基板处理方法、基板处理装置以及存储介质

    公开(公告)号:CN108028195B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN201680053565.3

    申请日:2016-09-14

    Abstract: 基板处理方法包括以下工序:第一处理工序,向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液,来对所述去除对象膜进行蚀刻;以及第二处理工序,在向所述基板供给所述第一处理液之后,向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理液,来对所述去除对象膜进行蚀刻,在该第二处理液中,以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸。在通过湿蚀刻从基板的周缘部分去除包含SiGe、非晶硅或多晶硅的去除对象膜时,能够适当地保留存在于去除对象膜下的基底膜、例如包含SiO2的膜。

    湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质

    公开(公告)号:CN107210216B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201680006816.2

    申请日:2016-01-25

    Inventor: 难波宏光

    Abstract: 湿蚀刻方法具备以下步骤:使基板(W)旋转;向正在旋转的基板的第一面(器件形成面)供给蚀刻用的药液;以及在向基板供给药液的期间中,向基板的第二面(非器件形成面)供给蚀刻抑制液(DIW)。蚀刻抑制液经过基板的端缘(WE)而绕到第一面且到达第一区域,该第一区域为从第一面的周缘部分中的基板的端缘至第一面上的位于比端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域。由此,能够对形成有两层膜的基板的上层良好地进行斜角蚀刻处理。

    湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质

    公开(公告)号:CN107210216A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201680006816.2

    申请日:2016-01-25

    Inventor: 难波宏光

    Abstract: 湿蚀刻方法具备以下步骤:使基板(W)旋转;向正在旋转的基板的第一面(器件形成面)供给蚀刻用的药液;以及在向基板供给药液的期间中,向基板的第二面(非器件形成面)供给蚀刻抑制液(DIW)。蚀刻抑制液经过基板的端缘(WE)而绕到第一面且到达第一区域,该第一区域为从第一面的周缘部分中的基板的端缘至第一面上的位于比端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域。由此,能够对形成有两层膜的基板的上层良好地进行斜角蚀刻处理。

    基片处理装置、基片处理方法和存储介质

    公开(公告)号:CN109509715B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN201811073540.7

    申请日:2018-09-14

    Inventor: 难波宏光

    Abstract: 本发明提供一种基片处理装置(10),其包括:能够保持正面(Wa)形成有覆膜(F)的晶片(W)并使其旋转的旋转保持部(20);对由旋转保持部(20)保持的晶片(W)的正面(Wa)的周缘部供给覆膜(F)的蚀刻处理用的第一药液的第一供给部(30);对晶片W的背面(Wb)的周缘部供给第一药液的第二供给部(40);和对晶片W的背面(Wb)的周缘部供给能够与第一药液进行放热反应的第二药液的第三供给部(50)。由此,能够以简单的结构,提高基片周缘部的蚀刻处理的进行速度。

    液体处理装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101441991B

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN200810179579.7

    申请日:2007-04-18

    CPC classification number: H01L21/67051 H01L21/6715 H01L21/68728 Y10S134/902

    Abstract: 一种液体处理装置,包括:基板保持部,水平地保持基板,并能够与基板一同旋转;旋转杯,围绕被基板保持部保持的基板,能够与基板一同旋转;旋转机构,使旋转杯以及基板保持部一体旋转;液体供给机构,至少对基板的表面供给处理液;排气/排液部,从旋转杯向外部进行排气以及排液;和导向部件,按照表面与基板表面近似连续的方式设置于基板的外侧,与基板保持部以及旋转杯一同旋转,使向基板表面供给并从基板甩出的处理液经由其表面从旋转杯向排气/排液部导向。

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