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公开(公告)号：CN114792626A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210055438.4
申请日：2022-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开提供一种基板处理方法、部件处理方法以及基板处理装置，能够去除存在于基板或部件的表面的物质。提供一种用于对配置在基板处理装置的腔室内的基板支承部上的基板进行处理的基板处理方法。该基板处理方法包括以下工序：工序(a)，向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；工序(b)，将基板支承部的温度控制为第一温度，并将腔室内的氟化氢气体的压力控制为第一压力；以及工序(c)，将基板支承部的温度控制为第二温度，并将腔室内的氟化氢气体的压力控制为第二压力。在横轴为温度且纵轴为压力的曲线图中，第一温度和第一压力位于比氟化氢的吸附平衡压曲线靠上的第一区域，第二温度和第二压力位于比吸附平衡压曲线靠下的第二区域。
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公开(公告)号：CN118231243A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311689555.7
申请日：2023-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 在一示例性实施方式中，蚀刻方法包括如下工序：(a)准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有至少1个开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；及(b)使用由处理气体生成的等离子体，并经由至少1个开口对第2区域进行蚀刻的工序，所述处理气体含有含氟气体及CxHyClz(x及y为0以上的整数，满足x+y≥1，z为1以上的整数)气体。
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公开(公告)号：CN114551235A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111359218.2
申请日：2021-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 一种方法，包括：将基材提供在基材加工设备的加工腔室中，该基材具有包含氧化硅膜的第一区域和包含除了氧化硅膜之外的膜的第二区域；将氟化氢吸附在基材上；以及将具有吸收的氟化氢的基材暴露于由惰性气体生成的等离子体，以相对于第二区域选择性地蚀刻第一区域。
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公开(公告)号：CN117855088A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311287847.8
申请日：2023-10-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 提供抑制蚀刻的形状异常的技术。本公开涉及的等离子体处理系统具备具有第一基板支持部的第一处理腔室、具有第二基板支持部且与第一处理腔室不同的第二处理腔室、与第一处理腔室以及第二处理腔室连接且具有搬运装置的搬运腔室和控制部，控制部执行如下处理：(a)将基板配置在第一处理腔室的第一基板支持部上，其具备具有凹部的含硅膜和含硅膜上的掩模，掩模具有露出凹部的开口；(b)在第一处理腔室内，在规定凹部的含硅膜的侧壁上形成含碳膜；(c)从第一处理腔室经由搬运腔室向第二处理腔室搬运基板，在第二基板支持部上配置基板；(d)在第二处理腔室内，使用由包含氟化氢气体的第一处理气体生成的等离子体蚀刻形成含碳膜的凹部的底部。
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公开(公告)号：CN117242551A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202180097682.0
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，同时蚀刻具有含硅膜的多层膜以及单层膜。本发明的蚀刻方法包括：准备工序，准备具有第一区域以及第二区域的基板，该基板具有在所述第一区域中层叠了两种以上含硅膜的多层膜以及在所述第二区域中由一种含硅膜形成的单层膜；以及同时蚀刻所述多层膜以及所述单层膜的蚀刻工序，在所述蚀刻工序中，通过由含有氟化氢气体、含磷气体以及含碳气体的处理气体生成的等离子体同时蚀刻所述多层膜以及所述单层膜，在所述多层膜形成具有第一宽度的第一凹部，在所述单层膜形成具有比所述第一宽度宽的第二宽度的第二凹部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116895564A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310339939.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含(a)向腔室内的基板支持部上提供基板的工序，基板具有第一含硅膜和至少包含与第一含硅膜不同的膜种类的含硅膜的第二含硅膜；(b)向腔室内供给包含HF气体以及含磷气体的处理气体的工序；以及(c)通过源射频信号在腔室内由处理气体生成等离子体并且通过偏置信号在基板上发生偏置电位，从而蚀刻第一含硅膜以及第二含硅膜的工序，在(c)的工序中，交替地重复(c1)供给源射频信号以及偏置信号的工序；以及(c2)停止源射频信号以及偏置信号的至少一个的供给或以比(c1)的工序中的至少一个功率的有效值低的功率的有效值供给源射频信号以及偏置信号的至少一个的工序。
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公开(公告)号：CN116072539A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211310944.X
申请日：2022-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/033 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。提供一种使蚀刻率提高的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括以下工序：工序(a)，向腔室内的基板支承部上提供具有层叠膜的基板，该层叠膜包括硅氧化膜和氮化硅膜；以及工序(b)，从包含CxFy气体(x和y是1以上的整数)与含磷气体中的至少任一种气体以及HF气体的处理气体生成等离子体来对层叠膜进行蚀刻，其中在工序(b)中，基板支承部被控制为温度在0℃以上且70℃以下，并且被供给10kW以上的偏压RF信号或4kV以上的偏压DC信号。
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公开(公告)号：CN116034454A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180054563.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包含工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模设置于含硅膜上。蚀刻方法还包含工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含氟化氢气体及含碳气体。在不包含稀有气体的处理气体中的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。或者，在处理气体中的除了稀有气体以外的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。
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公开(公告)号：CN112786441A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011216388.0
申请日：2020-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模含有碳。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含卤素元素及磷。在工序(b)中，在掩模的表面上形成碳与磷的键合。
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公开(公告)号：CN112133629A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010541013.5
申请日：2020-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。用等离子体来蚀刻膜的蚀刻方法包括准备基片的步骤、蚀刻步骤和修正步骤。准备基片的步骤，在该基片的第1膜之上形成有掩模。蚀刻步骤，用含Xe、Kr或Rn的第1气体的等离子体，以形成于第1膜的孔或者槽的高宽比成为30以上的方式蚀刻第1膜。修正步骤，用第2气体的等离子体来修正掩模的形状。根据本发明，能够改善掩模形状。
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