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公开(公告)号：CN105321804A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463686.2
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , JSR株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN105321804B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201510463686.2
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , JSR株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN115769346A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180045439.4
申请日：2021-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 实施方式所涉及的液处理装置具备贮存罐、第一循环线路以及第二循环线路。贮存罐贮存处理液。第一循环线路用于使从贮存罐送出的处理液通过第一过滤器后返回到贮存罐。第二循环线路与第一循环线路连接，第二循环线路用于使处理液通过第二过滤器后返回到贮存罐。第二循环线路的流路的长度比第一循环线路的流路的长度短。向第二循环线路流入的处理液的流量比向第一循环线路的比第一循环线路与第二循环线路的连接部位靠下游侧的位置流入的处理液的流量少。第二过滤器中的每单位时间的过滤量比第一过滤器中的每单位时间的过滤量少。
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公开(公告)号：CN110034040A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811453149.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 菅野至
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理方法及基板处理装置。课题在于抑制有机溶剂中所含有的金属杂质向基板的附着。实施方式的基板处理方法包括液体处理工序和干燥工序。液体处理工序中向基板供给处理液。干燥工序中使用有机溶剂对液体处理工序后的基板进行干燥。而且，实施方式的一个方面的基板处理方法中，酸性材料被添加到干燥工序中所使用的有机溶剂中。
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公开(公告)号：CN105321855B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201510463688.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103567169B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310334657.7
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: 本发明提供基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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公开(公告)号：CN105321855A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463688.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
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公开(公告)号：CN103515220A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310230866.7
申请日：2013-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02057 , G03F7/423 , H01L21/31133 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明中，基板处理装置（1）用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板（3）供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，包括：基板处理室（16），用于处理基板；基板保持部件（12），设于基板处理室内，用于保持基板；混合液供给部件（13），用于以不会对基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；OH基供给部件（14），用于向基板供给含有OH基的流体，OH基供给部件供给含有在混合液与OH基在基板上混合时不会对基底层造成损伤的量的OH基的流体。
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公开(公告)号：CN1930666A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007876.8
申请日：2005-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B05B7/04 , B08B3/02
CPC classification number: H01L21/67051 , B01F3/04049 , B05B7/0433 , B08B3/02 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的目的在于，在内部混合气体和液体并将液滴与气体一起喷射而清洗基板的基板清洗用双流体喷嘴中，使液滴的粒径和速度均匀化。在基板清洗用双流体喷嘴中，具有：供给气体的气体供给通路、供给液体的液体供给通路、和将内部形成的液滴导出的导出通路，在上述导出通路的末端形成有用于向外部喷射液滴的喷射口，上述喷射口的截面积Sb形成得比上述导出通路的截面积Sa小，并且，上述气体供给通路的出口的截面积Sc形成得比上述导出通路的截面积Sa小。
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公开(公告)号：CN110270558B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201910393879.3
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。能够抑制基底膜被侵蚀并去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序和剥离处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，向表面具有亲水性的基板供给含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使该处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。
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