-
公开(公告)号：CN107863307B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201710822517.2
申请日：2017-09-13
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 安东尼奥·泽维尔 , 史蒂文·戈扎 , 拉梅什·钱德拉赛卡兰 , 阿德里安·拉瓦伊 , 约瑟夫·内史密斯
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了用于减少在抽吸排气系统中流出物积聚的系统和方法，一种用于减少衬底处理系统的抽吸排气系统中的流出物积聚的方法包括：在衬底处理工艺期间，将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上；将一种或多种处理气体供给至所述处理室；将惰性稀释气体以第一流率供给到所述抽吸排气系统；在所述处理室中对所述衬底进行所述衬底处理工艺；使用所述抽吸排气系统从所述处理室排出反应物。所述方法包括：在所述衬底处理工艺后，在清洁工艺期间在所述处理室中供给包括清洁气体的清洁等离子体；以及在所述清洁工艺期间将所述惰性稀释气体以比所述第一流率小的第二流率供给到所述抽吸排气系统。
-
公开(公告)号：CN115584488A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211279416.2
申请日：2017-06-19
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统。公开了一种沉积膜的方法和系统。所述方法可以包括：(a)确定用于在所述室内进行膜沉积的工艺条件，所述工艺条件包括在所述室内围绕每个站的周边流动的帘式气体的流动条件，(b)根据(a)中确定的所述工艺条件，在膜沉积期间，使所述帘式气体流到所述室内的每个站，(c)在(b)期间或之后，确定所述室内的所述帘式气体的经调节的流动条件，以改善衬底的不均匀性；以及(d)在(c)之后，根据(c)中确定的所述经调节的流动条件，在膜沉积期间，使所述帘式气体流动。所述系统可以包括气体输送系统、处理室以及具有用于执行(a)‑(d)中的一项或多项的控制逻辑的控制器。
-
公开(公告)号：CN113841224A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202080036231.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/225 , H01L21/04 , H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 提供一种将衬底掺杂的方法。在该衬底的表面形成氧化硅扩散阻挡层。至少一掺杂剂层被沉积在氧化硅扩散阻挡层上。在至少一层的掺杂剂层上沉积帽盖层以形成衬底、氧化硅扩散阻挡层、至少一层掺杂剂层和帽盖层的堆叠件。退火该堆叠件。移除帽盖层、至少一层掺杂剂层以及氧化硅扩散阻挡层。
-
公开(公告)号：CN106947958B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201611177342.6
申请日：2016-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/513 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及一种用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法。用于化学沉积装置的处理调整套件，其中处理调整套件包括承载环、马蹄形物和垫片。马蹄形物具有相同的尺寸，并且垫片设置成具有不同厚度的组以控制马蹄形物相对于上面安装有马蹄形物和垫片的基座组件的上表面的高度。通过放置在马蹄形物上的承载环将半导体衬底输送到化学沉积装置的真空室中，使得最小接触面积支撑件从承载环提升衬底并且相对于基座组件的上表面以预定的偏移量支撑衬底。在衬底的处理期间，可以通过使用期望厚度的垫片来控制预定偏移量来减少背侧沉积。
-
公开(公告)号：CN107452616B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201710324620.4
申请日：2017-05-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法。公开了用于在晶片上启用等离子体的膜沉积的系统和方法，其中使用多个频率的射频信号产生等离子体并且其中控制在多个频率的射频信号之间的相位角关系。在该系统中，提供了基座以支撑晶片。等离子体产生区域形成在所述基座上方。电极邻近所述等离子体产生区域设置，以使得射频信号能传输到所述等离子体产生区域中。射频电源向所述电极提供不同频率的多个射频信号。所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且所述不同频率中的大于所述基本频率的每个频率是所述基本频率的偶次谐波。所述射频电源对所述多个射频信号中的每一个之间的相位角关系提供可变控制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105316653B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510308675.7
申请日：2015-06-05
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/513
