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公开(公告)号:CN112164651A
公开(公告)日:2021-01-01
申请号:CN202010824548.3
申请日:2017-05-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及用于执行等离子体处理以在晶片上沉积膜的系统和方法。公开了提供不同频率的多个射频信号,其中所述不同频率中的最低频率是基本频率,并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的所述射频信号处于偶次谐波关系,并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的所述射频信号处于固定的相位关系,多个射频信号具有相应的频率,所述相应的频率被设定为在所述等离子体产生区域内将所述工艺气体组合物转变成所述等离子体以使所述膜沉积在所述晶片上。
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公开(公告)号:CN110158061A
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201910353875.2
申请日:2014-07-03
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 拉梅什·钱德拉赛卡兰 , 卡尔·利泽 , 夏春光 , 杰里米·塔克
IPC: C23C16/52 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 一种具有导通控制的化学沉积设备,其包括:具有面板和背板的喷头模块,所述喷头模块包括输送反应器化学成分到腔体以及清除反应器化学成分的排放出口;基座模块,其被配置为支撑衬底,并且垂直移动以关闭所述基座模块与所述面板的外部之间的腔体;以及至少一个导通控制组件,经由所述排放出口流体连通所述腔体。所述至少一个导通控制组件选自以下各项中的一个或多个:球阀组件、流体阀、磁耦合旋转板和/或基于线性的磁系统。
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公开(公告)号:CN112713870B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202011403490.1
申请日:2016-10-13
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H03H7/09
Abstract: 本发明涉及互感滤波器。描述了用于从提供给负载的信号滤除射频(RF)功率的互感滤波器。所述互感滤波器包括连接到所述负载的第一负载元件的第一部分,其用于从提供给所述第一负载元件的所述信号中的一个滤除RF功率。所述负载与等离子体室的基座相关联。所述互感滤波器进一步包括连接到所述负载的第二负载元件的第二部分,其用于从提供给所述第二负载元件的所述信号中的另一个滤除RF功率。所述第一和第二部分彼此缠绕以彼此相互耦合,以进一步促进与所述第一部分相关联的谐振频率耦合到所述第二部分。
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公开(公告)号:CN112713870A
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN202011403490.1
申请日:2016-10-13
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H03H7/09
Abstract: 本发明涉及互感滤波器。描述了用于从提供给负载的信号滤除射频(RF)功率的互感滤波器。所述互感滤波器包括连接到所述负载的第一负载元件的第一部分,其用于从提供给所述第一负载元件的所述信号中的一个滤除RF功率。所述负载与等离子体室的基座相关联。所述互感滤波器进一步包括连接到所述负载的第二负载元件的第二部分,其用于从提供给所述第二负载元件的所述信号中的另一个滤除RF功率。所述第一和第二部分彼此缠绕以彼此相互耦合,以进一步促进与所述第一部分相关联的谐振频率耦合到所述第二部分。
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公开(公告)号:CN104278253A
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201410314732.8
申请日:2014-07-03
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 拉梅什·钱德拉赛卡兰 , 卡尔·利泽 , 夏春光 , 杰里米·塔克
Abstract: 一种具有导通控制的化学沉积设备,其包括:具有面板和背板的喷头模块,所述喷头模块包括输送反应器化学成分到腔体以及清除反应器化学成分的排放出口;基座模块,其被配置为支撑衬底,并且垂直移动以关闭所述基座模块与所述面板的外部之间的腔体;以及至少一个导通控制组件,经由所述排放出口流体连通所述腔体。所述至少一个导通控制组件选自以下各项中的一个或多个:球阀组件、流体阀、磁耦合旋转板和/或基于线性的磁系统。
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公开(公告)号:CN113186519B
公开(公告)日:2023-06-20
申请号:CN202110249882.5
申请日:2014-07-03
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 拉梅什·钱德拉赛卡兰 , 卡尔·利泽 , 夏春光 , 杰里米·塔克
IPC: C23C16/52 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/458
