公开(公告)号：CN119069415A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410238488.5

申请日：2024-03-01

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 森谷敦 ,  菊池俊之 ,  大桥直史

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提供能抑制衬底的搬送不良、衬底的破损的技术。其具有：将衬底载置于表面的至少一部分由第一部件构成的载置部的工序；通过第一气体的供给，在前述衬底的表面形成第一膜，在前述第一部件的表面形成具有与前述第一膜连续的部位的第二膜的工序；和使前述第二膜的内部产生由前述第一部件与前述衬底的热变形量之差引起的应力，使前述第二膜的至少一部分变得不连续的工序。

公开(公告)号：CN112185849B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202010600098.X

申请日：2020-06-28

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 水口靖裕 ,  松井俊 ,  高崎唯史 ,  大桥直史

IPC: H01L21/67 ,  G05B19/042

Abstract: 本发明提供一种基板处理系统、半导体器件的制造方法及记录介质，提高每个基板的处理均匀性。所涉及的技术具有：对基板进行处理的多个基板处理装置；分别设于多个基板处理装置且控制基板处理装置的第1控制部；从第1控制部接收多种数据的中继部；和从中继部接收数据的第2控制部，中继部按数据的种类和第1控制部中的某一方或双方变更向第2控制部发送数据的发送间隔。

公开(公告)号：CN110277329B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201811618910.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 八幡橘 ,  大桥直史 ,  松井俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置。本发明的课题为能够使对衬底的处理的品质(例如，成膜而得的膜的品质)良好。本发明的解决手段为提供下述技术，其具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其支承衬底；升降部，其使衬底支承部升降；气体供给口，其向衬底供给气体；和控制部，其以使得从气体供给口供给气体时的气体供给口与支承于衬底支承部的衬底的间隔可变的方式控制升降部的升降动作。

公开(公告)号：CN114250450B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202111095443.X

申请日：2021-09-17

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  菊池俊之 ,  高崎唯史

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质以及基板处理方法，能够降低堆积于旋转工作台的背面的堆积物的量。该基板处理装置具有：处理室，其设有对基板进行处理的多个处理区域；旋转工作台，其使载置于处理室内的基板通过以基板外的某点为中心旋转而依次通过多个处理区域；以及旋转机构，其使旋转工作台旋转，多个处理区域具有对基板供给处理气体的第一区域和对基板供给惰性气体的第二区域，以对应于第二区域的旋转工作台的下侧空间的压力比对应于第一区域的旋转工作台的下侧空间的压力高的方式构成有对应于第二区域的旋转工作台的下侧空间。

公开(公告)号：CN117747476A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311071665.7

申请日：2023-08-24

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  菊池俊之 ,  山口英人 ,  谷内正导

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供一种能够减少真空泵的耗电量的衬底处理装置、衬底处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质。具备：处理衬底的处理室；将多个排气装置相对于上述处理室并联连接的气体流路；控制上述气体流路中的气体的流通的排气控制部；控制上述排气装置的输出的输出控制部；以及构成为能够控制上述排气控制部和上述输出控制部的控制部。

公开(公告)号：CN117711973A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202310872819.6

申请日：2023-07-17

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 高崎唯史 ,  森谷敦 ,  山本薰 ,  大桥直史

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供能够提高处理多个基板时的吞吐量的技术。基板处理装置具备：具有处理基板的处理室和配置在处理室上游的喷洒头的腔室；经由喷洒头向处理室供给气体的气体供给部；与喷洒头和处理室分别连通的第一排气管和第二排气管；分别设于第一排气管和第一排气管的第一排气控制部和第一加热部；控制部，(a)在处理室有基板的状态下使气体供给部向喷洒头供给作为气体的处理气体，并在使第一加热部运转的状态下以使第一排气管内成为第一流导的方式控制第一排气控制部，(b)在处理室没有基板的状态下，使气体供给部向喷洒头供给作为气体的非处理气体，并在使第一加热部运转的状态下以使第一排气管内成为比第一流导小的第二流导的方式控制第一排气控制部。

公开(公告)号：CN111696885B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201910695187.4

申请日：2019-07-30

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 稻田哲明 ,  大桥直史 ,  松井俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及半导体器件的制造方法、存储介质。该基板处理装置包括：金属制的容器，其具有对基板进行处理的处理室；基板载置板，其在所述容器内以能够旋转的方式设置，在上表面以圆周状配置有多个基板载置面；加热部，其加热载置在多个所述基板载置面上的基板；热衰减部，其设置在所述加热部与所述容器之间；气体供给部，其向所述处理室供给气体；以及支承部，其使所述基板载置板旋转。

公开(公告)号：CN111593323B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202010103393.4

申请日：2020-02-19

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 八幡橘 ,  大桥直史 ,  高崎唯史

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  B06B1/06

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的课题在于针对构成为具有振动的膜的半导体器件，提供使该膜对振动的耐受性提高的技术。作为形成可振动绝缘膜的工序，至少具备形成第一硅氧化膜的工序、形成第一硅氮化膜的工序、形成第二硅氧化膜的工序、和形成第二硅氮化膜的工序，使用下述衬底处理装置进行上述各工序，所述衬底处理装置构成为对具有上部电极及下部电极的处理室进行气体供给，并且构成为利用开关切换来选择性地对上部电极和下部电极中的各自供给高频电力或低频电力中的任一者。

公开(公告)号：CN115732390A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210822675.9

申请日：2022-07-12

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  吉野晃生 ,  中山雅则

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法、存储介质以及半导体装置的制造方法，能够防止通过了贯通孔的成膜气体的扩散。该技术具有以下工序：a)使基板载置于通过配置于基板载置台的贯通孔并从基板载置台的表面突出的多个升降销上；b)使基板载置台上升，使基板载置于基板载置台的表面上；c)在上述b)之后，使基板载置台停止在基板处理位置；以及d)使多个升降销向贯通孔内且与基板不接触的位置移动。

公开(公告)号：CN109494160B

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN201711242515.2

申请日：2017-11-30

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 板谷秀治 ,  大桥直史 ,  菊池俊之

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提供可提供高品质的半导体器件的技术。为解决上述课题，提供一种技术：将具有导电膜、和以露出所述导电膜的方式形成于所述导电膜的外周的绝缘膜的衬底搬入处理室，向所述处理室供给具有与来自所述绝缘膜的脱除气体反应的成分的处理气体，选择性地在所述绝缘膜上形成保护膜。