发明公开
- 专利标题: 供电弧等离子体沉积用的增强式阴极电弧源
- 专利标题(英): ENHANCED CATHODIC ARC SOURCE FOR ARC PLASMA DEPOSITION
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申请号: CN201710495599.4申请日: 2017-06-26
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公开(公告)号: CN107541705A公开(公告)日: 2018-01-05
- 发明人: 波里斯·L·宙斯 , 维克多·卡纳罗 , 尤里·尼古拉·叶夫图霍夫 , 山迪普·柯里 , 方兴杰
- 申请人: 威科仪器有限公司
- 申请人地址: 美国纽约州
- 专利权人: 威科仪器有限公司
- 当前专利权人: 威科仪器有限公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约州
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王龙
- 优先权: 62/354,510 2016.06.24 US
- 主分类号: C23C14/32
- IPC分类号: C23C14/32 ; C23C14/06 ; H05H1/34
摘要:
本申请涉及供电弧等离子体沉积用的增强式阴极电弧源。改进的阴极电弧源和DLC膜沉积方法,其中在圆柱形石墨空腔内部产生定向喷射的含碳等离子体流,所述空腔的深度约等于阴极直径。所产生的碳等离子体膨胀通过孔口进入周围真空中,引起等离子体流发生强烈的自收缩。所述方法代表了一种重复工艺,其包括两个步骤:上述等离子体产生/沉积步骤和与之交替的回收步骤。这个步骤可以通过使空腔内部的阴极棒向孔口方向移动来定期除去腔壁上所积聚的过量碳。所述阴极棒伸出而高于所述孔口,且移回到初始阴极尖端位置。所述步骤可以定期再现直到膜沉积至目标厚度为止。技术优点包括膜硬度、密度和透明度改进、再现性高、持续操作时间长和微粒减少。
公开/授权文献
- CN107541705B 供电弧等离子体沉积用的增强式阴极电弧源 公开/授权日:2020-12-04
IPC分类: