用于控制晶片晶边/边缘上的沉积的承载环设计

    公开(公告)号:CN115087758A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202180014110.1

    申请日:2021-01-28

    Abstract: 提供了各种承载环设计和配置,以控制位于晶片正面和晶边边缘处的沉积量。虽然沉积是在晶片背面进行,而在晶片正面不期望沉积,但该承载环设计可控制在晶片的诸多位置处的沉积量。这些位置包含晶边的正面、边缘和背面以及晶片的正面和背面。承载环的边缘轮廓被设计以控制处理气体流、正面清扫气体流、以及等离子体效应。在一些设计中,添加通孔至承载环以控制气流。边缘轮廓以及添加的特征可以降低或消除在晶片正面以及晶边边缘处的沉积。

    半导体制造设备的预测性维护
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115803858A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202180044620.3

    申请日:2021-11-09

    Abstract: 本文中的各种实施方式涉及用于半导体制造设备的预测性维护系统和方法。在一些实施方式中,预测性维护系统包括处理器,该处理器被配置成:接收指示对应于进行制造工艺的制造设备的历史操作条件和历史制造信息的离线数据;通过使用将离线数据作为输入的训练模型来计算预测设备健康状态信息;接收指示制造设备的当前操作条件的实时数据;通过使用将实时数据作为输入的训练模型来计算估计设备健康状态信息;通过结合预测设备健康状态信息和估计设备健康状态信息来计算调整设备健康状态信息;以及呈现包括制造设备的至少一个部件的预期剩余使用寿命(RUL)的调整设备健康状态信息。

    用于控制晶片斜边/边缘上的沉积的喷头设计

    公开(公告)号:CN115461493A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202180031633.7

    申请日:2021-04-09

    Abstract: 一种衬底处理系统包含喷头基座、承载环、喷头和RF源。喷头基座包含限定第一多个通孔的顶表面,该第一多个通孔被配置成输出等离子体气体混合物。该承载环被设置于该喷头基座的顶表面上以将衬底支撑于距该喷头基座的顶表面预定距离处。该喷头被设置于该承载环上方,且包含限定充气部的主体、位于该主体的面向衬底的表面上的凹陷区域和第二多个通孔,该第二多个通孔从该充气部延伸穿过该主体在该凹陷区域中的面向衬底的表面,以将清扫气体分散至衬底的顶表面上。该RF源被配置成在该衬底的底表面与该喷头基座的顶表面之间激励等离子体。

    虚拟半导体晶片厂环境
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119256393A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202380040317.5

    申请日:2023-05-11

    Abstract: 公开了涉及虚拟半导体厂环境的示例。一示例提供监控方法,其监控在处理工具中衬底上执行的工艺。方法包括在处理工具中运行工艺时从处理工具的传感器获得运行时间数据。方法还包括使用运行时间数据和工艺配方,通过模拟数字孪生来执行运行时间模拟。方法还包括在处理工具的数字孪生内接收空间视点的选择。方法还包括使用运行时间模拟和空间视点来渲染处理工具的虚拟状态的图像,以及输出虚拟状态的图像。

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