公开(公告)号：CN103081083B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201180041531.X

申请日：2011-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中尾贤 ,  中村充一 ,  饭田到 ,  原田宗生

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B25J15/0616 ,  B32B43/006 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1933

Abstract: 使第1吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片，并且，使第2吸附部靠近粘合片，并使第2吸附部以与第1吸附部相对的方式接触粘合片，该第2吸附部在用于与粘合片接触的接触面上形成有凹部，利用与粘合片接触着的第2吸附部来吸引粘合片，并且利用注入部向粘合片与芯片之间注入流体，从而使粘合片从芯片的与凹部相对的部分剥离，在利用第1吸附部吸附着芯片的状态下，使第1吸附部远离粘合片，从而拾取芯片。

公开(公告)号：CN103208433A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201210592884.5

申请日：2012-12-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边真二郎 ,  饭田到 ,  原田宗生

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/4814 ,  H01L21/683 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/117 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造系统，其不需要过剩的防腐蚀措施能够防止半导体器件制造中生产率的降低，从叠层芯片（13）制造半导体器件的半导体器件制造系统（10）具备：芯片还原装置（14）和芯片接合装置（15），芯片还原装置（14）具有还原室（24），在该还原室（24）内还原各芯片（11）的端子（27）表面的氧化膜，芯片接合装置（15）具有与还原室（24）分开的回流焊室（25），在该回流焊室（25）内进行焊接凸块（26）与各芯片（11）的端子（27）的接合，芯片接合装置（15）与芯片还原装置（14）分别设置。

公开(公告)号：CN103081083A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041531.X

申请日：2011-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中尾贤 ,  中村充一 ,  饭田到 ,  原田宗生

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B25J15/0616 ,  B32B43/006 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1933

Abstract: 使第1吸附部靠近并接触被粘贴在粘合片上的芯片，并且，使第2吸附部靠近粘合片，并使第2吸附部以与第1吸附部相对的方式接触粘合片，该第2吸附部在用于与粘合片接触的接触面上形成有凹部，利用与粘合片接触着的第2吸附部来吸引粘合片，并且利用注入部向粘合片与芯片之间注入流体，从而使粘合片从芯片的与凹部相对的部分剥离，在利用第1吸附部吸附着芯片的状态下，使第1吸附部远离粘合片，从而拾取芯片。

公开(公告)号：CN102738069A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210076842.6

申请日：2012-03-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中尾贤 ,  原田宗生 ,  饭田到 ,  山口永司

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。其能够易于实现在芯片上形成贯通电极、易于实现贯通电极相互间的连接。实施方式的制造方法的特征在于，准备多个半导体基板，该半导体基板形成有用于贯通主表面间的贯通孔、并且在该贯通孔内填充有多孔质导体；以使被填充在上述贯通孔内的多孔质导体的位置对准的方式将上述多个半导体基板层叠起来；将含有颗粒状导体的导体墨导入到层叠起来的上述多个半导体基板的上述多孔质导体中；对层叠起来的上述多个半导体基板进行烧制。