公开(公告)号：CN116013778A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211254104.6

申请日：2022-10-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥圭惠 ,  户村幕树 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。等离子体处理方法在具有腔室的等离子体处理装置中执行。该方法包括以下工序：工序(a)，将具有包括硅氧化膜和氮化硅膜的蚀刻对象膜以及在蚀刻对象膜上规定出开口的掩模膜的基板提供到腔室内的基板支承部上；工序(b)，从包含HF气体、CxFy气体(x和y为1以上的整数)或CsHtFu气体(s、t以及u为1以上的整数)、以及含氧气体的第一处理气体生成等离子体，来对氮化硅膜进行蚀刻；以及工序(c)，从包含HF气体、CvFw气体(v和w为1以上的整数)、以及含氧气体的第二处理气体生成等离子体，来对硅氧化膜进行蚀刻，其中，在工序(b)和工序(c)中，基板支承部的温度被设定为0℃以下。

公开(公告)号：CN116230523A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211487516.4

申请日：2022-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  高桥圭惠 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  C09K13/00

Abstract: 本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。用于抑制蚀刻的形状异常。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括以下工序：工序(a)，将具有含硅膜和含硅膜上的掩模膜的基板提供到腔室内的基板支承部上；工序(b)，向腔室内供给包含含钨气体和氟化氢气体的处理气体，氟化氢气体以比含钨气体的流量多的流量供给到腔室内；以及工序(c)，从处理气体生成等离子体，来对含硅膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN116034454A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180054563.7

申请日：2021-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  大类贵俊 ,  高桥圭惠 ,  须田隆太郎 ,  大内田聪 ,  若生悠辅 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包含工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模设置于含硅膜上。蚀刻方法还包含工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含氟化氢气体及含碳气体。在不包含稀有气体的处理气体中的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。或者，在处理气体中的除了稀有气体以外的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。