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公开(公告)号：CN115244649A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019048.5
申请日：2021-03-01
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 一种在集成电路制造工艺中控制晶片弯曲的方法可以包括响应于对集成电路晶片的有源面执行一个或多个第一制造工艺来表征晶片弯曲。基于一个或多个第一制造工艺确定将应用于集成电路晶片的背面的一个或多个第二制造工艺，以使晶片弯曲低于预定阈值，该方法可以另外包括在集成电路晶片的背面执行一个或多个第二制造工艺。
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公开(公告)号：CN115885061A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180051068.0
申请日：2021-06-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 尼克·拉伊·小林百格 , 法亚兹·A·谢赫 , 坎吉尔·李
IPC: C23C16/458
Abstract: 本文提供了具有径向变化的等离子体阻抗的承载环。在一些实施方案中，承载环可包括保持可移除内环的外环。外环可以由介电材料例如陶瓷形成。内环可以由诸如铝之类的金属形成以提供期望的阻抗。在一些其他实施方案中，承载环由具有径向变化阻抗的单件形成。
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公开(公告)号：CN119631161A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380057605.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 提供用于保持通过热循环沉积在半导体晶片上的层完整性的方法和结构。沉积具有与第一背侧层相反的内应力的第二背侧层或盖可用于降低热循环期间晶片的翘曲偏移。第一背侧层可具有拉伸性内应力或压缩性内应力。第二背侧层具有与第一背侧层相反的内应力。每一背侧层可通过背侧沉积装置来沉积。
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公开(公告)号：CN118339636A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280079498.8
申请日：2022-11-29
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/302 , C23C16/505 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/36 , H01L21/02
Abstract: 在半导体衬底上沉积高应力、热稳定的压缩氮化物膜。可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在产生具有高压缩膜应力并且当暴露于高于压缩氮化物的沉积温度的温度时具有最小应力偏移的压缩氮化物膜的条件下沉积压缩氮化物膜。在一些实现方案中，压缩氮化物膜是氮化硅膜。PECVD条件可以减少氮化硅中的Si‑H键的数量以获得改善的热稳定性。在一些实现方案中，高应力、热稳定氮化物膜沉积在半导体衬底的背面上以用于晶片弯曲补偿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119654701A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380057601.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/02 , H01L21/683 , C23C16/24
Abstract: 提供了用于保持半导体晶片被夹持到静电卡盘的方法。半导体晶片可具有通过背面沉积而在晶片背面沉积的导电背面层。导电层能够增加晶片与静电卡盘之间的静电力，并抵消晶片因正面处理而可能具有的内部应力，从而保持晶片基本平坦。
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公开(公告)号：CN118922930A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380029144.7
申请日：2023-01-18
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 尼克·拉伊·小林百格 , 理查德·M·布兰克 , 丹尼尔·博特赖特 , 法亚兹·A·谢赫 , 埃里克·托马斯·迪克松 , 迈克尔·约翰·贾尼基 , 阿德里亚娜·文蒂拉 , 殷鑫 , 康纳·查尔斯·阿尔库里
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/677 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了具有晶片背侧处理能力的半导体处理工具。这种工具可被配置成仅通过边缘接触来接触正在处理的晶片，而不是下侧/平面接触。这种工具还可包括晶片居中特征，其可允许这种晶片相对于其特定晶片处理站精准地居中。
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公开(公告)号：CN115989573A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052569.0
申请日：2021-06-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 尼克·拉伊·小林百格 , 法亚兹·A·谢赫 , 阿鲁尔·N·达斯
IPC: H01L21/673
Abstract: 提供了多站处理工具，具有用于背面加工的随站位变化的支撑特征。第一站中的支撑特征可以在背面沉积期间将晶片保持在第一组点处，在这些点处阻挡背面沉积、蚀刻或其他处理。第二站中的支撑特征可以在不与第一组点重叠的第二组点处支撑晶片。
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公开(公告)号：CN119173995A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202380039595.9
申请日：2023-05-10
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 黄彦辉 , 法亚兹·A·谢赫 , 尼克·拉伊·小林百格 , 吉泽克典
IPC: H01L21/687 , C23C16/458 , C23C16/24 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 提供了供半导体处理装置所使用的具有舌片的承载环。环可以包括围绕该内部的内周缘的多个舌片。环和舌片可以具有多个物理特性，与缺乏这些物理特性的环相比，这些物理特性被配置成能够实现较多半导体衬底的背侧沉积。环和舌片的这些特性可以包括环的内直径、舌片的内直径、舌片的数量、舌片的宽度以及舌片相对于平面的角度。这些特性可以减少衬底接触区域，且增加衬底边缘附近的沉积区域，从而提高膜厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN115053325A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180011870.7
申请日：2021-01-25
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿尼尔万·西卡 , 法亚兹·A·谢赫 , 凯文·M·麦克劳克林 , 亚历山大·雷·福克斯
Abstract: 通过用紫外线(UV)辐射选择性并局部地固化膜，可调节沉积在弯曲半导体衬底上的膜中的局部化应力。弯曲半导体衬底可不对称弯曲。在弯曲半导体衬底的前侧或背侧上沉积UV可固化膜。在UV可固化膜与UV源之间提供掩模，其中掩模中的开口被图案化以选择性地定义UV可固化膜的暴露区域与未暴露区域。UV可固化膜的暴露区域调节局部化应力以减轻弯曲半导体衬底中的弯曲。
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