公开(公告)号：CN112242345A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010909034.8

申请日：2018-02-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 帕特里克·A·范克利蒙布特 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  巴特·J·范施拉芬迪克

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及创建气隙的方法。氧化锡膜用于在半导体衬底处理期间产生气隙。可以使用在含H2工艺气体中形成的等离子体来选择性地蚀刻设置在诸如SiO2和SiN之类的暴露的其他材料层之间的氧化锡膜。蚀刻在周围材料之间产生凹陷特征来代替氧化锡。诸如SiO2之类的第三材料沉积在所得到的凹陷特征上而不完全填充凹陷特征，从而形成气隙。在一些实施方式中，在SiO2、SiC、SiN、SiOC、SiNO、SiCNO或SiCN的存在下选择性地蚀刻氧化锡的方法包括使衬底与在包含至少约50％H2的工艺气体中形成的等离子体接触。氧化锡的蚀刻可以在衬底上不使用外部偏置的情况下进行，并且优选在低于约100℃的温度下进行。

公开(公告)号：CN118099080A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410183942.1

申请日：2018-02-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 帕特里克·A·范克利蒙布特 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  巴特·J·范施拉芬迪克

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及创建气隙的方法。氧化锡膜用于在半导体衬底处理期间产生气隙。可以使用在含H2工艺气体中形成的等离子体来选择性地蚀刻设置在诸如SiO2和SiN之类的暴露的其他材料层之间的氧化锡膜。蚀刻在周围材料之间产生凹陷特征来代替氧化锡。诸如SiO2之类的第三材料沉积在所得到的凹陷特征上而不完全填充凹陷特征，从而形成气隙。在一些实施方式中，在SiO2、SiC、SiN、SiOC、SiNO、SiCNO或SiCN的存在下选择性地蚀刻氧化锡的方法包括使衬底与在包含至少约50％H2的工艺气体中形成的等离子体接触。氧化锡的蚀刻可以在衬底上不使用外部偏置的情况下进行，并且优选在低于约100℃的温度下进行。

公开(公告)号：CN117210798A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310929608.1

申请日：2017-09-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 詹姆斯·S·思姆斯 ,  乔恩·亨利 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 一种在等离子体增强原子层沉积(PEALD)反应室的微体积中处理的半导体衬底上沉积氮化硅膜的方法，其中单个半导体衬底被支撑在基座的陶瓷表面上并且将工艺气体通过喷头的陶瓷表面中的气体出口引入所述半导体衬底上方的反应区中，所述方法包括：(a)用氟等离子体清洁所述基座和所述喷头的所述陶瓷表面，(b)在所述陶瓷表面上沉积不含卤化物的原子层沉积(ALD)氧化物底涂层，(c)在所述不含卤化物的ALD氧化物底涂层上沉积ALD氮化硅预涂层，以及(d)通过将每个半导体衬底转移到所述反应室中并在被支撑在所述基座的所述陶瓷表面上的所述半导体衬底上沉积ALD氮化硅膜来处理成批的半导体衬底。

公开(公告)号：CN107699869A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710673939.8

申请日：2017-08-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  亚伦·R·费利斯 ,  安德鲁·约翰·迈凯洛 ,  詹姆斯·塞缪尔·西姆斯 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  乔恩·亨利

IPC: C23C16/52

Abstract: 本发明涉及通过在整个沉积过程中改变晶片温度来抑制界面反应。公开了用于在多站沉积装置中沉积膜的方法和装置以及系统。所述方法可以包括：(a)向所述装置的第一站提供衬底，(b)将所述衬底的温度调节至第一温度，(c)当所述衬底在所述第一站中处于所述第一温度下时，将材料的第一部分沉积在所述衬底上，(d)将所述衬底传送到第二站，(e)将所述衬底的温度调节至第二温度，和(f)当所述衬底处于所述第二温度下时，将所述材料的第二部分沉积在所述衬底上，使得所述第一部分和所述第二部分表现出不同的材料属性值。所述装置和系统可以包括多站沉积装置以及具有用于执行(a)-(f)中的一个或多个的控制逻辑的控制器。

公开(公告)号：CN108493152B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201810148464.5

申请日：2018-02-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 帕特里克·A·范克利蒙布特 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  巴特·J·范施拉芬迪克

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：CN109891550A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780062174.2

