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公开(公告)号：CN118805241A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380023164.3
申请日：2023-02-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 詹森·亚历山大·瓦内尔 , 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 , 普兰尼斯·拉玛萨加拉姆 , J·范·施拉芬迪克·巴特 , 詹尼弗·利·佩特拉利亚 , 道格拉斯·沃尔特·阿格纽 , 阿维尼什·古普塔 , 刘培基 , 普尔凯特·阿加瓦尔
IPC: H01L21/02 , C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/56
Abstract: 提供了用于使用热化学气相沉积增强的原子层沉积而沉积超保形介电材料的方法和装置。用于沉积材料的方法和装置使用修改的原子层沉积并结合以下项来将热解层转化成含氧或含氮材料：在配料期间将诸如氨基硅烷之类的沉积前体热解以形成热解层，用于致密化的任选惰性气体等离子体，以及含氧或含氮等离子体。
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公开(公告)号：CN114258583A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202080058532.4
申请日：2020-06-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 萨沙撒耶·瓦拉达拉简 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 拉维·库马尔 , 阿德里安·拉沃伊 , 马库斯·卡伯利 , 迈克尔·菲利普·罗伯茨
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/687 , C23C16/46 , C23C16/455
Abstract: 一种衬底处理系统包含衬底支撑件和控制器。该衬底支撑件包含：升降垫、多个区段以及遍及所述多个区段设置的多个电阻加热器。所述多个电阻加热器包含设置于所述多个区段中的各个区段中的能单独控制的电阻加热器。控制器被配置成：确定设置于所述升降垫上的衬底的旋转位置，选择性地旋转所述升降垫以将所述衬底调整至所述旋转位置，并且基于所述旋转位置而控制所述多个电阻加热器，以选择性地调整所述多个区段内的温度。
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公开(公告)号：CN114008734A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080045294.3
申请日：2020-06-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 保罗·康科拉 , 迈克尔·G·R·史密斯 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 , 拉维·库马尔 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 阿德里安·拉沃伊
IPC: H01J37/18 , H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 一种用于抽空衬底处理系统中衬底下方的容积空间的方法包括：将所述衬底布置在衬底支撑件的升降机构上，以将所述衬底下方的容积空间限定在所述衬底与所述衬底支撑件的上表面之间。启动抽空步骤以抽空所述衬底下方的所述容积空间。所述抽空步骤包括经由穿过所述升降机构和围绕所述升降机构中的至少一者抽排所述衬底下方的所述容积空间。在所述抽空步骤期间降低所述升降机构以将所述衬底定位在所述衬底支撑件的上表面上；以及终止所述抽空步骤。
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公开(公告)号：CN113597479A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202080020769.3
申请日：2020-03-06
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿德里安·拉沃伊 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 弗兰克·洛伦·帕斯夸里 , 普鲁肖塔姆·库马尔
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 用于清洁处理室的系统和方法包含经由环绕喷头杆部的轴环而供应预活化清洁气体至处理室中，以对处理室进行清洁。在其他实施方案中，将清洁气体供应至轴环，并且将RF功率供应至喷头或基座以在处理室中产生等离子体，从而对处理室进行清洁。在还有的其他实施例中，将惰性气体供应至轴环，将预活化清洁气体供应至喷头杆部，并且将RF功率供应至喷头或基座以在处理室中产生等离子体，以对处理室进行清洁。
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公开(公告)号：CN113574634A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080021649.5
申请日：2020-03-10
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉维·库马尔 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 阿德里安·拉沃伊 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 迈克尔·菲利普·罗伯茨
IPC: H01L21/033 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 一种衬底处理系统包含处理室；包含多个加热器区域的衬底支撑件，其布置在所述处理室中；气体输送系统，其被配置成输送处理气体至所述处理室；以及控制器，其被配置成：与所述气体输送系统和所述多个加热器区域通信，在衬底布置在所述衬底支撑件上之后以及在所述衬底到达所述衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时温度时段期间，启动处理的第一处理步骤，以及基于在与所述第一处理步骤对应的时段期间针对所述多个加热器区域中的相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第一处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111357094A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074453.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 亚伦·宾汉 , 阿施施·索拉卜 , 拉维·库马尔 , 詹尼弗·利·佩特拉利亚
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 一种被配置成在衬底上进行沉积处理包括衬底支撑件，衬底支撑件包括多个区域以及布置在整个所述多个区域的多个电阻加热器。所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域中的相应区域中的多个独立可控的电阻加热器。控制器被配置成在所述沉积处理期间控制所述多个电阻加热器，以选择性地调整所述多个区域内的温度。
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公开(公告)号：CN113574634B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202080021649.5
申请日：2020-03-10
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉维·库马尔 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 阿德里安·拉沃伊 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 迈克尔·菲利普·罗伯茨
IPC: H01L21/033 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 一种衬底处理系统包含处理室；包含多个加热器区域的衬底支撑件，其布置在所述处理室中；气体输送系统，其被配置成输送处理气体至所述处理室；以及控制器，其被配置成：与所述气体输送系统和所述多个加热器区域通信，在衬底布置在所述衬底支撑件上之后以及在所述衬底到达所述衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时温度时段期间，启动处理的第一处理步骤，以及基于在与所述第一处理步骤对应的时段期间针对所述多个加热器区域中的相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第一处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。
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公开(公告)号：CN112585720B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201980055085.4
申请日：2019-08-16
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于处理衬底的方法，其中所述衬底位于处理室内的喷头下方。在所述衬底上沉积沉积层，其中至少一种沉积气体通过所述喷头提供。在所述沉积所述沉积层的期间，使第二清扫气体从所述处理室内的所述喷头外的位置流入，从而在所述喷头的外缘周围形成流动帘幕，其中所述第二清扫气体包含至少一种成分气体。在所述沉积所述沉积层的期间，随着时间的推移改变所述至少一种成分气体的分压，其中所述沉积所述沉积层具有不均匀性，其中在所述沉积所述沉积层的期间，所述改变所述分压随着时间的推移改变所述不均匀性。
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公开(公告)号：CN111344857B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201880073124.9
申请日：2018-09-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 本发明描述了用于将材料沉积到高深宽比特征，多层堆叠件中的特征，具有正倾斜的侧壁的特征，具有负倾斜的侧壁的特征，具有内凹轮廓的特征和/或具有侧壁形貌的特征的方法和设备。方法包括将第一数量的材料(例如电介质(例如硅氧化物))沉积到特征中，并在衬底的场表面上形成牺牲护盔，蚀刻第一数量的材料中的一些以打开特征开口和/或使特征的侧壁平滑，并沉积第二数量的材料以填充特征。牺牲护盔可以是与沉积到特征中的第一数量的材料相同或不同的材料。
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公开(公告)号：CN115605979A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180034834.2
申请日：2021-05-04
Applicant: 朗姆研究公司(US)
Inventor： 拉维·库马尔 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 阿德里安·拉沃伊
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L21/66
Abstract: 一种执行用于图案化CD控制的反馈序列的方法。该方法包括：在晶片上执行系列工艺步骤以获得多个特征，其中工艺步骤是在工艺条件下执行的。该方法包括：在执行所述系列工艺步骤之后测量所述多个特征的尺寸。该方法包括：确定所述多个特征的所测量的所述尺寸与目标尺寸之间的差异。该方法包括：基于所述差异和将尺寸变化和工艺条件变化相关联的所述多个特征的灵敏度系数来修正工艺步骤的工艺条件。
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