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公开(公告)号：CN114391051A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202080063295.0
申请日：2020-09-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/448 , C23C16/455
摘要： 本发明为一种对处理装置供给原料气体的原料气体供给系统，所述原料气体是通过将固体原料气化来生成的，所述原料气体供给系统包括：将所述固体原料气化来生成所述原料气体的气化装置；送出机构，其从贮存有分散系的贮存容器向所述气化装置送出所述分散系，其中，所述分散系是在液体中分散所述固态原料而成的；和分离机构，其在所述气化装置内从所述分散系中分离出所述固体原料。
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公开(公告)号：CN107236937B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201710191098.7
申请日：2017-03-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明提供一种基板处理装置、气体供给方法、基板处理方法和成膜方法。该基板处理装置具有：处理容器，其能够收纳基板；压力检测单元，其测定该处理容器内的压力；排气侧阀，其设置于将该处理容器内进行排气的排气管；气体贮存罐，其经由气体供给管而与所述处理容器连接；气体量测定单元，其测定该气体贮存罐中贮存的气体量；以及控制阀，其设置于所述第一气体供给管，基于由所述压力检测单元检测出的所述处理容器内的压力改变阀开度，来控制从所述气体贮存罐向所述处理容器供给的气体的流路面积，由此能够控制所述处理容器内的压力。
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公开(公告)号：CN110301165A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201880012221.7
申请日：2018-03-09
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社富士金
摘要： 本发明提供一种可提高流体的加热效率的流体加热器、流体控制装置以及流体加热器的制造方法。流体加热器(20)具备：形成有流路(22c)的流路部件(22)、以及用于对流路部件(22)进行加热的加热器(25)，流路(22c)呈螺旋状，且沿着长度方向的剖面的形状呈多边形状。流路部件(22)的造型方向(M)与多边形的一个对角线平行。流路部件(22)呈大致圆柱形，其长度方向与流路部件(22)的造型方向为相同方向。
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公开(公告)号：CN103049008B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210384397.X
申请日：2012-10-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G05D7/06
CPC分类号： G05D7/0635 , G01F1/68 , G01F5/00 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8158
摘要： 本发明提供一种流量控制装置以及处理装置。在控制流向气体通路的气体流量的流量控制装置中，具备：主气体管；检测流向该主气体管的气体的流量，输出流量信号的流量检测单元；控制流量的流量控制阀机构；存储用于表示从外部输入的流量指示信号与目标流量的关系的、与多个气体种类对应的多个换算数据的换算数据存储部；基于从外部输入的气体种类选择信号，从多个换算数据中选择对应的换算数据，并且基于流量指示信号求出上述目标流量，并基于目标流量与流量信号控制流量控制阀机构的流量控制主体。
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公开(公告)号：CN101220505B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710152462.5
申请日：2007-10-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C30B25/14 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/00 , B08B9/00 , B08B9/027 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种薄膜形成装置(1)。该薄膜形成装置(1)具有反应室(2)和与反应室(2)连接的排气管(5)，为了向反应室(2)或排气管(5)供给包含氟和氢的洗涤气体，使氟导入管(17c)和氢导入管(17d)连接在反应室(2)上。其中，氢导入管(17d)具有内部流路(174)和以覆盖内部流路(174)的方式形成的外部流路(175)。从内部流路(174)供给氢，从外部流路(175)供给氮。因此，将从内部流路(174)供给的氢在其周围被氮覆盖的状态下，从氢导入管(17d)供给。
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公开(公告)号：CN101379592B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200780005002.8
申请日：2007-02-07
申请人： 东洋炭素株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： F17D1/04 , C01B7/19 , F17C2250/032 , F17C2270/0518 , H01L21/67017 , H01L21/67276
摘要： 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。
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公开(公告)号：CN102235573A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110109144.7
申请日：2011-04-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 冈部庸之
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/00 , C23C16/45561 , G05D7/0617 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/85938 , Y10T137/87249
摘要： 本发明提供不必在各个处理反应炉的每一个中设置压力式流量控制器而且能用紧凑的构造形成压力式流量控制器的半导体制造装置用的气体供给装置。气体供给装置具有气体供给源(11a、11b)、气体导入管(13a、13b)、气体集合管(15)、多个分支管(21a、21b)。在气体集合管与分支管设有压力式流量控制器(30)。压力式流量控制器具有设在气体集合管的压力检测器(17)、设在分支管的控制阀(23a、23b)及节流孔板(22a、22b)。根据来自压力检测器的检测压力(P1)，在流量运算电路中求出流量(Qc)，根据来自流量设定电路的流量设定信号(Qs)和来自流量运算电路的流量，利用运算控制电路来控制控制阀。
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公开(公告)号：CN101135047B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710147868.4
申请日：2007-08-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/448 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/4481 , H01L28/55 , Y10S261/65
摘要： 本发明提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置，该装置包括：气化容器，规定上述气化装置的气化空间；喷射器，安装在上述气化容器中，使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内喷出；和加热器，安装在上述气化容器中，对喷出至上述气化空间内的上述液体原料进行加热。气化装置还包括：气体导出路，与上述气化容器连接，使由上述液体原料得到的生成气体从上述气化空间导出；过滤器，配置在上述气体导出路内或上述气体导出路与上述气化空间之间，捕捉上述生成气体中的雾；和红外线照射机构，向上述过滤器照射红外线。
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公开(公告)号：CN1967776B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610146543.X
申请日：2006-11-15
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C30B33/02 , F22B3/02 , F22D1/38
CPC分类号： F22B1/287 , F22B1/30 , H01L21/67109 , Y10S261/65
摘要： 半导体处理系统，具有将水蒸气供给收容被处理基板的处理室内的气体供给系统。气体供给系统包含用于从纯水得到水蒸气的气体生成装置。气体生成装置包含第一气化部和第二气化部。第一气化部通过在利用载体气体喷雾纯水的同时进行加热，生成包含雾的一次水蒸气。第二气化部通过气化一次水蒸气中的雾，从第一次水蒸气生成处理用水蒸气。第二气化部包含由配置为在第一气化部和处理室之间横穿所述一次水蒸气的通路的、捕捉雾的网状结构体构成的薄膜。
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公开(公告)号：CN101488449A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910001283.0
申请日：2009-01-16
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/203 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/02186 , C23C16/409 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45531 , C23C16/52
摘要： 本发明提供一种包括半导体处理装置和对所述半导体处理装置供给处理气体的气体供给装置的半导体处理系统，其包括控制用于调整汽化室内的压力的压力调整机构的动作的控制部。控制部按照以下方式预先设定，即根据压力检测部的压力检测值将汽化室内的压力收敛在规定的压力范围内。规定的压力范围由上限值和下限值规定，所述上限值设定为比由于压力的上升而阻碍液体原料的汽化的第一界限值低，所述下限值设定为比由于压力的下降而液体原料的汽化变得不稳定汽化室内的压力开始脉动的第二界限值高。
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