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公开(公告)号：CN118263120A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311746410.6
申请日：2023-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，抑制弧状弯曲。蚀刻方法包括：(a)工序，将具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板提供到腔室内的基板支承部上；(b)工序，对蚀刻对象膜进行蚀刻来形成凹部，在(b)工序中将腔室内的压力控制为第一压力，并且将基板支承部的温度控制为第一温度；以及(c)工序，使用从包含含金属气体的处理气体生成的等离子体来在凹部的侧壁的一部分形成含金属膜，在(c)工序中将腔室内的压力控制为比第一压力高的第二压力，并且将基板支承部的温度控制为第一温度以下的第二温度。
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公开(公告)号：CN118231243A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311689555.7
申请日：2023-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 在一示例性实施方式中，蚀刻方法包括如下工序：(a)准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有至少1个开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；及(b)使用由处理气体生成的等离子体，并经由至少1个开口对第2区域进行蚀刻的工序，所述处理气体含有含氟气体及CxHyClz(x及y为0以上的整数，满足x+y≥1，z为1以上的整数)气体。
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公开(公告)号：CN119301744A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380043992.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种在蚀刻中改善掩模选择比的技术。本公开所涉及的蚀刻方法包括：工序(a)，准备包括含硅膜和含硅膜上的掩模的基板，掩模包括开口图案；工序(b)，在掩模上形成含金属膜；以及工序(c)，从包含氟化氢气体的第一处理气体生成等离子体来蚀刻含硅膜。
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公开(公告)号：CN116805579B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202310255900.X
申请日：2023-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序(b)包括：工序(b‑1)，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻；以及工序(b‑2)，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻，第二处理气体不包含含钨气体、或者以比第一处理气体中的含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体。
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公开(公告)号：CN114792626A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210055438.4
申请日：2022-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开提供一种基板处理方法、部件处理方法以及基板处理装置，能够去除存在于基板或部件的表面的物质。提供一种用于对配置在基板处理装置的腔室内的基板支承部上的基板进行处理的基板处理方法。该基板处理方法包括以下工序：工序(a)，向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；工序(b)，将基板支承部的温度控制为第一温度，并将腔室内的氟化氢气体的压力控制为第一压力；以及工序(c)，将基板支承部的温度控制为第二温度，并将腔室内的氟化氢气体的压力控制为第二压力。在横轴为温度且纵轴为压力的曲线图中，第一温度和第一压力位于比氟化氢的吸附平衡压曲线靠上的第一区域，第二温度和第二压力位于比吸附平衡压曲线靠下的第二区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118284956A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077733.8
申请日：2022-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，向腔室内的基板支承部上提供具有含碳膜和形成于含碳膜的含硅掩模的基板；工序(b)，向基板支承部供给制冷剂来控制基板支承部的温度；工序(c)，向腔室内供给处理气体；以及工序(d)，在进行着工序(b)的状态下，通过源RF信号在腔室内从处理气体生成等离子体，并且向基板支承部供给偏置信号，来蚀刻含碳膜。在工序(d)中，制冷剂被设定为使等离子体蚀刻时的基板或基板支承部表面的温度成为‑70℃以上且100℃以下，源RF信号为具有2kW以上的功率的RF信号，偏置信号为具有2kW以上的功率的RF偏置信号、或者包括2kV以上的电压脉冲的DC偏置信号。
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公开(公告)号：CN116072539A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211310944.X
申请日：2022-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/033 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。提供一种使蚀刻率提高的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括以下工序：工序(a)，向腔室内的基板支承部上提供具有层叠膜的基板，该层叠膜包括硅氧化膜和氮化硅膜；以及工序(b)，从包含CxFy气体(x和y是1以上的整数)与含磷气体中的至少任一种气体以及HF气体的处理气体生成等离子体来对层叠膜进行蚀刻，其中在工序(b)中，基板支承部被控制为温度在0℃以上且70℃以下，并且被供给10kW以上的偏压RF信号或4kV以上的偏压DC信号。
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公开(公告)号：CN118435328A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280084991.9
申请日：2022-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种蚀刻方法，包括：工序(a)，提供具备有机膜和有机膜上的掩模的基板；工序(b)，通过利用从包含含氧气体的第一处理气体生成的第一等离子体对有机膜进行蚀刻，来在有机膜形成凹部；以及工序(c)，在工序(b)之后，使凹部暴露在从包含含钨气体的第二处理气体生成的第二等离子体中。
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公开(公告)号：CN117457488A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310881491.4
申请日：2023-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够将附着于基板的沉积物去除。在一个例示性的实施方式中，蚀刻方法包括：工序(a)，提供具备基底膜和掩模的基板，所述掩模设置于基底膜上且具有开口；工序(b)，使用等离子体对基底膜进行蚀刻；以及工序(c)，在13.3Pa以上的压力下向基板供给氟化氢。
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公开(公告)号：CN116805579A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310255900.X
申请日：2023-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序(b)包括：工序(b‑1)，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻；以及工序(b‑2)，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻，第二处理气体不包含含钨气体、或者以比第一处理气体中的含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体。
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