公开(公告)号：CN106463377B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201580021891.1

申请日：2015-05-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 篠原和義 ,  吉田祐希

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/024 ,  B08B3/08 ,  F26B15/04 ,  F26B21/004 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051

Abstract: 基板处理装置包括：一边保持基板(3)一边使基板(3)旋转的基板旋转部(11)、向基板供给处理液的处理液供给部(13)以及向基板供给与从处理液供给部供给来的处理液置换的置换液的置换液供给部(14)。在置换液供给部(14)向基板供给置换液时，处理液供给部(13)向比从置换液供给部供给的置换液的基板上的供给位置靠基板的外周侧的位置供给处理液而形成处理液的液膜。不增大置换液的消耗量，就能够维持基板的整个表面被液膜覆盖的状态。

公开(公告)号：CN105321855B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201510463688.1

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN105321855A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510463688.1

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN110265325B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201910477249.4

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN105321804B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201510463686.2

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。

公开(公告)号：CN108028193B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201680056032.0

申请日：2016-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 江头浩司 ,  山下刚秀 ,  本田儀幸 ,  吉田祐希 ,  川渕洋介

IPC: H01L21/304

Abstract: 在比由处理室(81、201)内的基板保持部(89、204)保持着的基板(W)的端缘靠外侧的位置设置有喷射气体的气体喷射口(74、205)。从气体喷射口(74、205)喷射来的气体形成在沿着由基板保持部保持着的基板的第1面(表面)的方向上流动的气体的流动。随着气体的流动，升华了的升华性物质的气体和气体所含有的异物被从基板的附近去除。气体也作为从加热部(88、203)向基板的传热介质起作用。

公开(公告)号：CN110265325A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910477249.4

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN106463377A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580021891.1

申请日：2015-05-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 篠原和義 ,  吉田祐希

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/024 ,  B08B3/08 ,  F26B15/04 ,  F26B21/004 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051

Abstract: 基板处理装置包括：一边保持基板(3)一边使基板(3)旋转的基板旋转部(11)、向基板供给处理液的处理液供给部(13)以及向基板供给与从处理液供给部供给来的处理液置换的置换液的置换液供给部(14)。在置换液供给部(14)向基板供给置换液时，处理液供给部(13)向比从置换液供给部供给的置换液的基板上的供给位置靠基板的外周侧的位置供给处理液而形成处理液的液膜。不增大置换液的消耗量，就能够维持基板的整个表面被液膜覆盖的状态。

公开(公告)号：CN118633144A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202380019350.X

申请日：2023-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉田祐希

IPC: H01L21/308

Abstract: 基板处理方法包括准备基板的工序、以及进行基板的蚀刻处理的工序。在准备基板的工序中，准备具有层叠膜的基板，该层叠膜包括膜厚不同的多个硅氧化膜。在进行基板的蚀刻处理的工序中，用添加了盐酸的蚀刻液进行基板的蚀刻处理。

公开(公告)号：CN108028193A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056032.0

申请日：2016-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 江头浩司 ,  山下刚秀 ,  本田儀幸 ,  吉田祐希 ,  川渕洋介

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/304

Abstract: 在比由处理室(81、201)内的基板保持部(89、204)保持着的基板(W)的端缘靠外侧的位置设置有喷射气体的气体喷射口(74、205)。从气体喷射口(74、205)喷射来的气体形成在沿着由基板保持部保持着的基板的第1面(表面)的方向上流动的气体的流动。随着气体的流动，升华了的升华性物质的气体和气体所含有的异物被从基板的附近去除。气体也作为从加热部(88、203)向基板的传热介质起作用。