Abstract: 本发明涉及用RF等离子体循环和清洗去除处理室颗粒的系统和方法。操作衬底处理系统的系统和方法包括在处理室内处理放置在衬底支撑件上的衬底。在处理期间供应前体气体和/或反应气体中的至少一种。从处理室移除衬底。选择性地供应运载气体和清洗气体到处理室。在N个循环期间在处理室内生成RF等离子体，其中N是大于1的整数。在N个循环中的每个循环期间，RF等离子体开通持续第一时间段并且关闭持续第二时间段。在N个循环中的每个循环的至少部分期间供应清洗气体。
-
公开(公告)号：CN107452616A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710324620.4
申请日：2017-05-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法。公开了用于在晶片上启用等离子体的膜沉积的系统和方法，其中使用多个频率的射频信号产生等离子体并且其中控制在多个频率的射频信号之间的相位角关系。在该系统中，提供了基座以支撑晶片。等离子体产生区域形成在所述基座上方。电极邻近所述等离子体产生区域设置，以使得射频信号能传输到所述等离子体产生区域中。射频电源向所述电极提供不同频率的多个射频信号。所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且所述不同频率中的大于所述基本频率的每个频率是所述基本频率的偶次谐波。所述射频电源对所述多个射频信号中的每一个之间的相位角关系提供可变控制。
-
公开(公告)号：CN107039255A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611012304.5
申请日：2016-11-17
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 崎山幸则 , 伊斯达克·卡里姆 , 亚思万斯·兰吉内尼 , 阿德里安·拉瓦伊 , 拉梅什·钱德拉赛卡哈伦 , 爱德华·奥古斯蒂尼克 , 道格拉斯·凯尔
IPC: H01L21/268 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及通过电测量检测等离子体不稳定性的系统和方法。晶片放置在电极下方的晶片支撑装置上，使得在晶片和电极之间存在等离子体产生区域。向电极供应射频功率以在等离子体处理操作的多个连续的等离子体处理循环期间在等离子体产生区域内产生等离子体。连接到电极的至少一个电传感器在多个连续的等离子体处理循环中的每一个期间测量电极上的射频参数。针对多个连续的等离子体处理循环中的每一个确定在电极上测得的射频参数的值。确定在多个连续的等离子体处理循环期间在电极上测得的射频参数的值中是否存在任何指示性趋势或变化，其中指示性趋势或变化指示在等离子体处理操作期间等离子体不稳定性的形成。
-
公开(公告)号：CN105624646A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510844234.9
申请日：2015-11-26
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , F16K11/02 , F16K7/17
CPC classification number: F16K7/17 , B08B9/0328 , F16K7/123 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K7/20 , F16K27/003 , F16K27/0236 , Y10T137/87249 , Y10T137/87788 , Y10T137/87877 , Y10T137/87885 , Y10T137/87917 , C23C16/45561 , C23C16/455 , F16K11/022 , H01J37/32449
Abstract: 本发明涉及借助可再入流路径的阀歧管盲管消除。用于衬底处理系统的气体输送系统包括第一和第二阀、第一气体通道以及圆筒。第一阀包括第一入口和第一出口。第一出口与衬底处理系统的处理室流体连通。第二阀包括第二入口和第二出口。圆筒限定具有第一端和第二端的第二气体通道。圆筒被至少部分地布置在第一气体通道内使得所述圆筒和所述第一气体通道共同限定流通道。所述流通道与第二气体通道的第一端以及与第一入口流体连通。第三气体通道与第二气体通道的第二端以及与第二入口流体连通。
-
公开(公告)号：CN105321792A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510299311.7
申请日：2015-06-03
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45538 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/32082 , H01J37/32155 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01J37/32935 , H01J2237/3321 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及利用RF平衡的多站式等离子体反应器。公开了用于利用RF功率频率调谐的多站式半导体沉积操作的方法和装置。RF功率的频率可根据在半导体沉积操作期间所测得的等离子体的阻抗来调谐。在所述方法和装置的某些实施方案中，RF功率参数可以在沉积操作期间或之前进行调节。半导体沉积操作的某些其他实施方案可以包括利用相应的不同配方的多个不同的沉积工艺。配方可以包括用于每个相应的配方的不同的RF功率参数。相应的配方可以在每个沉积工艺前调节RF功率参数。RF功率频率调谐可以在每个沉积工艺期间被使用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
79
records
(took 0.03 seconds)