申请日：2017-09-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 詹姆斯·S·思姆斯 ,  乔恩·亨利 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种在等离子体增强原子层沉积(PEALD)反应室的微体积中处理的半导体衬底上沉积氮化硅膜的方法，其中单个半导体衬底被支撑在基座的陶瓷表面上并且将工艺气体通过喷头的陶瓷表面中的气体出口引入所述半导体衬底上方的反应区中，所述方法包括：(a)用氟等离子体清洁所述基座和所述喷头的所述陶瓷表面，(b)在所述陶瓷表面上沉积不含卤化物的原子层沉积(ALD)氧化物底涂层，(c)在所述不含卤化物的ALD氧化物底涂层上沉积ALD氮化硅预涂层，以及(d)通过将每个半导体衬底转移到所述反应室中并在被支撑在所述基座的所述陶瓷表面上的所述半导体衬底上沉积ALD氮化硅膜来处理成批的半导体衬底。

公开(公告)号：CN106167895A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610345779.X

申请日：2016-05-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  萨昂格鲁特·桑普朗 ,  尚卡尔·斯娃米纳森 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  康胡 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  爱德华·奥古斯提尼亚克 ,  行则崎山 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  巴莎·萨贾德 ,  詹妮弗·L·彼得拉利亚

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明涉及用于改善流动均匀性的具有面板孔的低体积喷头。在半导体处理装置中的喷头可包括配置成改善原子层沉积期间的流动均匀性的面板通孔。该喷头可包括用于分配气体到衬底上的具有多个通孔的面板，其中所述面板包括小直径的通孔。例如，所述通孔中的每一个的直径可小于约0.04英寸。此外或可替代地，该喷头还可包括边缘通孔，这些边缘通孔沿具有大于正在处理的衬底直径的直径的环被周向地定位。该喷头可以是低体积喷头并且可包括邻近与喷头的充气容腔连通的一个或多个气体入口的挡板。具有小直径通孔和/或边缘通孔的面板能够改善总的膜非均匀性，能够改善在衬底边缘处的方位角膜非均匀性，并且能够在较高RF功率下执行操作。

公开(公告)号：CN112242345B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202010909034.8

申请日：2018-02-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 帕特里克·A·范克利蒙布特 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  巴特·J·范施拉芬迪克

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及创建气隙的方法。氧化锡膜用于在半导体衬底处理期间产生气隙。可以使用在含H2工艺气体中形成的等离子体来选择性地蚀刻设置在诸如SiO2和SiN之类的暴露的其他材料层之间的氧化锡膜。蚀刻在周围材料之间产生凹陷特征来代替氧化锡。诸如SiO2之类的第三材料沉积在所得到的凹陷特征上而不完全填充凹陷特征，从而形成气隙。在一些实施方式中，在SiO2、SiC、SiN、SiOC、SiNO、SiCNO或SiCN的存在下选择性地蚀刻氧化锡的方法包括使衬底与在包含至少约50％H2的工艺气体中形成的等离子体接触。氧化锡的蚀刻可以在衬底上不使用外部偏置的情况下进行，并且优选在低于约100℃的温度下进行。

公开(公告)号：CN114258583A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202080058532.4

申请日：2020-06-16

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  拉维·库马尔 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  马库斯·卡伯利 ,  迈克尔·菲利普·罗伯茨

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/687 ,  C23C16/46 ,  C23C16/455

Abstract: 一种衬底处理系统包含衬底支撑件和控制器。该衬底支撑件包含：升降垫、多个区段以及遍及所述多个区段设置的多个电阻加热器。所述多个电阻加热器包含设置于所述多个区段中的各个区段中的能单独控制的电阻加热器。控制器被配置成：确定设置于所述升降垫上的衬底的旋转位置，选择性地旋转所述升降垫以将所述衬底调整至所述旋转位置，并且基于所述旋转位置而控制所述多个电阻加热器，以选择性地调整所述多个区段内的温度。

公开(公告)号：CN106167895B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201610345779.X

申请日：2016-05-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  萨昂格鲁特·桑普朗 ,  尚卡尔·斯娃米纳森 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  康胡 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  爱德华·奥古斯提尼亚克 ,  行则崎山 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  巴莎·萨贾德 ,  詹妮弗·L·彼得拉利亚

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明涉及用于改善流动均匀性的具有面板孔的低体积喷头。在半导体处理装置中的喷头可包括配置成改善原子层沉积期间的流动均匀性的面板通孔。该喷头可包括用于分配气体到衬底上的具有多个通孔的面板，其中所述面板包括小直径的通孔。例如，所述通孔中的每一个的直径可小于约0.04英寸。此外或可替代地，该喷头还可包括边缘通孔，这些边缘通孔沿具有大于正在处理的衬底直径的直径的环被周向地定位。该喷头可以是低体积喷头并且可包括邻近与喷头的充气容腔连通的一个或多个气体入口的挡板。具有小直径通孔和/或边缘通孔的面板能够改善总的膜非均匀性，能够改善在衬底边缘处的方位角膜非均匀性，并且能够在较高RF功率下执行操作。