公开(公告)号：CN103081083A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041531.X

申请日：2011-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中尾贤 ,  中村充一 ,  饭田到 ,  原田宗生

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B25J15/0616 ,  B32B43/006 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1933

Abstract: 使第1吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片，并且，使第2吸附部靠近粘合片，并使第2吸附部以与第1吸附部相对的方式接触粘合片，该第2吸附部在用于与粘合片接触的接触面上形成有凹部，利用与粘合片接触着的第2吸附部来吸引粘合片，并且利用注入部向粘合片与芯片之间注入流体，从而使粘合片从芯片的与凹部相对的部分剥离，在利用第1吸附部吸附着芯片的状态下，使第1吸附部远离粘合片，从而拾取芯片。

公开(公告)号：CN102738069A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210076842.6

申请日：2012-03-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中尾贤 ,  原田宗生 ,  饭田到 ,  山口永司

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。其能够易于实现在芯片上形成贯通电极、易于实现贯通电极相互间的连接。实施方式的制造方法的特征在于，准备多个半导体基板，该半导体基板形成有用于贯通主表面间的贯通孔、并且在该贯通孔内填充有多孔质导体；以使被填充在上述贯通孔内的多孔质导体的位置对准的方式将上述多个半导体基板层叠起来；将含有颗粒状导体的导体墨导入到层叠起来的上述多个半导体基板的上述多孔质导体中；对层叠起来的上述多个半导体基板进行烧制。

公开(公告)号：CN101256940B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810082230.1

申请日：2008-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守谷修司 ,  中尾贤

IPC: H01L21/00 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  C30B25/14 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/4402 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45561 ,  C30B25/14 ,  C30B31/16 ,  H01J37/3244 ,  Y02E60/34

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置的气体供给系统和气体供给集成单元。气体供给系统用于从气体供给源向半导体制造装置的处理部供给规定的气体。该气体供给系统具有与气体供给源和处理部连接的气体供给流路。气体供给流路包括多个流体控制设备(手动阀、减压阀、压力计、单向阀、第一截止阀、第二截止阀、质量流量控制器、气体过滤器)，和连接在这些流体控制设备之间、形成有气体的流路的流路构成部件(流路块)。这些流路构成部件由碳材料构成。由此，在向处理部供给腐蚀性气体时，能够极力抑制相对被处理基板的金属性污染物质的混入。

公开(公告)号：CN101315878B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810109373.7

申请日：2008-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林诚 ,  中尾贤

IPC: H01L21/00 ,  H05B3/66 ,  H05B3/64 ,  F27B17/00 ,  F27D5/00 ,  F27D11/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  F27B17/0025 ,  Y10T29/49083

Abstract: 本发明提供热处理炉及其制造方法，减少电阻发热体热膨胀收缩时支撑体与电阻发热体间的摩擦阻力，抑制电阻发热体因残留应力发生的永久变形，提高耐久性。热处理炉包括：收容被处理体并进行热处理的处理容器；包围处理容器的筒状隔热件；沿着该隔热件内周面配置的螺旋状电阻发热体；在该隔热件内周面沿轴方向平行设置，在轴方向以规定间距支撑电阻发热体的支撑体；在电阻发热体的外侧在轴方向以适当间隔配置，沿着直径方向贯通隔热件并向外部延伸的多个端子板。支撑体具有位于电阻发热体内侧的基部、从该基部通过电阻发热体间向半径方向外侧延伸的多个支撑片，形成梳状。支撑片上面部形成曲面状，以减少电阻发热体热膨胀收缩移动时的摩擦阻力。

公开(公告)号：CN101220505A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710152462.5

申请日：2007-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中尾贤 ,  加藤寿 ,  冈部庸之 ,  冈田充弘 ,  本间学 ,  羽石朋来

