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公开(公告)号:CN115087758A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202180014110.1
申请日:2021-01-28
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 迈克尔·J·雅尼基 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯
IPC: C23C16/458 , C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/505
Abstract: 提供了各种承载环设计和配置,以控制位于晶片正面和晶边边缘处的沉积量。虽然沉积是在晶片背面进行,而在晶片正面不期望沉积,但该承载环设计可控制在晶片的诸多位置处的沉积量。这些位置包含晶边的正面、边缘和背面以及晶片的正面和背面。承载环的边缘轮廓被设计以控制处理气体流、正面清扫气体流、以及等离子体效应。在一些设计中,添加通孔至承载环以控制气流。边缘轮廓以及添加的特征可以降低或消除在晶片正面以及晶边边缘处的沉积。
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公开(公告)号:CN115803858A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202180044620.3
申请日:2021-11-09
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本文中的各种实施方式涉及用于半导体制造设备的预测性维护系统和方法。在一些实施方式中,预测性维护系统包括处理器,该处理器被配置成:接收指示对应于进行制造工艺的制造设备的历史操作条件和历史制造信息的离线数据;通过使用将离线数据作为输入的训练模型来计算预测设备健康状态信息;接收指示制造设备的当前操作条件的实时数据;通过使用将实时数据作为输入的训练模型来计算估计设备健康状态信息;通过结合预测设备健康状态信息和估计设备健康状态信息来计算调整设备健康状态信息;以及呈现包括制造设备的至少一个部件的预期剩余使用寿命(RUL)的调整设备健康状态信息。
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公开(公告)号:CN114258436A
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202080058049.6
申请日:2020-08-06
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 法亚兹·A·谢赫 , 阿德里亚娜·文蒂拉 , 马修·马德洛 , 尼克·拉伊·小林百格 , 殷鑫 , 詹姆斯·F·李 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/509 , C23C16/04 , C23C16/54 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 一种用于在晶片的下侧表面上沉积膜的等离子体加工室,包括喷头基座。喷头基座包括第一分区和第二分区。上分离器翅片设置在喷头基座的顶表面上方,并且下分离器翅片设置在喷头基座的顶表面下方并与上分离器翅片对齐。第一分区被配置用于将第一膜沉积到晶片的下侧表面,第二分区被配置用于将第二膜沉积到晶片的下侧表面。在另一个实施方案中,喷头基座的顶表面可以被配置为接收掩蔽板而不是上分离器翅片。掩蔽板配置有具有开口的第一区域和被掩蔽的第二区域。第一区域用于向晶片的下侧表面的一部分提供工艺气体以用于沉积膜。
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公开(公告)号:CN118266066A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202280076926.1
申请日:2022-09-15
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 布莱恩·拉特里夫 , 罗希特·欧德 , 斯蒂芬·托平 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 , 里格尔·马丁·布鲁宁
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 一种向衬底处理工具的多个站供给气体的系统包含:用于供给气体的气体源、连接至气体源的质量流量控制器、多个导管、以及多个加热器。该多个导管彼此互连且彼此流体连通。该多个导管包含连接至质量流量控制器的入口、包含多个出口的多个部分、以及多个气体流量限制器。该多个出口连接至多个歧管,该多个歧管用于将该气体分别供给至多个站。该多个气体流量限制器分别设置于该多个导管的邻近该多个出口的相应的多个部分中。该多个加热器耦合至邻近该多个出口并包括多个气体流量限制器的该多个导管的该相应的多个部分。
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公开(公告)号:CN117897795A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202280059469.5
申请日:2022-07-01
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 迈克尔·达内克 , 本杰明·艾伦·哈斯凯尔 , 卡普·瑟里什·雷迪 , 大卫·巴特 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 , 保罗·弗兰岑 , 卡尔·弗雷德里克·利瑟 , 詹尼弗·利·佩特拉利亚 , 崎山行则 , 卡皮尔·索拉尼
Abstract: 诸如相机传感器之类的多像素传感器可以被配置为捕获处理室或其他制造工具的内部的二维和/或三维图像。传感器可以被配置成在处理这种处理室中的衬底之前、期间和/或之后从这种处理室的内部捕获像素化的电磁辐射强度信息。此类传感器还可用于控制、预测和/或诊断应用。
