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公开(公告)号：CN106163985B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580018759.5
申请日：2015-04-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的目的在于：提供能够使电极消耗降低至实用水平的石墨－铜复合电极材料和使用该材料的放电加工用电极。关于该石墨－铜复合电极材料，在由石墨材料形成的基材的气孔中含浸有铜，电阻率为2.5μΩm以下，优选为1.5μΩm以下，特别优选为1.0μΩm以下。希望由上述石墨材料形成的基材的各向异性比为1.2以下，希望电极材料中的铜的含浸率为13％以上，希望由上述石墨材料形成的基材的容积密度为1.40Mg/m3以上1.85Mg/m3以下。
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公开(公告)号：CN101296881A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680040106.8
申请日：2006-10-12
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C04B35/52 , C01B31/04 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , C04B35/522 , C04B35/532 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01J37/16 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
Abstract: 一种在高电流低能量型离子注入装置中用于离子注入装置束流线(beam line)内部部件的石墨部件，该石墨部件能够显著减少结合到晶片表面中的颗粒的数量。还提供了用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件，该部件具有1.80Mg/m3或更高的堆积密度和9.5μΩ·m或更低的电阻。优选地，在石墨部件的自然断裂(natural fracture)表面的拉曼光谱中用1370cm－1处的D谱带强度除以1570cm－1处的G谱带强度得到的R值为0.20或更低。
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公开(公告)号：CN103288453A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310195218.2
申请日：2006-10-12
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C04B35/52 , C01B31/04 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , C04B35/522 , C04B35/532 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01J37/16 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明涉及用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件。一种在高电流低能量型离子注入装置中用于离子注入装置束流线(beam line)内部部件的石墨部件，该石墨部件能够显著减少结合到晶片表面中的颗粒的数量。还提供了用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件，该部件具有1.80Mg/m3或更高的堆积密度和9.5μΩ·m或更低的电阻。优选地，在石墨部件的自然断黏（natural fracture)表面的拉曼光谱中用1370cm-1处的D谱带强度除以1570cm-1处的G谱带强度得到的R值为0.20或更低。
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公开(公告)号：CN106163985A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580018759.5
申请日：2015-04-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的目的在于：提供能够使电极消耗降低至实用水平的石墨－铜复合电极材料和使用该材料的放电加工用电极。关于该石墨－铜复合电极材料，在由石墨材料形成的基材的气孔中含浸有铜，电阻率为2.5μΩm以下，优选为1.5μΩm以下，特别优选为1.0μΩm以下。希望由上述石墨材料形成的基材的各向异性比为1.2以下，希望电极材料中的铜的含浸率为13％以上，希望由上述石墨材料形成的基材的容积密度为1.40Mg/m3以上1.85Mg/m3以下。
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公开(公告)号：CN101296881B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200680040106.8
申请日：2006-10-12
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C04B35/52 , C01B31/04 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , C04B35/522 , C04B35/532 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01J37/16 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
Abstract: 一种在高电流低能量型离子注入装置中用于离子注入装置束流线(beam line)内部部件的石墨部件，该石墨部件能够显著减少结合到晶片表面中的颗粒的数量。还提供了用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件，该部件具有1.80Mg/m3或更高的堆积密度和9.5μΩ·m或更低的电阻。优选地，在石墨部件的自然断裂(natural fracture)表面的拉曼光谱中用1370cm-1处的D谱带强度除以1570cm-1处的G谱带强度得到的R值为0.20或更低。
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