公开(公告)号：CN112753097B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201980062821.9

申请日：2019-09-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于加热衬底处理系统的部件的系统包含控制器和多个加热器，所述多个加热器被设置于沿流体流动路径的多个位置处，所述流体流动路径从流体源至所述衬底处理系统中的目的地。所述控制器被配置成：将所述多个加热器分组为多个加热器群组。每个加热器群组包含所述多个加热器中的至少一者。所述控制器还被配置成：确定待在所述多个加热器群组之间维持的温度梯度。所述控制器还被配置成：从所述多个加热器群组中选择加热器群组；并且控制供应至所选择的所述加热器群组的功率，以在所述多个加热器群组之间维持所述温度梯度。

公开(公告)号：CN118098919A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410031549.0

申请日：2020-05-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  布莱恩·威廉姆斯 ,  弗朗西斯科·J·华雷斯 ,  雷切尔·E·巴策尔 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  理查德·菲利普斯 ,  杨诺亚 ,  约瑟夫·L·沃马克 ,  李明 ,  钱俊 ,  洪图 ,  斯凯·穆勒诺

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

Abstract: 本文提供了用于独立调整流路传导性的方法及装置。一种多站处理装置可以包括：处理室；位于所述处理室中的多个处理站，其各自包括具有进气口的喷头；以及气体输送系统，其包括接合点和多个流路，其中每一流路：包括流量元件，包括温度控制单元，其与所述流量元件热连接，且其是能控制的以改变所述流量元件的温度，以及将处理站的一个对应进气口流体连接至所述接合点，使得所述多个处理站中的每一处理站通过不同流路流体连接至所述接合点。

公开(公告)号：CN117210798A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310929608.1

申请日：2017-09-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 詹姆斯·S·思姆斯 ,  乔恩·亨利 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 一种在等离子体增强原子层沉积(PEALD)反应室的微体积中处理的半导体衬底上沉积氮化硅膜的方法，其中单个半导体衬底被支撑在基座的陶瓷表面上并且将工艺气体通过喷头的陶瓷表面中的气体出口引入所述半导体衬底上方的反应区中，所述方法包括：(a)用氟等离子体清洁所述基座和所述喷头的所述陶瓷表面，(b)在所述陶瓷表面上沉积不含卤化物的原子层沉积(ALD)氧化物底涂层，(c)在所述不含卤化物的ALD氧化物底涂层上沉积ALD氮化硅预涂层，以及(d)通过将每个半导体衬底转移到所述反应室中并在被支撑在所述基座的所述陶瓷表面上的所述半导体衬底上沉积ALD氮化硅膜来处理成批的半导体衬底。

公开(公告)号：CN112753097A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980062821.9

申请日：2019-09-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于加热衬底处理系统的部件的系统包含控制器和多个加热器，所述多个加热器被设置于沿流体流动路径的多个位置处，所述流体流动路径从流体源至所述衬底处理系统中的目的地。所述控制器被配置成：将所述多个加热器分组为多个加热器群组。每个加热器群组包含所述多个加热器中的至少一者。所述控制器还被配置成：确定待在所述多个加热器群组之间维持的温度梯度。所述控制器还被配置成：从所述多个加热器群组中选择加热器群组；并且控制供应至所选择的所述加热器群组的功率，以在所述多个加热器群组之间维持所述温度梯度。

公开(公告)号：CN107699869A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710673939.8

申请日：2017-08-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  亚伦·R·费利斯 ,  安德鲁·约翰·迈凯洛 ,  詹姆斯·塞缪尔·西姆斯 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  乔恩·亨利

IPC: C23C16/52

Abstract: 本发明涉及通过在整个沉积过程中改变晶片温度来抑制界面反应。公开了用于在多站沉积装置中沉积膜的方法和装置以及系统。所述方法可以包括：(a)向所述装置的第一站提供衬底，(b)将所述衬底的温度调节至第一温度，(c)当所述衬底在所述第一站中处于所述第一温度下时，将材料的第一部分沉积在所述衬底上，(d)将所述衬底传送到第二站，(e)将所述衬底的温度调节至第二温度，和(f)当所述衬底处于所述第二温度下时，将所述材料的第二部分沉积在所述衬底上，使得所述第一部分和所述第二部分表现出不同的材料属性值。所述装置和系统可以包括多站沉积装置以及具有用于执行(a)-(f)中的一个或多个的控制逻辑的控制器。

