公开(公告)号：CN104025266A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280064757.6

申请日：2012-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社大亨

Inventor： 山田纪和 ,  立川俊文 ,  永海幸一 ,  池成达也 ,  前原大辅

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32155 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H05H2001/4682

Abstract: 本发明能够简便且可靠地防止对开关方式的高频电源进行电力调制时在高频供电线上发生RF电力拖尾现象。该电容耦合型的等离子体处理装置，在真空腔室(10)内使基座(下部电极)(16)与兼作喷头的上部电极(46)相对配置。基座(16)分别经由匹配器(40、42)与第1和第2高频电源(36、38)电连接。第1高频电源(36)由线性放大器方式的高频电源构成，输出等离子体生成用的第1高频(RF1)。第2高频电源(38)由开关方式的高频电源构成，输出离子引入用的第2高频(RF2)。第2高频电源(38)侧的高频供电线(43)与残留高频除去部(74)连接。

公开(公告)号：CN104025266B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201280064757.6

申请日：2012-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社大亨

Inventor： 山田纪和 ,  立川俊文 ,  永海幸一 ,  池成达也 ,  前原大辅

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32155 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H05H2001/4682

Abstract: 本发明能够简便且可靠地防止对开关方式的高频电源进行电力调制时在高频供电线上发生RF电力拖尾现象。该电容耦合型的等离子体处理装置，在真空腔室(10)内使基座(下部电极)(16)与兼作喷头的上部电极(46)相对配置。基座(16)分别经由匹配器(40、42)与第1和第2高频电源(36、38)电连接。第1高频电源(36)由线性放大器方式的高频电源构成，输出等离子体生成用的第1高频(RF1)。第2高频电源(38)由开关方式的高频电源构成，输出离子引入用的第2高频(RF2)。第2高频电源(38)侧的高频供电线(43)与残留高频除去部(74)连接。