公开(公告)号：CN118922930A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380029144.7

申请日：2023-01-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 尼克·拉伊·小林百格 ,  理查德·M·布兰克 ,  丹尼尔·博特赖特 ,  法亚兹·A·谢赫 ,  埃里克·托马斯·迪克松 ,  迈克尔·约翰·贾尼基 ,  阿德里亚娜·文蒂拉 ,  殷鑫 ,  康纳·查尔斯·阿尔库里

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了具有晶片背侧处理能力的半导体处理工具。这种工具可被配置成仅通过边缘接触来接触正在处理的晶片，而不是下侧/平面接触。这种工具还可包括晶片居中特征，其可允许这种晶片相对于其特定晶片处理站精准地居中。

公开(公告)号：CN112063995B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202010719108.1

申请日：2016-05-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 特洛伊·艾伦·戈姆 ,  尼克·拉伊·小林百格

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/509 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种衬底基座及其制造方法和一种处理衬底的方法。所述处理衬底的方法包括：将衬底放置在衬底基座上，将背部热传输气体或吹扫气体供给通过背部气体管路至在衬底的下表面下方的区域，背部气体管路包括在上部气体管路凸缘中的至少一个开口，使得至少一个相应的电气连接件能延伸通过上部气体管路凸缘。所述衬底基座包括：由陶瓷材料形成的台板，其具有构造成在处理期间支承所述衬底的上表面；杆，其由陶瓷材料形成并具有上部杆凸缘以支撑所述台板；由陶瓷材料形成的背部气体管路，其位于所述杆的内部，背部气体管路包括位于台板的下表面与上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，背部气体管路与台板的至少一个背部气体通道流体连通。

公开(公告)号：CN115989573A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052569.0

申请日：2021-06-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 尼克·拉伊·小林百格 ,  法亚兹·A·谢赫 ,  阿鲁尔·N·达斯

IPC: H01L21/673

Abstract: 提供了多站处理工具，具有用于背面加工的随站位变化的支撑特征。第一站中的支撑特征可以在背面沉积期间将晶片保持在第一组点处，在这些点处阻挡背面沉积、蚀刻或其他处理。第二站中的支撑特征可以在不与第一组点重叠的第二组点处支撑晶片。

公开(公告)号：CN112063995A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010719108.1

申请日：2016-05-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 特洛伊·艾伦·戈姆 ,  尼克·拉伊·小林百格

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/509 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种衬底基座及其制造方法和一种处理衬底的方法。所述处理衬底的方法包括：将衬底放置在衬底基座上，将背部热传输气体或吹扫气体供给通过背部气体管路至在衬底的下表面下方的区域，背部气体管路包括在上部气体管路凸缘中的至少一个开口，使得至少一个相应的电气连接件能延伸通过上部气体管路凸缘。所述衬底基座包括：由陶瓷材料形成的台板，其具有构造成在处理期间支承所述衬底的上表面；杆，其由陶瓷材料形成并具有上部杆凸缘以支撑所述台板；由陶瓷材料形成的背部气体管路，其位于所述杆的内部，背部气体管路包括位于台板的下表面与上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，背部气体管路与台板的至少一个背部气体通道流体连通。

公开(公告)号：CN117836924A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202180101586.9

申请日：2021-10-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 斯凯·穆勒诺 ,  奇拉格·拉古纳特·希维达斯 ,  尼克·拉伊·小林百格

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32

Abstract: 在处理站中被配置成支撑衬底的可定位基座，其包含基板、杆部、以及布置围绕该杆部的多个定位销。该多个定位销被配置成插入在该处理站的第一表面中的指定接收凹槽内，以减少错位并促进该可定位基座的调整范围。多个定位销中的至少一者具有比其他定位销的直径大的直径。具有较大直径的定位销被配置成装配进入该处理站的第一表面中唯一的指定接收凹槽内。

公开(公告)号：CN115885061A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180051068.0

申请日：2021-06-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 尼克·拉伊·小林百格 ,  法亚兹·A·谢赫 ,  坎吉尔·李