公开(公告)号：CN106169432A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610345105.X

申请日：2016-05-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阮途安 ,  伊什沃·兰加纳坦 ,  尚卡尔·斯瓦米纳坦 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  詹妮弗·L·彼得拉利亚

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及按需填充的安瓿再填充，公开了使用按需填充安瓿的方法和设备。所述按需填充安瓿可以在执行其它沉积工艺的同时用前体再填充安瓿。所述按需填充可以保持所述安瓿内的前体液位在较恒定的液位。可以计算所述液位以得到最佳头部体积。所述按需填充也可以保持所述前体在接近最佳前体温度的温度的温度。所述按需填充可以在由于用所述前体填充所述安瓿引起的所述前体的搅动最小地影响所述衬底沉积的所述沉积工艺的部分期间进行。通过使用按需填充可以提高衬底生产量。

公开(公告)号：CN113574634B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202080021649.5

申请日：2020-03-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉维·库马尔 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  迈克尔·菲利普·罗伯茨

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458

Abstract: 一种衬底处理系统包含处理室；包含多个加热器区域的衬底支撑件，其布置在所述处理室中；气体输送系统，其被配置成输送处理气体至所述处理室；以及控制器，其被配置成：与所述气体输送系统和所述多个加热器区域通信，在衬底布置在所述衬底支撑件上之后以及在所述衬底到达所述衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时温度时段期间，启动处理的第一处理步骤，以及基于在与所述第一处理步骤对应的时段期间针对所述多个加热器区域中的相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第一处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。

公开(公告)号：CN112005355B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN201980026700.9

申请日：2019-04-16

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  安东尼奥·泽维尔 ,  弗兰克·洛伦·帕斯夸里 ,  瑞安·布拉奎尔 ,  詹尼弗·利·佩特拉利亚 ,  米纳克斯·马穆努鲁

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种气体输送系统包括2通阀，其包括设置于第一端口和第二端口之间的第一阀。4通阀包括连接至第一端口和第二端口的第一节点。旁路路径设置于第三端口和第四端口之间。第二节点沿着所述旁路路径设置。第二阀设置于第一节点和第二节点之间。歧管块限定气体流通道，所述气体流通道：被配置以将所述4通阀的所述第一端口连接至第一入口，被配置以将所述4通阀的所述第二端口连接至所述2通阀的所述第一端口，将所述4通阀的所述第三端口连接至第二入口，将所述2通阀的所述第二端口连接至第一出口，以及将所述4通阀的所述第四端口连接至第二出口。

公开(公告)号：CN109906498B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201780064178.4

申请日：2017-09-29

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 威廉·T·李 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  大卫·查尔斯·史密斯 ,  迈克尔·达内克 ,  帕特里克·A·范克利蒙布特 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 在直接沉积具有很多层的OMOM叠层时，在单个工具中，甚至在单个工艺室中，高效集成顺序沉积电介质和导体的交替层，例如氧化物/金属或金属氮化物，例如SiO2/TiN的交替层提高了产量而不影响质量。可以实现在相同处理工具或室中至少20个导体/电介质膜对的叠层的导体和电介质膜沉积，而不破坏膜沉积之间的真空，使得导体和电介质膜沉积之间没有实质的交叉污染。

公开(公告)号：CN115917039A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180043625.4

申请日：2021-07-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  伊斯瓦·斯里尼瓦桑 ,  埃里卡·萨库拉·斯特兰德贝尔格·波尔 ,  安德鲁·波尔斯 ,  阿列克谢·V·阿尔特科

IPC: C23C16/448

Abstract: 本公开部分涉及用于控制在气体混合物内的组分的浓度。在特定实施方案中，该组分是汽化液体组分，例如汽化稳定剂或汽化前体。还描述了其系统及用于这种控制的方法。