公开(公告)号：CN118263120A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311746410.6

申请日：2023-12-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 向山广记 ,  泽野拓哉

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，抑制弧状弯曲。蚀刻方法包括：(a)工序，将具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板提供到腔室内的基板支承部上；(b)工序，对蚀刻对象膜进行蚀刻来形成凹部，在(b)工序中将腔室内的压力控制为第一压力，并且将基板支承部的温度控制为第一温度；以及(c)工序，使用从包含含金属气体的处理气体生成的等离子体来在凹部的侧壁的一部分形成含金属膜，在(c)工序中将腔室内的压力控制为比第一压力高的第二压力，并且将基板支承部的温度控制为第一温度以下的第二温度。

公开(公告)号：CN119698688A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380059416.8

申请日：2023-08-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽野拓哉 ,  山口雅仁 ,  户村幕树 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种对具有不同的开口尺寸的区域进行蚀刻的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，该蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，在腔室内的基板支承部上准备具有含硅膜和掩模的基板，该含硅膜具有第一凹部以及开口尺寸比第一凹部的开口尺寸小的第二凹部，该掩模设置在含硅膜上且具有使第一凹部和第二凹部露出的开口；工序(b)，在腔室内，使用从第一处理气体生成的等离子体至少在第一凹部形成沉积膜，第一处理气体包含从由C3F6气体、C4F6气体、C4F8气体、异丙醇(IPA)气体、C3H2F4气体以及C4H2F6气体构成的组中选择的至少一种气体；以及工序(c)，在腔室内，使用从第二处理气体生成的等离子体在第一凹部和第二凹部中对含硅膜进行蚀刻，其中，在工序(b)中，基板支承部的温度被设定为0℃以下，并且腔室内的压力比工序(c)中的腔室内的压力高。