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公开(公告)号：CN105624646A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510844234.9
申请日：2015-11-26
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , F16K11/02 , F16K7/17
CPC classification number: F16K7/17 , B08B9/0328 , F16K7/123 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K7/20 , F16K27/003 , F16K27/0236 , Y10T137/87249 , Y10T137/87788 , Y10T137/87877 , Y10T137/87885 , Y10T137/87917 , C23C16/45561 , C23C16/455 , F16K11/022 , H01J37/32449
Abstract: 本发明涉及借助可再入流路径的阀歧管盲管消除。用于衬底处理系统的气体输送系统包括第一和第二阀、第一气体通道以及圆筒。第一阀包括第一入口和第一出口。第一出口与衬底处理系统的处理室流体连通。第二阀包括第二入口和第二出口。圆筒限定具有第一端和第二端的第二气体通道。圆筒被至少部分地布置在第一气体通道内使得所述圆筒和所述第一气体通道共同限定流通道。所述流通道与第二气体通道的第一端以及与第一入口流体连通。第三气体通道与第二气体通道的第二端以及与第二入口流体连通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108642474B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810478814.4
申请日：2015-09-14
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/54 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种用于在基片上沉积膜的基片处理系统，包括：处理室，其限定反应体积并包括用于支撑所述基片的基片支撑件；气体输送系统，其被配置为将处理气体引入所述处理室的所述反应体积；等离子体发生器，其被配置为有选择地生成在所述反应体积内的RF等离子体；夹紧系统，其被配置为在所述膜的沉积期间将所述基片夹紧到所述基片支撑件上；背面净化系统，其被配置为在所述膜的沉积期间以及所述RF等离子体在所述反应体积内的生成期间，将反应气体而不是惰性气体作为净化气体供应到所述基片的背面边缘，以净化所述背面边缘。
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公开(公告)号：CN105420685B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510582177.1
申请日：2015-09-14
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/54 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45597 , C23C16/4585 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/00 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02186 , H01L21/02274
Abstract: 用于在基片上沉积膜的基片处理系统包括限定了反应体积并包括用于支撑基片的基片支撑件的处理室。气体输送系统被配置为将处理气体引入处理室的反应体积。等离子体发生器被配置为有选择地生成在反应体积内的RF等离子体。夹紧系统被配置为在膜的沉积期间将基片夹紧到基片支撑件上。背面净化系统被配置为在膜的沉积期间将反应气体供应到基片的背面边缘，以净化背面边缘。
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公开(公告)号：CN108642474A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810478814.4
申请日：2015-09-14
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/54 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种用于在基片上沉积膜的基片处理系统，包括：处理室，其限定反应体积并包括用于支撑所述基片的基片支撑件；气体输送系统，其被配置为将处理气体引入所述处理室的所述反应体积；等离子体发生器，其被配置为有选择地生成在所述反应体积内的RF等离子体；夹紧系统，其被配置为在所述膜的沉积期间将所述基片夹紧到所述基片支撑件上；背面净化系统，其被配置为在所述膜的沉积期间以及所述RF等离子体在所述反应体积内的生成期间，将反应气体而不是惰性气体作为净化气体供应到所述基片的背面边缘，以净化所述背面边缘。
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公开(公告)号：CN105624646B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510844234.9
申请日：2015-11-26
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , F16K11/02 , F16K7/17
Abstract: 本发明涉及借助可再入流路径的阀歧管盲管消除。用于衬底处理系统的气体输送系统包括第一和第二阀、第一气体通道以及圆筒。第一阀包括第一入口和第一出口。第一出口与衬底处理系统的处理室流体连通。第二阀包括第二入口和第二出口。圆筒限定具有第一端和第二端的第二气体通道。圆筒被至少部分地布置在第一气体通道内使得所述圆筒和所述第一气体通道共同限定流通道。所述流通道与第二气体通道的第一端以及与第一入口流体连通。第三气体通道与第二气体通道的第二端以及与第二入口流体连通。
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公开(公告)号：CN105420685A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510582177.1
申请日：2015-09-14
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/54 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45597 , C23C16/4585 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/00 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02186 , H01L21/02274
Abstract: 用于在基片上沉积膜的基片处理系统包括限定了反应体积并包括用于支撑基片的基片支撑件的处理室。气体输送系统被配置为将处理气体引入处理室的反应体积。等离子体发生器被配置为有选择地生成在反应体积内的RF等离子体。夹紧系统被配置为在膜的沉积期间将基片夹紧到基片支撑件上。背面净化系统被配置为在膜的沉积期间将反应气体供应到基片的背面边缘，以净化背面边缘。
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