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公开(公告)号：CN106057621B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510658912.2
申请日：2015-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/263 , H01J37/00 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67733 , H01L21/67736 , H01L22/14 , H01L22/20 , H05F3/04 , H05F3/06
Abstract: 本发明提供了用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括在封闭的放电室中对半导体晶圆实施放电工艺。该方法还包括在放电工艺之后通过使用第处理模块处理半导体晶圆。在放电工艺期间,基于半导体晶圆的表面的特性来调节施加在半导体晶圆上的带电粒子。本发明的实施例还涉及在半导体制造中控制晶圆表面上的表面电荷的方法。
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公开(公告)号：CN1635189A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200310123428.7
申请日：2003-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C25D7/12 , H01L21/228 , H01L21/445
Abstract: 一种化学电镀方法，适用于将铜薄膜电镀在晶片上，且可避免将铜薄膜电镀在晶片的周围部分。此化学电镀铜方法以铜电极连接电源的正极，以晶片连接环状点接触电极。进行电镀时，环状点接触电极和晶片的周围部分间接触面的压力需小于一预定临界值。环状点接触电极和晶片的非周围部分间的接触面的压力需大于此预定临界值。
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公开(公告)号：CN106206687B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201510790762.0
申请日：2015-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括半导体衬底上方的鳍结构和覆盖鳍结构的一部分的栅叠件。栅叠件包括功函层和栅极介电层。半导体器件结构还包括位于半导体衬底上方并且与栅叠件相邻的隔离元件。隔离元件与功函层和栅极介电层直接接触，并且隔离元件的下部宽度大于隔离元件的上部宽度。
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公开(公告)号：CN101118871A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710006216.9
申请日：2007-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种集成电路的制造方法，上述方法包括：提供一基板，其具有一电介质层和设置于上述电介质层中的一金属物；对上述金属物和上述电介质层进行一平坦化工艺；进行上述平坦化工艺后，对上述基板施加一清洁溶液；以及进行上述平坦化工艺后，除去上述电介质层吸收的水分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106057621A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510658912.2
申请日：2015-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/263 , H01J37/00 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67733 , H01L21/67736 , H01L22/14 , H01L22/20 , H05F3/04 , H05F3/06 , H01J37/3288
Abstract: 本发明提供了用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括在封闭的放电室中对半导体晶圆实施放电工艺。该方法还包括在放电工艺之后通过使用第一处理模块处理半导体晶圆。在放电工艺期间，基于半导体晶圆的表面的特性来调节施加在半导体晶圆上的带电粒子。本发明的实施例还涉及在半导体制造中控制晶圆表面上的表面电荷的方法。
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公开(公告)号：CN100393917C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200310123428.7
申请日：2003-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C25D7/12 , H01L21/228 , H01L21/445
Abstract: 一种化学电镀方法，适用于将铜薄膜电镀在晶片上，且可避免将铜薄膜电镀在晶片的周围部分。此化学电镀铜方法以铜电极连接电源的正极，以晶片连接环状点接触电极。进行电镀时，环状点接触电极和晶片的周围部分间接触面的压力需小于一预定临界值。环状点接触电极和晶片的非周围部分间的接触面的压力需大于此预定临界值。
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公开(公告)号：CN106206688B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201510987697.0
申请日：2015-12-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的鳍结构。半导体器件结构也包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件，和栅极堆叠件包括功函数层和位于功函数层上方的金属填充物。半导体器件结构还包括位于半导体衬底上方并且邻近栅极堆叠件的隔离元件。隔离元件与功函数层和金属填充物直接接触。本发明实施例涉及半导体器件结构的结构和形成方法。
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公开(公告)号：CN106206688A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510987697.0
申请日：2015-12-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/823878 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/42372 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/785 , H01L29/4236 , H01L29/66795
Abstract: 提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的鳍结构。半导体器件结构也包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件，和栅极堆叠件包括功函数层和位于功函数层上方的金属填充物。半导体器件结构还包括位于半导体衬底上方并且邻近栅极堆叠件的隔离元件。隔离元件与功函数层和金属填充物直接接触。本发明实施例涉及半导体器件结构的结构和形成方法。
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公开(公告)号：CN106206687A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510790762.0
申请日：2015-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括半导体衬底上方的鳍结构和覆盖鳍结构的一部分的栅叠件。栅叠件包括功函层和栅极介电层。半导体器件结构还包括位于半导体衬底上方并且与栅叠件相邻的隔离元件。隔离元件与功函层和栅极介电层直接接触，并且隔离元件的下部宽度大于隔离元件的上部宽度。
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