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公开(公告)号：CN110923659A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910875193.8
申请日：2019-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/14 , C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法及基板处理系统。本发明的课题是提供能够密合性良好地形成低电阻的钨膜的技术。基于本公开的一个方式的成膜方法具备如下工序：在减压状态下在基底上形成含Al膜的工序；和，在前述形成含Al膜的工序之后，在将前述含Al膜不暴露于空气中的情况下，在减压状态下插入吹扫地交替重复进行B2H6气体的供给和WF6气体的供给，在前述含Al膜上形成初始钨膜的工序。
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公开(公告)号：CN108531889B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201810175365.6
申请日：2018-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种能够使处理开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置，其使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，包括：设置在所述原料容器和所述处理容器之间的缓冲罐；以能够将所述缓冲罐内和所述原料容器内排气的方式设置的压力调节通路；存储部，其存储向所述处理容器内供给所述原料气体进行了处理时的所述缓冲罐内的压力；和控制部，其控制在所述压力调节通路中进行排气的流量和对所述缓冲罐填充的所述原料气体和所述载气的流量，使得在向所述处理容器内供给所述原料气体之前，所述缓冲罐内的压力成为在所述存储部中所存储的压力。
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公开(公告)号：CN110176399A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910126852.8
申请日：2019-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C16/24 , C23C16/14 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种钨膜的成膜方法、成膜系统以及存储介质。提供能够谋求钨膜的低电阻化的技术。钨膜的成膜方法具有如下工序：将在表面形成有保护膜的基板配置于处理容器内、并在减压气氛下在基板对硅膜进行成膜的工序；向形成有硅膜的基板供给氯化钨气体而对初始钨膜进行成膜的工序；以及向形成有初始钨膜的基板供给含钨气体而对主钨膜进行成膜的工序。
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公开(公告)号：CN110055511A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910043244.0
申请日：2019-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/12 , C23C16/14 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供一种钨膜的成膜方法和成膜系统。在薄膜化了的情况下也谋求钨膜的低电阻化。一种钨膜的成膜方法，将在表面形成有TiN膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下对基板进行加热，同时在基板的表面对钨膜进行成膜，其中，该钨膜的成膜方法具有在基板对含铝材料的第1膜进行成膜的工序和在第1膜之上对钨膜进行成膜的工序。
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公开(公告)号：CN109913853B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811525037.0
申请日：2018-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及原料气体供给装置。在开始晶圆(100)的处理前进行的模拟制程中，测定载气的实际流量(Ca、Cb)和气化原料的实际流量(Pra、Prb)，求出表示载气与气化原料之间的相关度的校正系数(K0)。而且，使用校正系数(K0)来调整载气的流量以使气化原料的流量成为目标值。并且，根据第n‑1张和第n张晶圆的处理时的载气的实际流量(Cn‑1、Cn)和气化原料的实际流量(Prn‑1、Prn)来求出表示载气的流量的增减量与气化原料的流量的增减量之间的相关度的校正系数(Kn)，向第n+1张晶圆供给使用校正系数(Kn)对流量以成为目标值的方式进行了调整的气化原料来进行处理。
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公开(公告)号：CN112292476A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201980041837.1
申请日：2019-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 成膜方法包括以下工序：将形成有绝缘膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下向处理容器内重复供给含Ti气体、含Al气体以及反应气体来形成基底膜；以及通过金属材料在形成有基底膜的基板形成金属层。
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公开(公告)号：CN108531888B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810174814.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种在成膜原料罐的更换后，能够容易以稳定的状态供给原料气体的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，所述气体供给装置包括：与所述原料容器的上游侧连接的、控制所述载气的流量的质量流量控制器；与所述原料容器的下游侧连接的流量计；和控制部，其进行控制使得在所述原料容器的更换之后不向所述处理容器内供给所述原料气体直至所述流量计的检测值稳定，其中，所述检测值是对由所述质量流量控制器控制为一定流量的所述载气的检测值。
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公开(公告)号：CN108531888A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810174814.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种在成膜原料罐的更换后，能够容易以稳定的状态供给原料气体的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，所述气体供给装置包括：与所述原料容器的上游侧连接的、控制所述载气的流量的质量流量控制器；与所述原料容器的下游侧连接的流量计；和控制部，其进行控制使得在所述原料容器的更换之后不向所述处理容器内供给所述原料气体直至所述流量计的检测值稳定，其中，所述检测值是对由所述质量流量控制器控制为一定流量的所述载气的检测值。
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公开(公告)号：CN110055511B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910043244.0
申请日：2019-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/12 , C23C16/14 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供一种钨膜的成膜方法和成膜系统。在薄膜化了的情况下也谋求钨膜的低电阻化。一种钨膜的成膜方法，将在表面形成有TiN膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下对基板进行加热，同时在基板的表面对钨膜进行成膜，其中，该钨膜的成膜方法具有在基板对含铝材料的第1膜进行成膜的工序和在第1膜之上对钨膜进行成膜的工序。
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公开(公告)号：CN105990194B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201610153582.6
申请日：2016-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种能够正确地检测到基板从载置台剥离的基板处理方法。基板处理装置(11)包括：收容基板(G)利用等离子体对该基板(G)实施等离子体蚀刻的腔室(20)；设置于该腔室(20)的内部的、用于载置基板(G)的载置台(21)；内置于该载置台(21)的、将基板(G)静电吸附于载置台(21)的静电吸附电极(27)；向该静电吸附电极(27)施加直流电压的直流电源(28)；供给用于生成等离子体的高频电力的等离子体生成用高频电源(41)；和用于监视被施加于静电吸附电极(27)的直流电压的直流电压监视器(46)，当由直流电压监视器监视的直流电压超过规定阈值时，等离子体生成用高频电源停止供给高频电力。
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