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公开(公告)号：CN106463377B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201580021891.1
申请日：2015-05-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/024 , B08B3/08 , F26B15/04 , F26B21/004 , H01L21/67028 , H01L21/6704 , H01L21/67051
Abstract: 基板处理装置包括：一边保持基板(3)一边使基板(3)旋转的基板旋转部(11)、向基板供给处理液的处理液供给部(13)以及向基板供给与从处理液供给部供给来的处理液置换的置换液的置换液供给部(14)。在置换液供给部(14)向基板供给置换液时，处理液供给部(13)向比从置换液供给部供给的置换液的基板上的供给位置靠基板的外周侧的位置供给处理液而形成处理液的液膜。不增大置换液的消耗量，就能够维持基板的整个表面被液膜覆盖的状态。
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公开(公告)号：CN109216180B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201810716004.8
申请日：2018-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN106463377A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580021891.1
申请日：2015-05-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/024 , B08B3/08 , F26B15/04 , F26B21/004 , H01L21/67028 , H01L21/6704 , H01L21/67051
Abstract: 基板处理装置包括：一边保持基板(3)一边使基板(3)旋转的基板旋转部(11)、向基板供给处理液的处理液供给部(13)以及向基板供给与从处理液供给部供给来的处理液置换的置换液的置换液供给部(14)。在置换液供给部(14)向基板供给置换液时，处理液供给部(13)向比从置换液供给部供给的置换液的基板上的供给位置靠基板的外周侧的位置供给处理液而形成处理液的液膜。不增大置换液的消耗量，就能够维持基板的整个表面被液膜覆盖的状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107591345A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710543742.2
申请日：2017-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤：向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13)；在供给处理液的步骤(S12、S13)之后，向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜的步骤(S14)。具有在形成冲洗液的液膜的步骤(S14)之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤(S13)。
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公开(公告)号：CN107026106A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611235722.0
申请日：2016-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种能够将附着到杯状件的周壁部的上表面的异物去除的基板处理装置和基板处理方法。实施方式的一技术方案的基板处理装置包括保持部、处理液供给部、杯状件以及清洗液供给部。保持部保持基板。处理液供给部向基板供给处理液。杯状件具有底部、从底部竖立设置的筒状的周壁部、设于周壁部的上方并接收从基板飞散开的处理液的液体接收部以及沿着周向形成于周壁部的上表面的槽部，该杯状件包围保持部。清洗液供给部向周壁部的上表面供给清洗液。
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公开(公告)号：CN107591345B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201710543742.2
申请日：2017-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤：向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13)；在供给处理液的步骤(S12、S13)之后，向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜的步骤(S14)。具有在形成冲洗液的液膜的步骤(S14)之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤(S13)。
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公开(公告)号：CN107026106B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201611235722.0
申请日：2016-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够将附着到杯状件的周壁部的上表面的异物去除的基板处理装置和基板处理方法。实施方式的一技术方案的基板处理装置包括保持部、处理液供给部、杯状件以及清洗液供给部。保持部保持基板。处理液供给部向基板供给处理液。杯状件具有底部、从底部竖立设置的筒状的周壁部、设于周壁部的上方并接收从基板飞散开的处理液的液体接收部以及沿着周向形成于周壁部的上表面的槽部，该杯状件包围保持部。清洗液供给部向周壁部的上表面供给清洗液。
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公开(公告)号：CN109216180A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810716004.8
申请日：2018-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。
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