缆被构造为连接到将接收来自电源的电力的电气部件。电感元件的第二端部处的绞合磁导线的电缆被构造用于连接至电源。终端电容元件在电感元件的第二端部与电源之间的相应位置处电连接在参考接地电位与绞合磁导线的电缆的相应的导线之间。
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