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公开(公告)号：CN108878313B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201810425448.6
申请日：2018-05-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及卤素去除模块及相关系统和方法。室形成为包围处理区域。通道配置成使得衬底能进入处理区域和从处理区域移除衬底。衬底支撑结构被布置在处理区域内并被配置为在处理区域内支撑衬底。至少一个气体输入端被配置为向处理区域供应一种或多种气体。至少一个气体输出端被配置为从处理区域排出气体。湿度控制装置被配置成控制处理区域内的相对湿度。设置至少一个加热装置以提供对处理区域内的衬底的温度控制。室的处理区域可直接从配置成在大气压下操作的衬底处理模块访问。
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公开(公告)号：CN101889329A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880114683.6
申请日：2008-10-27
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C04B35/593 , C04B2235/3206 , C04B2235/3418 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , H01J37/32467 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。半导体基片在该室中等离子蚀刻，同时使用至少一个暴露于离子轰击和/或离子化卤素气体的、烧结的氮化硅部件。该烧结的氮化硅部件包括高纯度氮化硅和由二氧化硅组成的烧结辅料。等离子处理室设为包括该烧结的氮化硅部件。一种减少等离子处理过程中该硅基片的表面上金属污染物的方法提供包括一个或多个烧结的氮化硅部件的等离子处理设备。一种制造等离子蚀刻室中暴露于离子轰击和/或等离子腐蚀的部件的方法，包括成形高纯度氮化硅和二氧化硅组成的粉末成分并使该成形部件致密。
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公开(公告)号：CN108878313A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810425448.6
申请日：2018-05-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/67011
Abstract: 本发明涉及卤素去除模块及相关系统和方法。室形成为包围处理区域。通道配置成使得衬底能进入处理区域和从处理区域移除衬底。衬底支撑结构被布置在处理区域内并被配置为在处理区域内支撑衬底。至少一个气体输入端被配置为向处理区域供应一种或多种气体。至少一个气体输出端被配置为从处理区域排出气体。湿度控制装置被配置成控制处理区域内的相对湿度。设置至少一个加热装置以提供对处理区域内的衬底的温度控制。室的处理区域可直接从配置成在大气压下操作的衬底处理模块访问。
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公开(公告)号：CN114631173A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080070608.5
申请日：2020-10-05
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 亚当·帕特里克·贝特曼 , 特拉维斯·R·泰勒
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于清洁衬底处理系统中的加载锁的方法包含：在第一时段中，将与气体源流体连通的第一阀开启，以供应气体通过第一通气口而进入所述加载锁的气体容积。所述气体在足以从所述加载锁的表面上扰动颗粒的压强和流率下供应。所述方法包含：在所述第一时段之后的第二时段中且所述第一阀开启的情况下，将与泵流体连通的第二阀开启，并且启动所述泵以从所述加载锁的所述气体容积中冲洗掉所述气体和所述颗粒；以及在所述第二时段之后的第三时段中，关闭所述第一阀，同时继续经由所述第二阀而从所述加载锁的所述气体容积中泵抽所述气体和所述颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108971078A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810404274.5
申请日：2018-04-28
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: B08B5/02 , B08B7/0021 , B08B9/00 , C23C16/4405 , C23C16/4407 , C23C16/45563 , C23C16/45582 , C23C16/509 , H01J37/3244 , H01J37/32816 , H01J37/32862 , B08B3/02 , B08B13/00
Abstract: 本发明涉及使用高蒸汽压气雾剂进行原位清洁。一种用于清洁衬底处理系统的室的方法包括：将室保持在第一预定压强；以及在室内没有衬底的情况下，通过喷嘴组件从流体源提供流体以及通过喷嘴组件将流体注入到室中。流体源保持在大于第一预定压强的第二预定压强。将流体注入保持在第一预定压强的室中导致流体雾化成气体和固体颗粒的混合物。
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公开(公告)号：CN101889329B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880114683.6
申请日：2008-10-27
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C04B35/593 , C04B2235/3206 , C04B2235/3418 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , H01J37/32467 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。半导体基片在该室中等离子蚀刻，同时使用至少一个暴露于离子轰击和/或离子化卤素气体的、烧结的氮化硅部件。该烧结的氮化硅部件包括高纯度氮化硅和由二氧化硅组成的烧结辅料。等离子处理室设为包括该烧结的氮化硅部件。一种减少等离子处理过程中该硅基片的表面上金属污染物的方法提供包括一个或多个烧结的氮化硅部件的等离子处理设备。一种制造等离子蚀刻室中暴露于离子轰击和/或等离子腐蚀的部件的方法，包括成形高纯度氮化硅和二氧化硅组成的粉末成分并使该成形部件致密。
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公开(公告)号：CN202205699U
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201020658384.3
申请日：2010-11-29
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 迈克尔·S·康 , 迈克尔·C·凯洛格 , 米格尔·A·萨尔达纳 , 特拉维斯·R·泰勒
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32091
Abstract: 一种用于等离子体处理室中的边环装置，包括介电耦合环和导电边环。在一种实施方式中，所述介电耦合环有从其内边缘向上辐射延伸的环形凸出部分。所述介电耦合环适于包绕等离子体处理室中的基底支撑物。所述导电边环适于包绕所述介电耦合环的所述环形凸出部分。被支撑在所述基底支撑物上的基底比所述基底支撑物要凸出并覆盖所述介电耦合环的所述环形凸出部分和所述介电边环的一部分。在另一种实施方式中，所述介电耦合环有长方形的截面。所述介电耦合环和所述导电边环适于包绕等离子体处理室中的基底支撑物。被支撑在所述基底支撑物上的基底比所述基底支撑物要凸出并覆盖所述介电边环的一部分。
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公开(公告)号：CN203588977U
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201190000763.6
申请日：2011-08-25
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069
Abstract: 本申请涉及一种等离子体约束环组件及其上部环、吊架组件、下部环和中部环，其中一种具有单个能移动的下部环的等离子体约束环组件，其可用于控制电容耦合等离子体反应室中的晶片区域压强，晶片被支承在下电极组件上且处理气体通过上部喷头电极组件被引入所述室。该组件包括上部环、下部环、吊架、吊架帽、间隔套筒和垫片。当在上电极和下电极之间的间隙调节过程中所述垫片与所述下电极组件进行接触时，所述下部环由所述吊架支撑并朝着所述上部环能移动。所述吊架帽啮合所述吊架的上端并配合入所述上部环中的吊架孔的上部。间隔套筒围绕所述吊架的下部并配合入所述吊架孔的下部。垫片配合在所述吊架的扩大的头部和所述下部环的下表面之间。间隔套筒的尺寸设为在抬高所述下部环的过程中避免摩擦所述吊架孔的所述内表面。
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