公开(公告)号：CN101889329A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200880114683.6

申请日：2008-10-27

Applicant: 朗姆研究公司 ,  赛瑞丹公司

Inventor： 特拉维斯·R·泰勒 ,  穆昆德·斯里尼瓦桑 ,  鲍比·卡德霍达彦 ,  K·Y·拉曼努金 ,  比利亚纳·米琪杰尔治 ,  吴尚华

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C04B35/593 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  H01J37/32467 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。半导体基片在该室中等离子蚀刻，同时使用至少一个暴露于离子轰击和/或离子化卤素气体的、烧结的氮化硅部件。该烧结的氮化硅部件包括高纯度氮化硅和由二氧化硅组成的烧结辅料。等离子处理室设为包括该烧结的氮化硅部件。一种减少等离子处理过程中该硅基片的表面上金属污染物的方法提供包括一个或多个烧结的氮化硅部件的等离子处理设备。一种制造等离子蚀刻室中暴露于离子轰击和/或等离子腐蚀的部件的方法，包括成形高纯度氮化硅和二氧化硅组成的粉末成分并使该成形部件致密。

公开(公告)号：CN101889329B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880114683.6

申请日：2008-10-27

Applicant: 朗姆研究公司 ,  赛瑞丹公司

Inventor： 特拉维斯·R·泰勒 ,  穆昆德·斯里尼瓦桑 ,  鲍比·卡德霍达彦 ,  K·Y·拉曼努金 ,  比利亚纳·米琪杰尔治 ,  吴尚华

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C04B35/593 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  H01J37/32467 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。半导体基片在该室中等离子蚀刻，同时使用至少一个暴露于离子轰击和/或离子化卤素气体的、烧结的氮化硅部件。该烧结的氮化硅部件包括高纯度氮化硅和由二氧化硅组成的烧结辅料。等离子处理室设为包括该烧结的氮化硅部件。一种减少等离子处理过程中该硅基片的表面上金属污染物的方法提供包括一个或多个烧结的氮化硅部件的等离子处理设备。一种制造等离子蚀刻室中暴露于离子轰击和/或等离子腐蚀的部件的方法，包括成形高纯度氮化硅和二氧化硅组成的粉末成分并使该成形部件致密。