公开(公告)号：CN1985362A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580023035.6

申请日：2005-07-06

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  三井化学株式会社 ,  住友大阪水泥株式会社

Inventor： 田坂明政 ,  东城哲朗 ,  稻叶稔 ,  三本敦久 ,  田中正道 ,  岛卡欧利

IPC: H01L21/3065 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供得到包括半导体领域等应用非常广泛的碳化硅单晶以及使用三氟化氮等离子体能够使碳化硅单晶平滑的碳化硅单晶的蚀刻方法。为了获得平滑性(表面粗糙度)在±150nm以内的碳化硅单晶以及该材料，对含有三氟化氮的气体进行等离子体激发，使碳化硅单晶表面平滑。并且，优选三氟化氮气体的压力为0.5～10Pa。另外，优选前述三氟化氮气体的流量为5～15sccm。

公开(公告)号：CN100474523C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580023035.6

申请日：2005-07-06

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  三井化学株式会社 ,  住友大阪水泥株式会社

Inventor： 田坂明政 ,  东城哲朗 ,  稻叶稔 ,  三本敦久 ,  田中正道 ,  岛卡欧利

IPC: H01L21/3065 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供得到包括半导体领域等应用非常广泛的碳化硅单晶以及使用三氟化氮等离子体能够使碳化硅单晶平滑的碳化硅单晶的蚀刻方法。为了获得平滑性(表面粗糙度)在±150nm以内的碳化硅单晶以及该材料，对含有三氟化氮的气体进行等离子体激发，使碳化硅单晶表面平滑。并且，优选三氟化氮气体的压力为0.5～10Pa。另外，优选前述三氟化氮气体的流量为5～15sccm。

公开(公告)号：CN103782421A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280037823.0

申请日：2012-07-26

Applicant: 学校法人同志社 ,  东洋炭素株式会社

Inventor： 稻叶稔 ,  田坂明政 ,  斋藤守弘 ,  高木干大 ,  竹林仁 ,  初代善夫

IPC: H01M4/48

CPC classification number: H01M4/362 ,  C01G23/047 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/12 ,  H01M4/1315 ,  H01M4/485 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027 ,  H01M2004/021

Abstract: 本发明的技术问题是提供一种能够通过简单的处理使B型氧化钛（TiO2（B））粉末的充放电特性和速率特性提高、适合作为锂离子电池的负极材料使用的B型氧化钛粉末。使B型氧化钛粉末在0℃～200℃在含氟气体气氛下反应1分钟～10天，得到表面被氟化的B型氧化钛粉末。氟化处理优选在0.01atm～2atm下进行。作为含氟气体，优选使用含有选自氟（F2）、三氟化氮（NF3）、全氟三甲胺（N（CF3）3）和三氟化氯（ClF3）气体等中的氟化合物的气体。