公开(公告)号：CN118715592A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022045.6

申请日：2023-02-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊莱·钱 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  希瓦·沙兰·班达里 ,  伊恩·约翰·科廷 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  詹森·亚历山大·瓦内尔 ,  科迪·巴奈特 ,  克里斯多夫·尼古拉斯·亚丹萨 ,  达斯汀·扎卡里·奥斯丁

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 利用电介质材料填充间隙的方法，其包括在沉积期间使用抑制等离子体。该抑制等离子体提高已沉积膜的成核屏障。该抑制等离子体在特征的顶部附近选择性地产生相互作用，以相比于特征的底部而抑制特征的顶部处的沉积，强化自下而上的填充。处理室可以具有多个压强开关，从而能够在沉积过后利用比沉积期间更高的压强进行处理。

公开(公告)号：CN117616540A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048743.9

申请日：2022-07-01

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉维·库马尔 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  达斯汀·扎卡里·奥斯丁 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  乔纳森·格兰特·贝克

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/56 ,  C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768

Abstract: 一种方法，其包含：在包含衬底支撑件和喷头的处理站中提供衬底，所述衬底包含待填充的间隙；以及通过包含操作(a)‑(d)的多个循环的等离子体增强型原子层沉积(PEALD)处理，在所述间隙中沉积含硅膜：(a)配料操作，其包含使含硅前体经由所述喷头流入所述处理站，以使所述含硅前体能吸附至所述衬底上；(b)在(a)之后，使清扫气体流入所述处理站；(c)在(b)之后，将所述衬底暴露于等离子体物质，以与所吸附的所述含硅前体反应；以及(d)在(c)之后，使清扫气体流入所述处理站，其中所述含硅前体在至少(b)期间持续流入所述处理站。

公开(公告)号：CN114761612A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080083785.7

申请日：2020-12-01

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 杰里米·大卫·菲尔兹 ,  伊恩·约翰·科廷 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  弗兰克·洛伦·帕斯夸里 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/768 ,  H01L21/321

Abstract: 用于以介电材料填充间隙的方法包含使用原子层沉积(ALD)技术进行沉积以填充间隙，然后通过化学气相沉积(CVD)技术在所填充的间隙上沉积覆盖层。该ALD沉积可以是等离子体增强ALD(PEALD)或热ALD(tALD)沉积。该CVD沉积可以是等离子体增强CVD(PECVD)或热CVD(tCVD)沉积。在一些实施方案中，该CVD沉积与该ALD沉积是在相同的处理室中执行而不干扰处理操作。该覆盖层的原位沉积的结果是具有高度均匀性的高产出处理。在一些实施方案中，在该处理之后，衬底就已准备好进行化学机械平坦化(CMP)。

公开(公告)号：CN118435318A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280083546.0

申请日：2022-12-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  亚伦·R·费利斯 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  巴特·J·范施拉芬迪克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455

Abstract: 以介电材料填充间隙的方法，其包含在沉积期间使用抑制剂等离子体。当抑制剂等离子体与特征中的材料相互作用时，与位于较接近特征的顶部或场中的材料相比，在特征的底部的材料受到更少的等离子体处理。在特征的顶部的沉积接着被选择性抑制，而在特征的较低部分中的沉积在具有较少抑制作用或不被抑制的情况下进行。因此，增进由下而上的填充，其可产生减轻接缝效应并防止空隙形成的倾斜轮廓。在一些实施方案中，在较高压强下使用抑制剂等离子体，以增加抑制率，从而提高产能。

公开(公告)号：CN115836385A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202280005001.8

申请日：2022-04-28

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊莱·钱 ,  迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  丹尼尔·博特赖特 ,  阿伦·阿南丹杜莱萨米 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  威廉·劳伦斯·麦克丹尼尔

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开涉及一种用于半导体处理的系统。所述系统包括半导体处理室，所述半导体处理室具有多个处理站、多个歧管干线、多个阀和多个流体歧管。每个歧管干线包括出口、公共流路、多个干线入口、多个孔口和多个阀接口。

公开(公告)号：CN112753090A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980061977.5

申请日：2019-09-20

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约瑟夫·R·阿贝尔 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  伊恩·约翰·科廷 ,  普鲁肖塔姆·库马尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 多种实施方案包括用于提供低介电常数(低‑κ)膜的方法。在一实施方案中，交替ALD循环和掺杂剂材料用于产生新家族的硅基低‑κ材料。具体而言，这些材料是被发展用来填充具有内凹特征的高深宽比结构。然而，这些膜也可用于均厚应用，其中可以使用共形的纳米层合。多种实施方案还公开了SiOF以及SiOCF、SiONF、GeOCF和GeOF。相似膜可包括具有碘与溴的卤化物衍生物(例如，以“I”或“Br”来取代“F”)。本说明书公开其他方法、化学品以及技术。

公开(公告)号：CN118176563A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280072596.9

申请日：2022-10-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  乔纳森·格兰特·贝克

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本文中公开了用于将材料沉积至特征中的方法和装置。方法涉及沉积氧化物材料接着溅射氧化物材料以减少接缝。氧化物材料可以通过ALD处理来沉积。

公开(公告)号：CN116137931A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202180053425.7

申请日：2021-06-28

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约瑟夫·R·阿贝尔 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  伊恩·约翰·科廷 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  达斯汀·扎卡里·奥斯丁 ,  阿维尼什·古普塔

IPC: H01L21/768

Abstract: 公开了在孔洞和沟槽结构中形成气隙的方法。所述方法可用于形成埋设式孔隙，即，顶部低于相邻特征顶部的孔隙。所述方法包括对孔洞或沟槽结构的抑制以及在结构顶部处的选择性沉积，从而在结构内形成气隙。在一些实施方案中，所述方法用于减小半导体设备中的层内电容。

公开(公告)号：CN116057667A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180057983.0

申请日：2021-06-01

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿维尼什·古普塔 ,  伊恩·约翰·科廷 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  弗兰克·洛伦·帕斯夸里 ,  伊莱·钱 ,  阿德里安·拉沃伊

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明的多种实施方案涉及使用热ALD或热CVD沉积硅氧化物的方法与装置。在所公开的实施方案的一方面，提供了一种沉积硅氧化物的方法，所述方法包含：(a)在反应室中接收衬底；(b)将第一反应物的第一流导入到所述反应室中，并且将所述衬底暴露于所述第一反应物，其中所述第一反应物包含含硅反应物；(c)将第二反应物的第二流导入到所述反应室中，以引起所述第一反应物与所述第二反应物之间的反应，(i)其中所述第二反应物包含氢(H2)和含氧反应物，(ii)其中所述反应使硅氧化物沉积在所述衬底上，且(iii)其中当所述反应室内的压强大于10托并且等于或小于约40托时，引发所述反应。

公开(公告)号：CN115868005A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202280005061.X

申请日：2022-03-25

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿维尼什·古普塔 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  巴特·简·范施拉芬迪克 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  阿德里安·拉沃伊

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32

Abstract: 在一个示例中，一种用于在衬底上沉积膜的方法包括将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上并且设置室中的处理压强、温度和压强。该方法包括激励等离子体并以预定膜厚度范围内的厚度在衬底上沉积和退火膜。