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公开(公告)号：CN119631167A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380056590.7
申请日：2023-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/42
Abstract: 等离子体处理装置用的部件的制造方法包括以下工序：工序(A)，准备芯材，所述芯材的形状与所述电极的最终形状相似且比所述最终形状小；工序(B)，通过成膜装置在所述芯材形成SiC层叠部；以及工序(C)，通过至少去除所述SiC层叠部的一部分来形成SiC层并加工成所述最终形状。由此，能够高精度地制造具有SiC的等离子体处理装置用的部件。
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