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公开(公告)号：CN108538750B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810167755.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种提高基板处理的面内均匀性的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、旋转机构、喷嘴、移动机构以及控制部。保持部将基板水平保持。旋转机构用于使保持部旋转。喷嘴对由保持部保持着的基板供给蚀刻液。移动机构用于使喷嘴移动。控制部对旋转机构和移动机构进行控制，来执行扫描处理，在该扫描处理中，一边从喷嘴对进行旋转的基板供给蚀刻液，一边使喷嘴在基板上方的第一位置与比第一位置靠基板的外周侧的第二位置之间进行往复运动。另外，控制部一边变更第一位置一边多次执行扫描处理。
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公开(公告)号：CN107039306A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610827131.6
申请日：2016-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , H01L21/67034
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及处理腔室清洗方法，在对包括构成基板处理装置的处理腔室的壁体以及设于所述处理腔室内的设备的清洗对象部的表面进行清洗时，缩短清洗后的干燥时间。在进行向处理腔室(20)内喷射水而用水将清洗对象部(42、20a、53等)的表面润湿、使附着于清洗对象部的表面的除去对象物溶解于水的清洗工序之后，进行向处理腔室内喷射挥发性高于水的挥发性的溶剂而向附着于清洗对象部的表面的水供给溶剂的溶剂供给工序，之后，进行使清洗对象部的表面干燥的干燥工序。
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公开(公告)号：CN119422228A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380048998.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理方法包括：液膜形成工序，向被实施了利用处理液进行的液处理工序之后的基板的表面供给用于保护基板的表面的图案的保护液，来形成覆盖基板的表面的保护液的液膜；基板搬入工序，在液膜形成工序之后，将基板以形成有保护液的液膜的状态向处理容器内搬入；基板干燥工序，在基板搬入工序之后，向处理容器供给加压后的处理流体来将处理容器内的压力维持在使处理流体维持超临界状态的压力，并且，向处理容器供给加压后的处理流体来将基板上的处理液置换为处理流体，并从处理容器排出所述处理流体来使基板干燥；以及背面清洗工序，对基板的背面供给清洗基板的背面的清洗液，其中，背面清洗工序至少在实施液膜形成工序的期间实施。
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公开(公告)号：CN109390211A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810877096.8
申请日：2018-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 铃木启之
CPC classification number: H01L21/67023 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/02057 , H01L21/02082
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置，其能够抑制晶片的周缘部的图案倒线。实施方式的基片处理方法包括处理液供给工序、置换工序和干燥工序。处理液供给工序向保持为水平的基片上供给处理液。置换工序向基片上供给表面张力比处理液低的溶剂来将已被供给到基片上的处理液置换为溶剂。干燥工序按预先所设定的转速将基片上的上述溶剂甩掉，上述转速是以使溶剂在位于基片的中心部与周缘部之间中间部最后干燥的方式设定的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107591345B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201710543742.2
申请日：2017-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤：向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13)；在供给处理液的步骤(S12、S13)之后，向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜的步骤(S14)。具有在形成冲洗液的液膜的步骤(S14)之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤(S13)。
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公开(公告)号：CN109390211B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201810877096.8
申请日：2018-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 铃木启之
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置，其能够抑制晶片的周缘部的图案倒线。实施方式的基片处理方法包括处理液供给工序、置换工序和干燥工序。处理液供给工序向保持为水平的基片上供给处理液。置换工序向基片上供给表面张力比处理液低的溶剂来将已被供给到基片上的处理液置换为溶剂。干燥工序按预先所设定的转速将基片上的上述溶剂甩掉，上述转速是以使溶剂在位于基片的中心部与周缘部之间中间部最后干燥的方式设定的。
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公开(公告)号：CN107039306B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201610827131.6
申请日：2016-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及处理腔室清洗方法，在对包括构成基板处理装置的处理腔室的壁体以及设于所述处理腔室内的设备的清洗对象部的表面进行清洗时，缩短清洗后的干燥时间。在进行向处理腔室(20)内喷射水而用水将清洗对象部(42、20a、53等)的表面润湿、使附着于清洗对象部的表面的除去对象物溶解于水的清洗工序之后，进行向处理腔室内喷射挥发性高于水的挥发性的溶剂而向附着于清洗对象部的表面的水供给溶剂的溶剂供给工序，之后，进行使清洗对象部的表面干燥的干燥工序。
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公开(公告)号：CN108538750A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810167755.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67253 , H01L21/68764 , H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种提高基板处理的面内均匀性的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、旋转机构、喷嘴、移动机构以及控制部。保持部将基板水平保持。旋转机构用于使保持部旋转。喷嘴对由保持部保持着的基板供给蚀刻液。移动机构用于使喷嘴移动。控制部对旋转机构和移动机构进行控制，来执行扫描处理，在该扫描处理中，一边从喷嘴对进行旋转的基板供给蚀刻液，一边使喷嘴在基板上方的第一位置与比第一位置靠基板的外周侧的第二位置之间进行往复运动。另外，控制部一边变更第一位置一边多次执行扫描处理。
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公开(公告)号：CN107591345A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710543742.2
申请日：2017-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤：向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13)；在供给处理液的步骤(S12、S13)之后，向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜的步骤(S14)。具有在形成冲洗液的液膜的步骤(S14)之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤(S13)。
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