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公开(公告)号：CN114068352A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110812387.0
申请日：2021-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306 , B01D19/00
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理部、贮存部、处理线路、循环线路和气体供给线路。处理部用碱性的药液对形成于基片的多晶硅膜或非晶硅膜进行蚀刻。贮存部回收并贮存所述处理部使用了的药液。处理线路将贮存于所述贮存部中的药液供给到处理部。循环线路从贮存部取出药液，并使取出的药液返回到贮存部。气体供给线路与循环线路连接，向所述循环线路供给非活泼气体。循环线路包括排出口，该排出口能够将利用第1气体供给线路供给的非活泼气体与从贮存部取出的药液的混合流体排出到所述贮存部所贮存的药液的内部。由此，在回收碱性的药液进行再使用的情况下，能够使药液的溶解氧浓度高效地降低。
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