Abstract: 一种具有导通控制的化学沉积设备,其包括:具有面板和背板的喷头模块,所述喷头模块包括输送反应器化学成分到腔体以及清除反应器化学成分的排放出口;基座模块,其被配置为支撑衬底,并且垂直移动以关闭所述基座模块与所述面板的外部之间的腔体;以及至少一个导通控制组件,经由所述排放出口流体连通所述腔体。所述至少一个导通控制组件选自以下各项中的一个或多个:磁耦合旋转板和/或基于线性的磁系统。
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公开(公告)号:CN114551293A
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202111660638.4
申请日:2018-01-23
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , C23C16/54 , C23C16/458 , C23C14/56 , C23C14/50
Abstract: 本发明涉及优化的低能量/高生产率沉积系统。一种用于衬底处理工具的机械换位器包括:各自具有第一端部执行器和第二端部执行器的第一臂和第二臂。所述第一臂被配置为在第一轴上旋转以在所述衬底处理工具的多个处理站处将所述第一臂的所述第一端部执行器选择性地定位,并且在所述衬底处理工具的所述多个处理站处将所述第一臂的所述第二端部执行器选择性地定位。所述第二臂被配置为在第二轴上旋转以在所述衬底处理工具的所述多个处理站处将所述第二臂的所述第一端部执行器选择性地定位,并且在所述衬底处理工具的所述多个处理站处将所述第二臂的所述第二端部执行器选择性地定位。所述第一臂被配置成独立于所述第二臂旋转。
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公开(公告)号:CN109994363B
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN201910040540.5
申请日:2016-11-17
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 伊斯达克·卡里姆 , 崎山幸则 , 亚思万斯·兰吉内尼 , 爱德华·奥古斯蒂尼克 , 道格拉斯·凯尔 , 拉梅什·钱德拉赛卡兰 , 阿德里安·拉瓦伊 , 卡尔·利泽
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/509 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及频率调制射频电源以控制等离子体不稳定性的系统和方法。将晶片定位在电极下方的晶片支撑装置上,使得在晶片和电极之间存在等离子体产生区域。将第一信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域,以在等离子体产生区域内产生等离子体。基于将第一信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域来检测等离子体内的等离子体不稳定性的形成。在检测到等离子体不稳定性形成之后,将第二信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域来代替第一信号频率的射频信号以产生等离子体。第二信号频率大于第一信号频率,并被设定为导致等离子体内的离子能量的减少以及来自晶片的由离子与晶片的相互作用导致的二次电子发射的相应减少。
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公开(公告)号:CN109994363A
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201910040540.5
申请日:2016-11-17
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 伊斯达克·卡里姆 , 崎山幸则 , 亚思万斯·兰吉内尼 , 爱德华·奥古斯蒂尼克 , 道格拉斯·凯尔 , 拉梅什·钱德拉赛卡兰 , 阿德里安·拉瓦伊 , 卡尔·利泽
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/509 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及频率调制射频电源以控制等离子体不稳定性的系统和方法。将晶片定位在电极下方的晶片支撑装置上,使得在晶片和电极之间存在等离子体产生区域。将第一信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域,以在等离子体产生区域内产生等离子体。基于将第一信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域来检测等离子体内的等离子体不稳定性的形成。在检测到等离子体不稳定性形成之后,将第二信号频率的射频信号提供给等离子体产生区域来代替第一信号频率的射频信号以产生等离子体。第二信号频率大于第一信号频率,并被设定为导致等离子体内的离子能量的减少以及来自晶片的由离子与晶片的相互作用导致的二次电子发射的相应减少。
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公开(公告)号:CN105624646B
公开(公告)日:2018-09-11
申请号:CN201510844234.9
申请日:2015-11-26
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , F16K11/02 , F16K7/17
Abstract: 本发明涉及借助可再入流路径的阀歧管盲管消除。用于衬底处理系统的气体输送系统包括第一和第二阀、第一气体通道以及圆筒。第一阀包括第一入口和第一出口。第一出口与衬底处理系统的处理室流体连通。第二阀包括第二入口和第二出口。圆筒限定具有第一端和第二端的第二气体通道。圆筒被至少部分地布置在第一气体通道内使得所述圆筒和所述第一气体通道共同限定流通道。所述流通道与第二气体通道的第一端以及与第一入口流体连通。第三气体通道与第二气体通道的第二端以及与第二入口流体连通。
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