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公开(公告)号：CN101005028A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610146540.6
申请日：2006-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理方法，该方法在对SiOC膜等绝缘膜进行蚀刻时，将孔的口径和槽的宽度等控制在较小值。在进行蚀刻之前，将含有CF4气体和CH3F气体的处理气体等离子体化，利用该等离子体实施使堆积物附着在抗蚀剂掩模开口部的侧壁上、减小开口尺寸的前处理。另外，在对SiOC膜进行蚀刻时，将含有CF4气体、CH3F气体和氮气的处理气体等离子体化，向处理气氛供给用于等离子体化的第一高频，使供给的功率除以基板表面积的商值为1500W/70685.8mm2以上(300mm晶片的表面积)，对SiOC膜进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1787183A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510131087.7
申请日：2005-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种在避免产生栅栏的同时、以高蚀刻速度可对Ti进行蚀刻，而且在蚀刻过程中抑制腔室内堆积物的产生，以可防粉粒污染于未然的等离子体蚀刻方法。该方法包括：第一等离子体处理工序，在腔室内压力4Pa以下，使含有氟化合物的蚀刻气体的等离子体作用于在可保持真空的处理容器内形成的、并至少具有形成为规定形状的图案的掩模层和作为在上述掩模层下面形成的被蚀刻层的Ti层的被处理体，对上述Ti层进行蚀刻；第二等离子体处理工序，在第一等离子体处理工序结束后，将洗净气体的等离子体导入到上述处理腔室内而进行干洗净，在上述第二等离子体处理工序中，除去由上述第一等离子体处理工序生成的含有Ti化合物的堆积物。
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公开(公告)号：CN100413035C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510131087.7
申请日：2005-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种在避免产生栅栏的同时、以高蚀刻速度可对Ti进行蚀刻，而且在蚀刻过程中抑制腔室内堆积物的产生，以可防粉粒污染于未然的等离子体蚀刻方法。该方法包括：第一等离子体处理工序，在腔室内压力4Pa以下，使含有氟化合物的蚀刻气体的等离子体作用于在可保持真空的处理容器内形成的、并至少具有形成为规定形状的图案的掩模层和作为在上述掩模层下面形成的被蚀刻层的Ti层的被处理体，对上述Ti层进行蚀刻；第二等离子体处理工序，在第一等离子体处理工序结束后，将洗净气体的等离子体导入到上述处理腔室内而进行干洗净，在上述第二等离子体处理工序中，除去由上述第一等离子体处理工序生成的含有Ti化合物的堆积物。
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公开(公告)号：CN104882360B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201510089197.5
申请日：2015-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及简便且有效地除去残留在等离子体处理装置的处理容器内的含Ti反应物的方法。在Low‑k膜的蚀刻加工中，紧接在完成了干蚀刻步骤(S2)之后，在将半导体晶片保持在静电吸盘(40)上的状态下，执行具有晶片的干清洁的步骤(步骤S3)。该具有晶片的干清洁步骤(S3)，主要为了除去残留在腔室(10)内的含Ti反应物，由处理气体供给部(70)以规定的流量比将包括H2气体和N2气体的清洁气体导入腔室(10)内，将等离子体生成用的第一高频(HF)以规定的功率施加到基座(12)上，在腔室(10)内，利用清洁气体的高频放电生成等离子体。
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公开(公告)号：CN104882360A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510089197.5
申请日：2015-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及简便且有效地除去残留在等离子体处理装置的处理容器内的含Ti反应物的方法。在Low-k膜的蚀刻加工中，紧接在完成了干蚀刻步骤(S2)之后，在将半导体晶片保持在静电吸盘(40)上的状态下，执行具有晶片的干清洁的步骤(步骤S3)。该具有晶片的干清洁步骤(S3)，主要为了除去残留在腔室(10)内的含Ti反应物，由处理气体供给部(70)以规定的流量比将包括H2气体和N2气体的清洁气体导入腔室(10)内，将等离子体生成用的第一高频(HF)以规定的功率施加到基座(12)上，在腔室(10)内，利用清洁气体的高频放电生成等离子体。
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公开(公告)号：CN100521110C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610146540.6
申请日：2006-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理方法，该方法在对SiOC膜等绝缘膜进行蚀刻时，将孔的口径和槽的宽度等控制在较小值。在进行蚀刻之前，将含有CF4气体和CH3F气体的处理气体等离子体化，利用该等离子体实施使堆积物附着在抗蚀剂掩模开口部的侧壁上、减小开口尺寸的前处理。另外，在对SiOC膜进行蚀刻时，将含有CF4气体、CH3F气体和氮气的处理气体等离子体化，向处理气氛供给用于等离子体化的第一高频，使供给的功率除以基板表面积的商值为1500W/70685.8mm2以上(300mm晶片的表面积)，对SiOC膜进行蚀刻。
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