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公开(公告)号:CN116288281A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310267317.0
申请日:2021-01-28
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 迈克尔·J·雅尼基 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯
IPC: C23C16/458 , C23C16/50 , H01L21/687 , H01J37/32 , C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/505
Abstract: 提供了各种承载环设计和配置,以控制位于晶片正面和晶边边缘处的沉积量。虽然沉积是在晶片背面进行,而在晶片正面不期望沉积,但该承载环设计可控制在晶片的诸多位置处的沉积量。这些位置包含晶边的正面、边缘和背面以及晶片的正面和背面。承载环的边缘轮廓被设计以控制处理气体流、正面清扫气体流、以及等离子体效应。在一些设计中,添加通孔至承载环以控制气流。边缘轮廓以及添加的特征可以降低或消除在晶片正面以及晶边边缘处的沉积。
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公开(公告)号:CN115698375A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202180043441.8
申请日:2021-10-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 施瑞拉姆·瓦桑特·巴帕特 , 潘卡杰·甘希亚姆·拉姆纳尼 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 , 克里斯多夫·马修·琼斯 , 柯蒂斯·W·贝利 , 埃米尔·德拉佩 , 纳格拉杰·尚卡尔
IPC: C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 在一些示例中,无面板喷头包含:包括背板的主体,该主体没有面板或充气室;气体供应杆,其使得气体能进入喷头;以及阻流板,其被支撑在邻近背板或气体供应杆处。无面板喷头还可以包含用于在背板或气体供应杆中的阻流板空腔中支撑阻流板的至少一个支撑元件。
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公开(公告)号:CN115461493A
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202180031633.7
申请日:2021-04-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 迈克尔·J·雅尼基 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/509
Abstract: 一种衬底处理系统包含喷头基座、承载环、喷头和RF源。喷头基座包含限定第一多个通孔的顶表面,该第一多个通孔被配置成输出等离子体气体混合物。该承载环被设置于该喷头基座的顶表面上以将衬底支撑于距该喷头基座的顶表面预定距离处。该喷头被设置于该承载环上方,且包含限定充气部的主体、位于该主体的面向衬底的表面上的凹陷区域和第二多个通孔,该第二多个通孔从该充气部延伸穿过该主体在该凹陷区域中的面向衬底的表面,以将清扫气体分散至衬底的顶表面上。该RF源被配置成在该衬底的底表面与该喷头基座的顶表面之间激励等离子体。
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公开(公告)号:CN114008734A
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202080045294.3
申请日:2020-06-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 保罗·康科拉 , 迈克尔·G·R·史密斯 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 , 拉维·库马尔 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 阿德里安·拉沃伊
IPC: H01J37/18 , H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 一种用于抽空衬底处理系统中衬底下方的容积空间的方法包括:将所述衬底布置在衬底支撑件的升降机构上,以将所述衬底下方的容积空间限定在所述衬底与所述衬底支撑件的上表面之间。启动抽空步骤以抽空所述衬底下方的所述容积空间。所述抽空步骤包括经由穿过所述升降机构和围绕所述升降机构中的至少一者抽排所述衬底下方的所述容积空间。在所述抽空步骤期间降低所述升降机构以将所述衬底定位在所述衬底支撑件的上表面上;以及终止所述抽空步骤。
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公开(公告)号:CN119256393A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202380040317.5
申请日:2023-05-11
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 卡皮尔·索拉尼 , 保罗·弗兰岑 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯
Abstract: 公开了涉及虚拟半导体厂环境的示例。一示例提供监控方法,其监控在处理工具中衬底上执行的工艺。方法包括在处理工具中运行工艺时从处理工具的传感器获得运行时间数据。方法还包括使用运行时间数据和工艺配方,通过模拟数字孪生来执行运行时间模拟。方法还包括在处理工具的数字孪生内接收空间视点的选择。方法还包括使用运行时间模拟和空间视点来渲染处理工具的虚拟状态的图像,以及输出虚拟状态的图像。
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