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公开(公告)号：CN113846314A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110916287.2
申请日：2017-09-05
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , H01L21/02 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 一种组件在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用并且包括从中心轴延伸的基座。致动器配置用于控制基座的运动。中心轴在致动器和基座之间延伸，中心轴配置成沿着中心轴线移动基座。升降垫被配置为搁置在基座上并且具有垫顶表面，该垫顶表面被配置为支撑放置在其上的晶片。垫轴在致动器和升降垫之间延伸并控制升降垫的运动。垫轴定位在中心轴内，并且被配置成当基座处于向上位置时将升降垫与基座顶表面分离处理旋转位移。垫轴配置成在第一和第二角度方位之间相对于基座顶表面旋转。
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公开(公告)号：CN112585738A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980052766.5
申请日：2019-08-05
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 伊斯瓦·斯里尼瓦桑
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于衬底处理系统的加热部件的加热器控制系统包含N个加热器区域，其中N为大于零的整数。所述N个加热器区域中的每一个加热所述衬底处理系统的部件，并且包含电阻式加热器以及温度传感器，该温度传感器用于感测所述N个加热器区域中的对应的加热器区域的局部温度。控制器被配置成：基于所述N个加热器区域中的每一个中的所述电阻式加热器的电阻，确定所述N个加热器区域中的每一个的平均温度。所述控制器基于所述N个加热器区域中的每一个的所述平均温度与所述局部温度控制所述电阻式加热器。
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公开(公告)号：CN110062816A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201780076693.4
申请日：2017-10-11
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件。基座组件包括能移动地安装在主框架上的基座。升降垫搁置在所述基座的基座顶表面上并与所述基座组件一起移动。升高机构将所述升降垫与所述基座分离，并且包括：固定在主框架上的硬止动件；附接在所述基座组件上的辊；能移动地附接到所述基座组件上的滑动件；互连到所述滑动件上并且互连到从所述升降垫延伸的垫轴上的升降垫支架；和能旋转地附接到所述升降垫支架上的杆。所述杆当不与所述上硬止动件接合时，搁置在所述辊上。当所述基座组件向上移动时，所述杆在与所述上硬止动件和辊接合时绕销旋转，并将所述升降垫与所述基座顶表面分离处理旋转位移。
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公开(公告)号：CN118355473A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080114.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿维尼什·古普塔 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 乔恩·亨利 , 奥克萨娜·萨夫恰克 , 韦逢艳 , 伊斯瓦·斯里尼瓦桑 , 达斯汀·扎卡里·奥斯丁
IPC: H01L21/02 , C23C16/36 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本公开内容涉及用于提供硅氮化物膜的方法。特别地，膜可以是碳掺杂的硅氮化物膜。方法可包括沉积掺杂的硅氮化物，然后等离子体处理掺杂的硅氮化物以提供保形膜。
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公开(公告)号：CN114121769A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110945833.5
申请日：2017-10-11
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件。基座组件包括能移动地安装在主框架上的基座。升降垫搁置在所述基座的基座顶表面上并与所述基座组件一起移动。升高机构将所述升降垫与所述基座分离，并且包括：固定在主框架上的硬止动件；附接在所述基座组件上的辊；能移动地附接到所述基座组件上的滑动件；互连到所述滑动件上并且互连到从所述升降垫延伸的垫轴上的升降垫支架；和能旋转地附接到所述升降垫支架上的杆。所述杆当不与所述上硬止动件接合时，搁置在所述辊上。当所述基座组件向上移动时，所述杆在与所述上硬止动件和辊接合时绕销旋转，并将所述升降垫与所述基座顶表面分离处理旋转位移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110062818A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201780076683.0
申请日：2017-09-05
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/455 , H01L21/68 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 一种组件在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用并且包括从中心轴延伸的基座。致动器配置用于控制基座的运动。中心轴在致动器和基座之间延伸，中心轴配置成沿着中心轴线移动基座。升降垫被配置为搁置在基座上并且具有垫顶表面，该垫顶表面被配置为支撑放置在其上的晶片。垫轴在致动器和升降垫之间延伸并控制升降垫的运动。垫轴定位在中心轴内，并且被配置成当基座处于向上位置时将升降垫与基座顶表面分离处理旋转位移。垫轴配置成在第一和第二角度方位之间相对于基座顶表面旋转。
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公开(公告)号：CN119604963A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380055312.X
申请日：2023-05-24
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿维尼什·古普塔 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 乔恩·亨利 , 奥克萨娜·萨夫恰克 , 韦逢艳 , 伊斯瓦·斯里尼瓦桑 , 亚伦·布莱克·米勒 , 达斯汀·扎卡里·奥斯丁
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 提供了使用混合式原子层沉积技术来沉积氮化硅的方法和装置。提供使用无卤素氨基硅烷前体在处理室中形成无卤素底涂层的方法和装置。本文提供使用单晶片室形成氮氧化硅的方法和装置。方法和装置还包括使用循环沉积和原位氮化和/或氧化技术形成渐变氮氧化硅。
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公开(公告)号：CN118140009A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280064790.2
申请日：2022-09-15
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 亚伦·布莱克·米勒 , 亚伦·德宾 , 乔恩·亨利 , 伊斯瓦·斯里尼瓦桑 , 布兰得利·泰勒·施特伦 , 阿维尼什·古普塔 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 韦逢艳 , 诺亚·埃利奥特·贝克
IPC: C23C16/509 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/46 , C23C16/52
Abstract: 一种具有静电卡盘的远程等离子体处理装置可通过原子层沉积或化学气相沉积而在半导体衬底上沉积膜。远程等离子体处理装置可包括远程等离子体源，以及位于远程等离子体源下游的反应室。RF功率源可被配置成向远程等离子体源施加高RF功率，而加热元件可被配置成向静电卡盘施加高温。可使用松开例程将半导体衬底从静电卡盘松开，其中该松开例程交替进行极性的反转和夹持电压的降低。在一些实施方案中，可将氮气、氨气和氢气的混合物使用作为远程等离子体生成的源气体，以通过原子层沉积而保形沉积氮化硅膜。
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公开(公告)号：CN117981070A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280064267.X
申请日：2022-07-19
Inventor： 阿西什·帕尔巴塔尼 , 巴特·J·范施拉文迪克 , 巴德里·N·瓦拉达拉简 , 耶瓦·纳克维丘特 , 伊斯瓦·斯里尼瓦桑 , 卡希什·沙玛 , 伦道夫·科纳尔 , 斯蒂芬·施米茨 , 维纳亚克·拉玛南 , 野上武 , 阮松万 , 黄淮 , 浩沙杜尔迦·K·萨布哈 , 李俊涛 , 科尼利厄斯·布朗·佩瑟拉 , 丹尼尔·C·艾德斯坦
IPC: H01L21/768 , C23C16/26 , C23C16/452 , H01L21/02 , H01L21/32
Abstract: 提供了一种用于在处理后端衬底中的双镶嵌结构的铜互连件上的钴覆盖体上选择性沉积石墨烯的方法。该方法包括提供包括第一介电层、第一介电层中的铜互连件、以及铜互连件上的钴覆盖体的半导体衬底，该钴覆盖体具有暴露的金属表面，其中暴露的金属表面包括钴，以及在暴露的金属表面上选择性地沉积碳层。
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