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公开(公告)号：CN110062816B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201780076693.4
申请日：2017-10-11
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件。基座组件包括能移动地安装在主框架上的基座。升降垫搁置在所述基座的基座顶表面上并与所述基座组件一起移动。升高机构将所述升降垫与所述基座分离，并且包括：固定在主框架上的硬止动件；附接在所述基座组件上的辊；能移动地附接到所述基座组件上的滑动件；互连到所述滑动件上并且互连到从所述升降垫延伸的垫轴上的升降垫支架；和能旋转地附接到所述升降垫支架上的杆。所述杆当不与所述上硬止动件接合时，搁置在所述辊上。当所述基座组件向上移动时，所述杆在与所述上硬止动件和辊接合时绕销旋转，并将所述升降垫与所述基座顶表面分离处理旋转位移。
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公开(公告)号：CN107093547A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710083138.6
申请日：2017-02-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 卡尔·F·利泽
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及用于半导体制造的陶瓷基座的公共端子加热器。提供用有多个加热区且用两个电源之间共享的公共端子控制加热区的反应器处理衬底的系统和方法。反应器包括支撑衬底的加热器组件和供应工艺气体到反应器中的喷头。内和外加热器集成在加热器组件中。内电源具有连接到内加热器的第一端的正极端子和连接到内加热器的耦合到公共端子的第二端的负极端子。外电源具有连接到外加热器的第一端的正极端子和连接到外加热器的耦合到公共端子的第二端的负极端子。公共端子加热器模块配置为接收靠近内加热器的测量温度。接收期望温度设置并处理伺服控制规则以识别内电源的内电压的直接控制设置和外电源的外电压的开环控制设置。外电压定义为内电压的比率。
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公开(公告)号：CN105321792A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510299311.7
申请日：2015-06-03
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45538 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/32082 , H01J37/32155 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01J37/32935 , H01J2237/3321 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及利用RF平衡的多站式等离子体反应器。公开了用于利用RF功率频率调谐的多站式半导体沉积操作的方法和装置。RF功率的频率可根据在半导体沉积操作期间所测得的等离子体的阻抗来调谐。在所述方法和装置的某些实施方案中，RF功率参数可以在沉积操作期间或之前进行调节。半导体沉积操作的某些其他实施方案可以包括利用相应的不同配方的多个不同的沉积工艺。配方可以包括用于每个相应的配方的不同的RF功率参数。相应的配方可以在每个沉积工艺前调节RF功率参数。RF功率频率调谐可以在每个沉积工艺期间被使用。
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公开(公告)号：CN114121769A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110945833.5
申请日：2017-10-11
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件。基座组件包括能移动地安装在主框架上的基座。升降垫搁置在所述基座的基座顶表面上并与所述基座组件一起移动。升高机构将所述升降垫与所述基座分离，并且包括：固定在主框架上的硬止动件；附接在所述基座组件上的辊；能移动地附接到所述基座组件上的滑动件；互连到所述滑动件上并且互连到从所述升降垫延伸的垫轴上的升降垫支架；和能旋转地附接到所述升降垫支架上的杆。所述杆当不与所述上硬止动件接合时，搁置在所述辊上。当所述基座组件向上移动时，所述杆在与所述上硬止动件和辊接合时绕销旋转，并将所述升降垫与所述基座顶表面分离处理旋转位移。
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公开(公告)号：CN108461376B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810241339.9
申请日：2015-06-03
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及利用RF平衡的多站式等离子体反应器。公开了用于利用RF功率频率调谐的多站式半导体沉积操作的方法和装置。RF功率的频率可根据在半导体沉积操作期间所测得的等离子体的阻抗来调谐。在所述方法和装置的某些实施方案中，RF功率参数可以在沉积操作期间或之前进行调节。半导体沉积操作的某些其他实施方案可以包括利用相应的不同配方的多个不同的沉积工艺。配方可以包括用于每个相应的配方的不同的RF功率参数。相应的配方可以在每个沉积工艺前调节RF功率参数。RF功率频率调谐可以在每个沉积工艺期间被使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111566796B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201980007800.7
申请日：2019-01-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 提供旋转分度器，所述旋转分度器可以旋转以在以圆形阵列布置的各种站之间移动半导体晶片或其他物品；在这种移动过程中，被移动的物品可以由所述分度器的臂支撑。所述旋转分度器可被进一步配置为还使被移动的所述物品围绕其他旋转轴旋转，以引起所述物品相对于支撑它们的所述臂的旋转。
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公开(公告)号：CN107093547B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201710083138.6
申请日：2017-02-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 卡尔·F·利泽
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及用于半导体制造的陶瓷基座的公共端子加热器。提供用有多个加热区且用两个电源之间共享的公共端子控制加热区的反应器处理衬底的系统和方法。反应器包括支撑衬底的加热器组件和供应工艺气体到反应器中的喷头。内和外加热器集成在加热器组件中。内电源具有连接到内加热器的第一端的正极端子和连接到内加热器的耦合到公共端子的第二端的负极端子。外电源具有连接到外加热器的第一端的正极端子和连接到外加热器的耦合到公共端子的第二端的负极端子。公共端子加热器模块配置为接收靠近内加热器的测量温度。接收期望温度设置并处理伺服控制规则以识别内电源的内电压的直接控制设置和外电源的外电压的开环控制设置。外电压定义为内电压的比率。
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公开(公告)号：CN110062816A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201780076693.4
申请日：2017-10-11
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件。基座组件包括能移动地安装在主框架上的基座。升降垫搁置在所述基座的基座顶表面上并与所述基座组件一起移动。升高机构将所述升降垫与所述基座分离，并且包括：固定在主框架上的硬止动件；附接在所述基座组件上的辊；能移动地附接到所述基座组件上的滑动件；互连到所述滑动件上并且互连到从所述升降垫延伸的垫轴上的升降垫支架；和能旋转地附接到所述升降垫支架上的杆。所述杆当不与所述上硬止动件接合时，搁置在所述辊上。当所述基座组件向上移动时，所述杆在与所述上硬止动件和辊接合时绕销旋转，并将所述升降垫与所述基座顶表面分离处理旋转位移。
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公开(公告)号：CN111566796A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201980007800.7
申请日：2019-01-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 提供旋转分度器，所述旋转分度器可以旋转以在以圆形阵列布置的各种站之间移动半导体晶片或其他物品；在这种移动过程中，被移动的物品可以由所述分度器的臂支撑。所述旋转分度器可被进一步配置为还使被移动的所述物品围绕其他旋转轴旋转，以引起所述物品相对于支撑它们的所述臂的旋转。
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公开(公告)号：CN108461376A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810241339.9
申请日：2015-06-03
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及利用RF平衡的多站式等离子体反应器。公开了用于利用RF功率频率调谐的多站式半导体沉积操作的方法和装置。RF功率的频率可根据在半导体沉积操作期间所测得的等离子体的阻抗来调谐。在所述方法和装置的某些实施方案中，RF功率参数可以在沉积操作期间或之前进行调节。半导体沉积操作的某些其他实施方案可以包括利用相应的不同配方的多个不同的沉积工艺。配方可以包括用于每个相应的配方的不同的RF功率参数。相应的配方可以在每个沉积工艺前调节RF功率参数。RF功率频率调谐可以在每个沉积工艺期间被使用。
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