-
公开(公告)号：CN101379592A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780005002.8
申请日：2007-02-07
申请人： 东洋炭素株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： F17D1/04 , C01B7/19 , F17C2250/032 , F17C2270/0518 , H01L21/67017 , H01L21/67276
摘要： 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。
-
公开(公告)号：CN101379592B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200780005002.8
申请日：2007-02-07
申请人： 东洋炭素株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： F17D1/04 , C01B7/19 , F17C2250/032 , F17C2270/0518 , H01L21/67017 , H01L21/67276
摘要： 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。
-
公开(公告)号：CN103502181A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021498.9
申请日：2012-05-10
申请人： 东洋炭素株式会社
CPC分类号： B22F3/12 , B22F3/04 , B22F7/06 , C22C1/1084 , C22C32/0084
摘要： 本发明提供一种加工性优良、碳的含有率高的金属－碳复合材料及其制造方法。金属－碳复合材料1具备连续的金属相3和分散于金属相3中的碳颗粒2。金属－碳复合材料1中的碳的含有率为50体积%以上。
-
公开(公告)号：CN103288453A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310195218.2
申请日：2006-10-12
申请人： 东洋炭素株式会社
IPC分类号： C04B35/52 , C01B31/04 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , C04B35/522 , C04B35/532 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01J37/16 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
摘要： 本发明涉及用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件。一种在高电流低能量型离子注入装置中用于离子注入装置束流线(beam line)内部部件的石墨部件，该石墨部件能够显著减少结合到晶片表面中的颗粒的数量。还提供了用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件，该部件具有1.80Mg/m3或更高的堆积密度和9.5μΩ·m或更低的电阻。优选地，在石墨部件的自然断黏（natural fracture)表面的拉曼光谱中用1370cm-1处的D谱带强度除以1570cm-1处的G谱带强度得到的R值为0.20或更低。
-
公开(公告)号：CN102482164A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039131.0
申请日：2010-09-01
申请人： 东洋炭素株式会社
CPC分类号： C04B35/522 , C04B35/62805 , C04B35/62807 , C04B35/62813 , C04B35/62821 , C04B35/62831 , C04B35/62834 , C04B35/62836 , C04B35/62897 , C04B35/6303 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B2235/425 , C04B2235/5436 , C04B2235/9615 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , C04B2237/36 , C04B2237/363 , C04B2237/365 , C04B2237/368 , Y10T428/249921 , Y10T428/265
摘要： 得到比陶瓷轻量，且耐氧化性、耐发尘性、导热性、导电性、强度、致密性等中的至少一种特性优异的陶瓷碳复合材以及陶瓷包覆陶瓷碳复合材。该陶瓷碳复合材的特征在于，在石墨或含有石墨的碳颗粒彼此之间形成有陶瓷界面层，该陶瓷碳复合材能够通过使在石墨或含有石墨的碳颗粒的表面包覆有陶瓷层的陶瓷包覆粉末成型，并烧结该成型体而制造。
-
公开(公告)号：CN100513649C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200410047497.9
申请日：2004-05-28
申请人： 东洋炭素株式会社
摘要： 本发明提供一种能够持续最佳的电解状态并稳定操作，且无需靠人工就能够发生氟或氟化物气体的气体发生装置的电流控制方法和电流控制装置。本发明是一种使由含有氟化氢的混合熔化盐构成的电解浴(5)，用碳电极作为阳极(4a)进行电解而发生氟或氟化物气体的气体发生装置的电流控制方法，测定在气体发生装置上施加了一定电流后的阴极(4b)、阳极(4a)之间的电压变动幅度，并一边按照电压变动幅度改变投入电流量一边施加电流。
-
公开(公告)号：CN1985362A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580023035.6
申请日：2005-07-06
申请人： 东洋炭素株式会社 , 三井化学株式会社 , 住友大阪水泥株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , C30B29/36 , C30B33/08
CPC分类号： H01L21/0445 , C30B29/36 , C30B33/08
摘要： 本发明提供得到包括半导体领域等应用非常广泛的碳化硅单晶以及使用三氟化氮等离子体能够使碳化硅单晶平滑的碳化硅单晶的蚀刻方法。为了获得平滑性(表面粗糙度)在±150nm以内的碳化硅单晶以及该材料，对含有三氟化氮的气体进行等离子体激发，使碳化硅单晶表面平滑。并且，优选三氟化氮气体的压力为0.5～10Pa。另外，优选前述三氟化氮气体的流量为5～15sccm。
-
公开(公告)号：CN1308491C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410003530.8
申请日：2004-01-29
申请人： 东洋炭素株式会社
摘要： 本发明提供一种小型化，电绝缘性、气体密封性、相对热及气体的安全性优异的溶融盐电解装置。在设置电解由混合溶融盐构成的电解浴用的电解槽的溶融盐电解装置中，包括：加热及/或冷却前述电解槽主体用的第一热交换机构，相对于前述第一热交换机构、在进一步隔开一定的空间的外周上配置的将前述第一热交换机构密闭的外框，形成在前述外框内的减压乃至真空隔热层。进而，在要求电绝缘性和气体密封性的部位，配备电绝缘材料和气体密封件。
-
公开(公告)号：CN1303258C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410071217.8
申请日：2004-07-14
申请人： 东洋炭素株式会社
摘要： 本发明的目的是提供一种能够从电解浴熔解安全地转化到可开始电解的状态的控制装置及其控制方法。是使装容在电解槽(1)中的固体状电解浴(2)熔融、而自动地形成可电解的状态的熔盐电解槽的控制装置，具有通过设置在电解槽(1)上的检测器(33)检测电解槽的状态变化的检测机构，和在检测机构实施检测后调整电解浴液面为可电解的状态的调整机构。
-
公开(公告)号：CN1840742A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610057011.9
申请日：2006-03-13
申请人： 培尔梅烈克电极股份有限公司 , 东洋炭素株式会社
CPC分类号： C25B11/0442 , C25B1/245 , C25B11/12
摘要： 本发明提供了一种电解阳极，所述电解阳极用于通过使用包含氟离子的电解液来电解合成含氟物质，所述阳极包含：导电基材，所述导电基材具有包含导电碳质材料的表面；和具有金刚石结构的导电碳质膜，所述导电碳质膜覆盖了部分导电碳质基材，本发明还提供了一种应用该电解阳极电解合成含氟物质的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
58 条记录 (耗时 0.059 秒)
