公开(公告)号：CN113832452A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202110895353.2

申请日：2017-07-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  艾德蒙·B·明歇尔 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  尚卡·斯瓦米纳森 ,  拉梅什·钱德拉赛卡兰

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性。一种用于减少膜沉积期间晶片滑移的方法包括：当晶片被支撑在升降销或承载环上时抽空处理室，以及将晶片降低到被配置为在膜沉积期间最小化晶片滑移的支撑构件上。诸如用于原子层沉积的处理室之类的多站处理室可以包括在每个站处的无卡盘基座，该每个站具有被配置为防止晶片移动离开中心超过400微米的晶片支撑件。为了最小化晶片下方的气垫，晶片支撑件可以在晶片的背面和基座的面向晶片的表面之间提供至少2密耳的间隙。

公开(公告)号：CN104250728B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201410307452.4

申请日：2014-06-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉赛卡兰 ,  桑格伦特·桑普伦格

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种用于密封化学沉积装置中的处理区的系统，所述系统包括：化学隔离腔室，所述化学隔离腔室具有在所述化学隔离腔室内形成的沉积腔室；具有面板的喷头模块，所述喷头模块包括多个将反应器化学物质输送到用于对半导体衬底进行处理的空腔中的入口以及将反应器化学物质和惰性气体从所述空腔中去除的排出口，以及被配置成输送惰性气体的外部充气室；基座模块，所述基座模块被配置成支撑衬底并且垂直移动以封闭所述空腔而在所述基座模块与围绕所述面板的外部部分的台阶之间存在狭窄间隙；以及惰性密封气体进料，所述惰性密封气体进料被配置成将所述惰性密封气体送入到所述外部充气室中，并且其中所述惰性密封气体至少部分地沿径向向内流过所述狭窄间隙以形成气封。

公开(公告)号：CN110158061A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910353875.2

申请日：2014-07-03

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉赛卡兰 ,  卡尔·利泽 ,  夏春光 ,  杰里米·塔克

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 一种具有导通控制的化学沉积设备，其包括：具有面板和背板的喷头模块，所述喷头模块包括输送反应器化学成分到腔体以及清除反应器化学成分的排放出口；基座模块，其被配置为支撑衬底，并且垂直移动以关闭所述基座模块与所述面板的外部之间的腔体；以及至少一个导通控制组件，经由所述排放出口流体连通所述腔体。所述至少一个导通控制组件选自以下各项中的一个或多个：球阀组件、流体阀、磁耦合旋转板和/或基于线性的磁系统。

公开(公告)号：CN113186519B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202110249882.5

申请日：2014-07-03

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉赛卡兰 ,  卡尔·利泽 ,  夏春光 ,  杰里米·塔克

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/458

Abstract: 一种具有导通控制的化学沉积设备，其包括：具有面板和背板的喷头模块，所述喷头模块包括输送反应器化学成分到腔体以及清除反应器化学成分的排放出口；基座模块，其被配置为支撑衬底，并且垂直移动以关闭所述基座模块与所述面板的外部之间的腔体；以及至少一个导通控制组件，经由所述排放出口流体连通所述腔体。所述至少一个导通控制组件选自以下各项中的一个或多个：磁耦合旋转板和/或基于线性的磁系统。

公开(公告)号：CN109994363B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201910040540.5

申请日：2016-11-17

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊斯达克·卡里姆 ,  崎山幸则 ,  亚思万斯·兰吉内尼 ,  爱德华·奥古斯蒂尼克 ,  道格拉斯·凯尔 ,  拉梅什·钱德拉赛卡兰 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  卡尔·利泽

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及频率调制射频电源以控制等离子体不稳定性的系统和方法。将晶片定位在电极下方的晶片支撑装置上，使得在晶片和电极之间存在等离子体产生区域。将第一信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域，以在等离子体产生区域内产生等离子体。基于将第一信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域来检测等离子体内的等离子体不稳定性的形成。在检测到等离子体不稳定性形成之后，将第二信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域来代替第一信号频率的射频信号以产生等离子体。第二信号频率大于第一信号频率，并被设定为导致等离子体内的离子能量的减少以及来自晶片的由离子与晶片的相互作用导致的二次电子发射的相应减少。

公开(公告)号：CN109994363A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201910040540.5