IPC: C30B25/14 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/00 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置(1)。该薄膜形成装置(1)具有反应室(2)和与反应室(2)连接的排气管(5)，为了向反应室(2)或排气管(5)供给包含氟和氢的洗涤气体，使氟导入管(17c)和氢导入管(17d)连接在反应室(2)上。其中，氢导入管(17d)具有内部流路(174)和以覆盖内部流路(174)的方式形成的外部流路(175)。从内部流路(174)供给氢，从外部流路(175)供给氮。因此，将从内部流路(174)供给的氢在其周围被氮覆盖的状态下，从氢导入管(17d)供给。

公开(公告)号：CN101285178B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200810086915.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  冈部庸之 ,  大仓成幸 ,  中尾贤

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4486

Abstract: 本发明提供一种汽化器和半导体处理系统，其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器，包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交换体之间规定雾状液体原料的助起动空间，在容器的内侧面和下部热交换体之间规定与助起动空间连接的环状空间。内部加热器配置在下部热交换体的内部空间中。内部加热器作成利用陶瓷密封编织有多个碳纤维束的碳线的结构。内部加热器加热通过环状空间的雾状液体原料生成处理气体。

公开(公告)号：CN100433265C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN03822715.0

申请日：2003-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤孝规 ,  山贺健一 ,  中尾贤

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明是备有在上端具有开口部的加热炉本体、由收容在上述加热炉本体内部的单一的管子构成的反应管、在上述反应管上部窄径状地形成的排气部件连接部、收容在上述加热炉本体内部，用于支持被处理基板的被处理基板支持部件、和用于加热由上述被处理基板支持部件支持的被处理基板的加热部件的热处理装置。上述加热部件具有配置在上述反应管周围的第1加热部、配置在上述排气部件连接部周围的第2加热部、配置在上述反应管上方部周围的第3加热部、配置在上述反应管下方部周围的第4加热部、和配置在上述被处理基板支持部件下部的第5加热部。

公开(公告)号：CN101288158A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200680019003.3

申请日：2006-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中尾贤 ,  加藤和彦

IPC: H01L21/22 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/54 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  Y10T29/4935

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其具有：多层地收纳多个被处理体，并且对该被处理体实施规定的热处理的处理容器；以覆盖所述处理容器的方式设置的，可以加热所述被处理体的筒状的加热器；用以排出所述加热器和所述处理容器之间的空间内的气氛的排热系统；和向所述空间内喷出冷却流体，用于冷却所述处理容器的冷却单元。所述加热器具有筒状的隔热材料和配设在该隔热材料的内周的发热电阻体。所述冷却单元具有埋设在所述隔热材料中的多个喷出喷嘴。各喷出喷嘴形成为其入口和出口不以直线相连接的形状。

公开(公告)号：CN1309022C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN02827951.4

申请日：2002-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤孝规 ,  山贺健一 ,  中尾贤

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：筒状的处理容器、可多层地保持多个被处理体的同时，可进出所述处理容器内的被处理体保持单元、向所述处理容器内导入规定处理气体的处理气体导入单元、设置在所述处理容器的内部，在所述被处理体保持单元进入所述处理容器内时，加热所述被处理体保持单元所保持的多个被处理体的加热单元和冷却所述处理容器外壁面的容器冷却单元。

公开(公告)号：CN1618120A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02827916.6

申请日：2002-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 门部雅人 ,  中尾贤 ,  山贺健一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  C23C16/46 ,  F27B5/10 ,  F27D1/00 ,  F27D11/02 ,  B60B33/06 ,  B60B33/08

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供容易进行加热元件的更换等的维护操作，谋求提高维护性的立式热处理装置，其特征为，配备以下部件：即收容多个被处理体(W)、用于热处理的处理容器(4)，和覆盖该处理容器(4)周围的筒状加热器(6)，和设置该加热器6的加热器设置部(7)，和从一侧可维护地收容所述加热器(6)的筐体(11)，所述加热器(6)可单个更换地具有多个加热元件(31)，在所述加热器设置部(7)上设置可旋转地支持加热器6的旋转支持机构(40)。