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公开(公告)号：CN104871361B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201380067241.1
申请日：2013-12-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M10/058 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M6/40 , C23C14/088 , C23C14/34 , H01M4/0426 , H01M10/0436 , H01M10/0585
Abstract: 一种制造薄膜电池的方法，所述方法可包括以下步骤：在基板上沉积覆盖层的第一堆叠，所述第一堆叠包括阴极集电器、阴极、电解质、阳极和阳极集电器；激光冲模图案化第一堆叠，以形成一个或更多个第二堆叠，各第二堆叠形成独立薄膜电池的核心；在一个或更多个第二堆叠之上覆盖沉积封装层；激光图案化所述封装层，以为一个或更多个第二堆叠的每一者上的阳极集电器打开接触区域；在封装层和接触区域之上覆盖沉积金属衬垫层；和激光图案化金属衬垫层，以电隔离一个或更多个薄膜电池的每一者的阳极集电器。对于非导电基板，穿过基板打开阴极接触区域。
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公开(公告)号：CN105789680A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610273983.5
申请日：2012-08-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M10/04
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L31/02164 , H01L31/02167 , H01L31/024 , H01L31/0463 , H01L31/18 , H01M4/0471 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/0404
Abstract: 通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金属层，并且热阻挡层是具有足够低的热扩散系数的导电层，以减少流入下层金属层的热量，使得下层金属层的温度达不到熔化温度Tm，或在一些实施方式中，使得下层金属层的温度在激光直接图案化期间达不到(Tm)/3。
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公开(公告)号：CN103733311B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201280038837.4
申请日：2012-08-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301 , H01M10/04 , H01L31/18
Abstract: 通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金属层，并且热阻挡层是具有足够低的热扩散系数的导电层，以减少流入下层金属层的热量，使得下层金属层的温度达不到熔化温度Tm，或在一些实施方式中，使得下层金属层的温度在激光直接图案化期间达不到(Tm)/3。
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公开(公告)号：CN103814431B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201280043595.8
申请日：2012-09-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/31
CPC classification number: C23C14/345 , C23C14/00 , C23C14/3471 , H01J37/32165 , H01J37/3405
Abstract: 一种溅射沉积介电薄膜的方法，可包含：在处理腔室中的基板基座上提供基板，所述基板被定位成面向溅射靶材；将来自第一电源的第一射频频率和来自第二电源的第二射频频率同时施加到溅射靶材；和在基板与溅射靶材之间的处理腔室中形成等离子体，用于溅射所述靶材；其中第一射频频率小于第二射频频率，第一射频频率被选择以控制等离子体的离子能量并且第二射频频率被选择以控制等离子体的离子密度。可选择在所述处理腔室之内的表面的自偏压；这是通过在基板基座与地面之间连接阻塞电容器来实现的。
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公开(公告)号：CN103814431A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201280043595.8
申请日：2012-09-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/31
CPC classification number: C23C14/345 , C23C14/00 , C23C14/3471 , H01J37/32165 , H01J37/3405
Abstract: 一种溅射沉积介电薄膜的方法，可包含：在处理腔室中的基板基座上提供基板，所述基板被定位成面向溅射靶材；将来自第一电源的第一射频频率和来自第二电源的第二射频频率同时施加到溅射靶材；和在基板与溅射靶材之间的处理腔室中形成等离子体，用于溅射所述靶材；其中第一射频频率小于第二射频频率，第一射频频率被选择以控制等离子体的离子能量并且第二射频频率被选择以控制等离子体的离子密度。可选择在所述处理腔室之内的表面的自偏压；这是通过在基板基座与地面之间连接阻塞电容器来实现的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789680B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610273983.5
申请日：2012-08-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M10/04
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L31/02164 , H01L31/02167 , H01L31/024 , H01L31/0463 , H01L31/18 , H01M4/0471 , H01M6/40 , H01M10/0436
Abstract: 通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金属层，并且热阻挡层是具有足够低的热扩散系数的导电层，以减少流入下层金属层的热量，使得下层金属层的温度达不到熔化温度Tm，或在一些实施方式中，使得下层金属层的温度在激光直接图案化期间达不到(Tm)/3。
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公开(公告)号：CN104871361A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380067241.1
申请日：2013-12-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M10/058 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M6/40 , C23C14/088 , C23C14/34 , H01M4/0426 , H01M10/0436 , H01M10/0585
Abstract: 一种制造薄膜电池的方法，所述方法可包括以下步骤：在基板上沉积覆盖层的第一堆叠，所述第一堆叠包括阴极集电器、阴极、电解质、阳极和阳极集电器；激光冲模图案化第一堆叠，以形成一个或更多个第二堆叠，各第二堆叠形成独立薄膜电池的核心；在一个或更多个第二堆叠之上覆盖沉积封装层；激光图案化所述封装层，以为一个或更多个第二堆叠的每一者上的阳极集电器打开接触区域；在封装层和接触区域之上覆盖沉积金属衬垫层；和激光图案化金属衬垫层，以电隔离一个或更多个薄膜电池的每一者的阳极集电器。对于非导电基板，穿过基板打开阴极接触区域。
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公开(公告)号：CN106797056A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055121.9
申请日：2015-09-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M10/0585 , H01M10/04 , H01M4/04 , H01M4/64
CPC classification number: H01M10/0585 , H01M4/0421 , H01M4/661 , H01M4/70 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/4235
Abstract: 一种薄膜电池所述可包括：基板、阴极集电体层、阳极集电体层、阴极层、电解质层和阳极层，其中阳极集电体的阳极接触区域的一部分未被阳极层覆盖，且其中电解质层中的电气绝缘缓冲区域未被阳极层覆盖，所述电气绝缘缓冲区域位于阴极集电体层的接触区域与阳极层之间，用于使邻近于阴极集电体的接触区域的阴极层的激光切割边缘与阳极层的激光切割边缘电气隔离。本文也描述用于形成薄膜电池的方法和设备。
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公开(公告)号：CN103733311A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280038837.4
申请日：2012-08-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301 , H01M10/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L31/02164 , H01L31/02167 , H01L31/024 , H01L31/0463 , H01L31/18 , H01M4/0471 , H01M6/40 , H01M10/0436
Abstract: 通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金属层，并且热阻挡层是具有足够低的热扩散系数的导电层，以减少流入下层金属层的热量，使得下层金属层的温度达不到熔化温度Tm，或在一些实施方式中，使得下层金属层的温度在激光直接图案化期间达不到(Tm)/3。
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公开(公告)号：CN102057323B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980121020.1
申请日：2009-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02F1/15
CPC classification number: G02F1/1533 , G02F1/1523 , G02F1/155 , G02F2001/1536
Abstract: 本发明构思在电色装置制造中利用激光图案化/切割，激光图案化/切割用于制造工艺期间的任何地方且视为电色装置可制造性、产率、功能性的适当必要手段，同时整合所述激光切割以确保保护所述装置的有源层，进而保证长期可靠性。设想采用激光直接移除(剥离)部件层材料而图案化电色装置的部件层。本发明包括制造电色装置的方法，所述方法包含一或多个聚焦激光图案化步骤。为最少化激光剥离材料再沉积和微粒形成在装置表面，可采用若干方法：(1)可在装置材料的所述激光剥离附近用真空抽吸及/或惰性气体喷射移除所述聚焦激光图案化产生的剥离材料；(2)在空间上隔开各层边缘及在沉积上层之前图案化下层；及(3)所述激光图案化步骤由直接聚焦在所述沉积层上方的激光束、导引穿过透明基板的激光束或二者的组合来进行。
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