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公开(公告)号：CN101379592A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780005002.8
申请日：2007-02-07
申请人： 东洋炭素株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： F17D1/04 , C01B7/19 , F17C2250/032 , F17C2270/0518 , H01L21/67017 , H01L21/67276
摘要： 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。
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公开(公告)号：CN101379592B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200780005002.8
申请日：2007-02-07
申请人： 东洋炭素株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： F17D1/04 , C01B7/19 , F17C2250/032 , F17C2270/0518 , H01L21/67017 , H01L21/67276
摘要： 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。
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公开(公告)号：CN109385626B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201810903937.8
申请日：2018-08-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/452
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够形成按照基板的表面形状保形的氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。一种氮化硅膜的成膜方法，其是在基板的表面上成膜氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法，其具有如下工序：使氯自由基吸附于基板的表面、形成供含有氯的气体保形地吸附于所述基板的表面那样的吸附阻碍区域的工序；使含有硅和氯的原料气体吸附于形成有所述吸附阻碍区域的所述基板的表面的工序；以及向吸附有所述原料气体的所述基板的表面供给被等离子体活性化后的氮化气体而使氮化硅膜堆积的工序。
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公开(公告)号：CN107686984B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201710646572.0
申请日：2017-08-01
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 加藤寿
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及成膜装置、成膜方法以及存储介质，在对半导体晶圆例如交替地供给原料气体和反应气体并将反应生成物依次层叠来进行成膜处理时提高生产率的技术。在处理容器(5)内的旋转台(1)上沿周向等间隔地配置能够进行自转的载置台(2)。利用沿周向等间隔地设置的分离部(4)将旋转台的上方区域划分为四个处理区域(S1)～(S4)，向隔一个区域配置的处理区域(S1)、(S3)供给原料气体。另外，向处理区域(S2)、(S4)供给反应气体并且产生等离子体。将晶圆(W)载置于各载置台，使旋转台间歇性地进行旋转以使晶圆在各处理区域中依次停止，并且在晶圆位于各处理区域时使载置台进行自转来对各晶圆同时进行所谓的ALD处理。
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公开(公告)号：CN107022754B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201710060663.6
申请日：2017-01-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/687
摘要： 一种基板处理装置，其设置在处理容器内，一边于在旋转台的一个面侧载置有基板的状态下使其旋转而使基板公转、一边向该基板供给处理气体而进行处理，其中，该基板处理装置包括：载置台，用于载置所述基板；以及磁力齿轮机构，其具有经由在沿着所述旋转台的旋转轴的方向上延伸的自转轴连结于所述载置台并用于使所述载置台自转的从动齿轮部和用于驱动该从动齿轮部的驱动齿轮部，所述驱动齿轮部以使驱动面和所述从动齿轮的从动面相对的方式配置，为了使形成于所述驱动面和所述从动面之间的磁力线移动而使所述从动齿轮旋转，所述驱动齿轮部连接于使所述驱动面移动的驱动部。
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公开(公告)号：CN109385626A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810903937.8
申请日：2018-08-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/452
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够形成按照基板的表面形状保形的氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。一种氮化硅膜的成膜方法，其是在基板的表面上成膜氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法，其具有如下工序：使氯自由基吸附于基板的表面、形成供含有氯的气体保形地吸附于所述基板的表面那样的吸附阻碍区域的工序；使含有硅和氯的原料气体吸附于形成有所述吸附阻碍区域的所述基板的表面的工序；以及向吸附有所述原料气体的所述基板的表面供给被等离子体活性化后的氮化气体而使氮化硅膜堆积的工序。
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公开(公告)号：CN104630748B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201410646179.8
申请日：2014-11-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/458
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32651
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法。该等离子体处理装置配置有连接于高频电源的主天线和相对于该主天线电绝缘的(浮置状态的)辅助天线。另外，在俯视观察主天线以及辅助天线时的各自的投影区域彼此不重合。具体而言，相对于主天线而言将辅助天线配置于旋转台的旋转方向下游侧。而且，借助流通于主天线的感应电流使辅助天线产生电磁场，并且使辅助天线谐振，从而不仅在主天线的下方侧的区域产生感应等离子体，在辅助天线的下方侧的区域也产生感应等离子体。
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公开(公告)号：CN107022754A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710060663.6
申请日：2017-01-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/687
摘要： 一种基板处理装置，其设置在处理容器内，一边于在旋转台的一个面侧载置有基板的状态下使其旋转而使基板公转、一边向该基板供给处理气体而进行处理，其中，该基板处理装置包括：载置台，用于载置所述基板；以及磁力齿轮机构，其具有经由在沿着所述旋转台的旋转轴的方向上延伸的自转轴连结于所述载置台并用于使所述载置台自转的从动齿轮部和用于驱动该从动齿轮部的驱动齿轮部，所述驱动齿轮部以使驱动面和所述从动齿轮的从动面相对的方式配置，为了使形成于所述驱动面和所述从动面之间的磁力线移动而使所述从动齿轮旋转，所述驱动齿轮部连接于使所述驱动面移动的驱动部。
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公开(公告)号：CN102433547B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110303041.4
申请日：2011-09-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45551 , Y02T50/67
摘要： 本发明提供成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：载置基板的旋转台；第一反应气体供给部，配置在容器内的第一区域，供给第一反应气体；第二反应气体供给部，配置在沿旋转台旋转方向与第一区域分开的第二区域，供给第二反应气体；与第一区域及第二区域相连通地设置的第一排气口及第二排气口；分离气体供给部，配置在第一区域与第二区域之间，供给用于将第一反应气体和第二反应气体分离的分离气体；凸状部，形成用于在分离气体供给部两侧较高地维持与旋转台之间的空间的压力而能分离第一区域和第二区域的包括顶面在内的分离区域；块构件，在分离区域配置在旋转台与容器内侧面之间，在分离区域的旋转方向上游侧在旋转台与容器内侧面之间形成空间。
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公开(公告)号：CN102776491B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210147817.2
申请日：2012-05-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/455
摘要： 本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：真空容器，按顺序向其内部多次供给第一处理气体和第二处理气体；旋转台，其具有包括基板载置区域在内的一个表面，使基板载置区域在真空容器内旋转；第一处理气体供给部，向第一区域供给第一处理气体；第二处理气体供给部，向在上述旋转台的周向上隔着分离区域与第一区域分开的第二区域供给第二处理气体；等离子体产生气体供给部，向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线，其与上述旋转台的上述一个表面相对，利用电感耦合使上述等离子体产生用气体在等离子体空间内产生等离子体；法拉第屏蔽件，其接地，设在上述天线与上述等离子体空间之间，具有在与上述天线正交的方向上排列的多个狭缝。
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