申请日：2016-11-17

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊斯达克·卡里姆 ,  崎山幸则 ,  亚思万斯·兰吉内尼 ,  爱德华·奥古斯蒂尼克 ,  道格拉斯·凯尔 ,  拉梅什·钱德拉赛卡兰 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  卡尔·利泽

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及频率调制射频电源以控制等离子体不稳定性的系统和方法。将晶片定位在电极下方的晶片支撑装置上，使得在晶片和电极之间存在等离子体产生区域。将第一信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域，以在等离子体产生区域内产生等离子体。基于将第一信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域来检测等离子体内的等离子体不稳定性的形成。在检测到等离子体不稳定性形成之后，将第二信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域来代替第一信号频率的射频信号以产生等离子体。第二信号频率大于第一信号频率，并被设定为导致等离子体内的离子能量的减少以及来自晶片的由离子与晶片的相互作用导致的二次电子发射的相应减少。

公开(公告)号：CN109536923A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811122857.5

申请日：2014-11-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉赛卡兰 ,  戴维斯·威尔曼

IPC: C23C16/448

Abstract: 本发明涉及多托盘压载抽蒸气系统。具体而言，一种用于供应汽化前体的系统包括外壳，该外壳包括输出端。多个托盘以堆叠的间隔配置被设置在所述外壳内侧。所述多个托盘被配置成容纳液态前体。第一导管使载气供应源流体地连接至所述外壳并且包括多个开口。第一阀门被沿着所述第一导管设置并且被配置成选择性地控制从所述载气供应源通过所述第一导管输送所述载气到所述第一导管的多个开口。所述多个开口被配置成分别引导所述载气经过所述多个托盘中的液态前体。所述外壳的所述输出端提供所述载气与所述汽化前体的混合物。

公开(公告)号：CN107641797A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201710604907.2

申请日：2017-07-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  艾德蒙·B·明歇尔 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  尚卡·斯瓦米纳森 ,  拉梅什·钱德拉赛卡兰

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/6875 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明涉及晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性。一种用于减少膜沉积期间晶片滑移的方法包括：当晶片被支撑在升降销或承载环上时抽空处理室，以及将晶片降低到被配置为在膜沉积期间最小化晶片滑移的支撑构件上。诸如用于原子层沉积的处理室之类的多站处理室可以包括在每个站处的无卡盘基座，该每个站具有被配置为防止晶片移动离开中心超过400微米的晶片支撑件。为了最小化晶片下方的气垫，晶片支撑件可以在晶片的背面和基座的面向晶片的表面之间提供至少2密耳的间隙。

公开(公告)号：CN104250728A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410307452.4

申请日：2014-06-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉赛卡兰 ,  桑格伦特·桑普伦格

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/67126

Abstract: 本发明公开了一种用于密封化学沉积装置中的处理区的系统，所述系统包括：化学隔离腔室，所述化学隔离腔室具有在所述化学隔离腔室内形成的沉积腔室；具有面板的喷头模块，所述喷头模块包括多个将反应器化学物质输送到用于对半导体衬底进行处理的空腔中的入口以及将反应器化学物质和惰性气体从所述空腔中去除的排出口，以及被配置成输送惰性气体的外部充气室；基座模块，所述基座模块被配置成支撑衬底并且垂直移动以封闭所述空腔而在所述基座模块与围绕所述面板的外部部分的台阶之间存在狭窄间隙；以及惰性密封气体进料，所述惰性密封气体进料被配置成将所述惰性密封气体送入到所述外部充气室中，并且其中所述惰性密封气体至少部分地沿径向向内流过所述狭窄间隙以形成气封。

公开(公告)号：CN107641797B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201710604907.2

申请日：2017-07-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  艾德蒙·B·明歇尔 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  尚卡·斯瓦米纳森 ,  拉梅什·钱德拉赛卡兰

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性。一种用于减少膜沉积期间晶片滑移的方法包括：当晶片被支撑在升降销或承载环上时抽空处理室，以及将晶片降低到被配置为在膜沉积期间最小化晶片滑移的支撑构件上。诸如用于原子层沉积的处理室之类的多站处理室可以包括在每个站处的无卡盘基座，该每个站具有被配置为防止晶片移动离开中心超过400微米的晶片支撑件。为了最小化晶片下方的气垫，晶片支撑件可以在晶片的背面和基座的面向晶片的表面之间提供至少2密耳的间隙。