IPC: C23C16/458

Abstract: 本文提供了具有径向变化的等离子体阻抗的承载环。在一些实施方案中，承载环可包括保持可移除内环的外环。外环可以由介电材料例如陶瓷形成。内环可以由诸如铝之类的金属形成以提供期望的阻抗。在一些其他实施方案中，承载环由具有径向变化阻抗的单件形成。

公开(公告)号：CN115485413A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032064.8

申请日：2021-04-07

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 罗希特·欧德 ,  尤金·斯马加西 ,  杰弗里·沃马克 ,  尼克·拉伊·小林百格 ,  达莫达尔·拉贾拉姆·尚巴格 ,  埃里克·马德森

IPC: C23C16/455

Abstract: 一种方法包括：选择待加工的在第一公差范围内的多个第一特征；以及待加工的在选定特征的指定尺寸的第二公差范围内的多个第二特征，该第二特征相隔至少预定距离定位。该方法包括：使用工具的切割配件以加工在该第一公差范围内的第一特征，且当与该工具相关的造成第一选定特征的尺寸变化的参数达到预定阈值时，使用该切割配件以加工在该第二公差范围内的第二选定特征。在第二方法中，第一和第二特征的尺寸的平均值与指定尺寸的偏差小于或等于预定平均偏差，且第一和第二特征的尺寸的标准偏差小于或等于预定标准偏差。

公开(公告)号：CN106148915B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201610312750.1

申请日：2016-05-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 特洛伊·艾伦·戈姆 ,  尼克·拉伊·小林百格

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/509 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及包含背部气体输送管路的衬底基座模块及其制造方法。半导体衬底处理装置包括：具有其中能处理半导体衬底的处理区域的真空室；与真空室流体连通的工艺气体源以供给工艺气体到真空室中；工艺气体通过其从工艺气体源供给到真空室的处理区域的喷头模块；和衬底基座模块。衬底基座模块包括：由陶瓷材料制成的台板，其具有构造成在处理期间支承半导体衬底的上表面；由陶瓷材料制成的杆，其具有支撑台板的上部杆凸缘；和由陶瓷材料制成的背部气体管路，其位于杆的内部。背部气体管路包括位于台板的下表面与上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，其中背部气体管路与台板的至少一个背部气体通道流体连通。

公开(公告)号：CN105702617A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510929329.0

申请日：2015-12-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊莱·乔恩 ,  尼克·拉伊·小林百格 ,  西丽斯·雷迪 ,  爱丽丝·霍利斯特 ,  隆格蒂瓦·梅塔帕浓

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明涉及承载环结构及包含该承载环结构的室系统，提供了用在被实施用于沉积膜的室中的承载环以及使用该承载环的室。承载环具有环形盘形状，具有外边缘侧和晶片边缘侧。承载环具有在外边缘侧和晶片边缘侧之间延伸的承载环上表面。晶片边缘侧包括低于承载环上表面的较低的承载环表面。晶片边缘侧还包括多个接触支撑结构。每个接触支撑结构位于较低的承载环表面的边缘且具有介于较低的承载环表面和承载环上表面之间的高度，且接触支撑结构具有渐变的边缘和拐角。台阶被限定在承载环上表面和较低的承载环表面之间。顶面边缘和较低的内边缘中的每一个具有圆的不锐利的边缘且接触支撑结构中的每一个的顶部被配置用于与晶片的下边缘表面接触。

公开(公告)号：CN118339643A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280079962.3

申请日：2022-11-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 乔恩·加雷特·贾奇 ,  尼克·拉伊·小林百格 ,  丹尼尔·博特赖特

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 用于干式处理工具的系统包括：一个或更多处理室；两个或更多处理站，其被设置在该一个或更多处理室内；以及第一气体源。公共歧管经由至少第一质量流量控制器而耦合至该第一气体源。该公共歧管将该第一气体源经由对应的流动路径而流体耦合至该两个或更多处理站的每一处理站。每一对应的流动路径包括可调整流动阀。