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公开(公告)号：CN105845603B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201610069114.0
申请日：2016-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置。不阻碍在对基板进行液处理时产生的气流而能够良好地对基板进行液处理。在本发明中，具有：基板旋转保持部(1013)，其用于保持基板(1004)并使基板旋转；处理液供给部(1014)，其向由基板旋转保持部保持着的基板的下表面供给处理液，基板旋转保持部具有：底板(1025)，其以与基板隔开间隔地配置在基板的下方；罩体(1026)，其由底板支承，配置于基板的外周外侧；排出口(1043)，其形成于底板和罩体之间，用于将在基板的下方产生的气流排出，底板和罩体之间的支承部分(1037)相对于底板的上表面向外侧突并与罩体连接。
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公开(公告)号：CN109698142A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811214795.0
申请日：2018-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116313913A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310277516.X
申请日：2017-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种控制装置和存储介质。提供能够抑制基板的周缘部处的斜切处理的切割宽度的变动的技术。基板处理装置向旋转的基板的周缘部赋予处理液。基板处理装置具备旋转保持部、处理液喷出部、变动幅度获取部以及喷出控制部。旋转保持部保持基板而使基板旋转。处理液喷出部向被旋转保持部保持着的基板的周缘部喷出处理液。变动幅度获取部获取与基板的周缘部的变形量的变动幅度有关的信息。喷出控制部根据由变动幅度获取部获取的与周缘部的变形量的变动幅度有关的信息来控制来自处理液喷出部的处理液相对于周缘部的喷出角度和喷出位置。
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公开(公告)号：CN107818927B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201710790286.1
申请日：2017-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。提供能够抑制基板的周缘部处的斜切处理的切割宽度的变动的技术。基板处理装置(1)向旋转的基板(W)的周缘部赋予处理液。基板处理装置(1)具备旋转保持部(21)、处理液喷出部(73)、变动幅度获取部以及喷出控制部(7)。旋转保持部(21)保持基板(W)而使基板(W)旋转。处理液喷出部(73)向被旋转保持部(21)保持着的基板(W)的周缘部喷出处理液。变动幅度获取部获取与基板(W)的周缘部的变形量的变动幅度有关的信息。喷出控制部(7)根据由变动幅度获取部获取的与周缘部的变形量的变动幅度有关的信息来控制来自处理液喷出部(73)的处理液相对于周缘部的喷出角度和喷出位置。
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公开(公告)号：CN105845603A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610069114.0
申请日：2016-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置。不阻碍在对基板进行液处理时产生的气流而能够良好地对基板进行液处理。在本发明中，具有：基板旋转保持部(1013)，其用于保持基板(1004)并使基板旋转；处理液供给部(1014)，其向由基板旋转保持部保持着的基板的下表面供给处理液，基板旋转保持部具有：底板(1025)，其以与基板隔开间隔地配置在基板的下方；罩体(1026)，其由底板支承，配置于基板的外周外侧；排出口(1043)，其形成于底板和罩体之间，用于将在基板的下方产生的气流排出，底板和罩体之间的支承部分(1037)相对于底板的上表面向外侧突并与罩体连接。
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公开(公告)号：CN109698142B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201811214795.0
申请日：2018-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。
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公开(公告)号：CN107818927A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710790286.1
申请日：2017-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67051 , H01L21/67253 , H01L21/67288
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。提供能够抑制基板的周缘部处的斜切处理的切割宽度的变动的技术。基板处理装置(1)向旋转的基板(W)的周缘部赋予处理液。基板处理装置(1)具备旋转保持部(21)、处理液喷出部(73)、变动幅度获取部以及喷出控制部(7)。旋转保持部(21)保持基板(W)而使基板(W)旋转。处理液喷出部(73)向被旋转保持部(21)保持着的基板(W)的周缘部喷出处理液。变动幅度获取部获取与基板(W)的周缘部的变形量的变动幅度有关的信息。喷出控制部(7)根据由变动幅度获取部获取的与周缘部的变形量的变动幅度有关的信息来控制来自处理液喷出部(73)的处理液相对于周缘部的喷出角度和喷出位置。
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