公开(公告)号：CN101379592A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200780005002.8

申请日：2007-02-07

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 平岩次郎 ,  吉本修 ,  早川宏 ,  东城哲朗 ,  冈部庸之 ,  浅野贵庸 ,  和田真一 ,  中尾贤 ,  加藤寿

IPC: H01L21/02 ,  B01J4/00 ,  C25B1/24 ,  C25B15/00 ,  F17D1/02

CPC classification number: F17D1/04 ,  C01B7/19 ,  F17C2250/032 ,  F17C2270/0518 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67276

Abstract: 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。

公开(公告)号：CN101379592B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200780005002.8

申请日：2007-02-07

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 平岩次郎 ,  吉本修 ,  早川宏 ,  东城哲朗 ,  冈部庸之 ,  浅野贵庸 ,  和田真一 ,  中尾贤 ,  加藤寿

IPC: H01L21/02 ,  B01J4/00 ,  C25B1/24 ,  C25B15/00 ,  F17D1/02

CPC classification number: F17D1/04 ,  C01B7/19 ,  F17C2250/032 ,  F17C2270/0518 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67276

Abstract: 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。