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公开(公告)号：CN106483778B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510551168.6
申请日：2015-08-31
申请人： 上海微电子装备(集团)股份有限公司
发明人： 李运峰
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7084 , G03F7/70716 , G03F7/709 , G03F9/00 , G03F9/7007 , G03F9/7026 , G03F9/7034 , G03F9/7088 , H01L21/682
摘要： 本发明提供了一种基于相对位置测量的对准系统、双工件台系统及测量系统，其中，基于相对位置测量的对准系统包括：主框架、对准传感器、光强信号采集处理模块、反射镜、工件台、位于工件台上的硅片上的对准标记、位置采集模块、及对准操作与管理模块。位置采集模块同时采集从工件台及反射镜获取的位置数据，而所述反射镜位于所述对准传感器上，即，同时采集所述对准传感器与所述工件台的位置数据，通过处理可得到所述工件台相对于所述对准传感器无振动时的相对位置。即，可得到所述对准传感器相对振幅为零时对准标记的对准位置，从而避免了所述对准传感器的震动的影响，提高了对准重复精度。
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公开(公告)号：CN105204303B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510583920.5
申请日：2006-06-28
申请人： 株式会社尼康
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F9/7026 , G03F9/7034 , G03F9/7065 , G03F9/7088 , Y10T29/49124
摘要： 本发明提供一种曝光装置与方法，其利用通过投射光学系统投射图案像对衬底曝光，并且包括衬底夹具，保持衬底；检测装置，检测出用来相对于投射光学系统将衬底表面做定位的修正量；驱动装置，基于修正量驱动衬底夹具。检测装置包括投射系统，通过第一反射面，从倾斜方向对衬底夹具上的衬底表面投射光束；受光系统，包括第二反射面，接收被衬底表面反射的光束；控制系统，基于受光系统的输出导出修正量；偏光变换构件，配置在光束光路中从第一到第二反射面的光路中。偏光变换构件对光束偏光成分的偏光方向做变换，使相对第一反射面的P偏光变成相对第二反射面的S偏光，而相对第一反射面的S偏光变成相对第二反射面的P偏光。
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公开(公告)号：CN104122761B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410363267.7
申请日：2009-03-30
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F9/7026 , G03F7/70233 , G03F7/70666
摘要： 本发明涉及一种用于微光刻投射照明的设备(10)、用于检查基底(20)的表面的设备(110)及其相关方法。一种用于微光刻投射曝光的设备(10)，包括：光学系统(18)，用于通过利用成像辐射(15)投射掩模结构(16)而将所述掩模结构(16)成像到基底(20)的表面(21)上，所述光学系统(18)具有至少一个反射光学元件(22)；以及测量光束路径(36)，用于引导测量辐射(34)，所述测量光束路径(36)在所述光学系统(18)内延伸，使得在所述设备(10)的操作期间，所述测量辐射(34)在所述至少一个反射光学元件(22‑6；22‑3、22‑4、22‑5、22‑6)上反射，并且还在所述基底(20)的表面(21)上反射。
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公开(公告)号：CN103728848B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201310661731.6
申请日：2006-06-28
申请人： 株式会社尼康
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F9/7026 , G03F9/7034 , G03F9/7065 , G03F9/7088 , Y10T29/49124
摘要： 本发明提供一种位置检测装置，具备从相对于受检面倾斜的方向向受检面上投射光束的投射系统、接收由受检面反射的光束的受光系统，及基于利用受光系统的光束的受光结果，检测出关于与受检面交差的方向的受检面的位置的检测部。位置检测装置还包括：反射面，配置于在投射系统的光束的光路和在受光系统的光束的光路的至少其中之一，用以反射上述光束；及补偿部材，对因为上述光束在上述反射面被反射而上述光束中的偏光方向彼此相异的第一偏光成分和第二偏光成分之间发生的相对位置错移进行补偿的方式，配置在光束的光路上。
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公开(公告)号：CN106104387A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201480076623.5
申请日：2014-12-17
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , W·亨克 , C·普伦蒂斯 , F·斯塔尔斯 , W·T·特尔
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F7/70725 , G03F9/7019 , G03F9/7026 , G03F9/7092
摘要： 一种光刻设备使用光学投影系统将图案施加到衬底上。该光刻设备包括光学水平传感器(LS)和相关联的处理器以在施加所述图案之前获得衬底表面的高度图(h(x，y))。控制器在施加所述图案时控制投影系统的聚焦。处理器还被布置成使用关于在先前施加到衬底上的处理的信息来限定衬底的至少第一区域和第二区域并且在第一区域与第二区域之间改变使用所述测量信号来控制聚焦的方式。例如，用来从光学测量信号(S(x，y))计算高度值的算法(A(x，y))可以根据在已知结构和/或材料中的差异而改变。来自某些区域的测量值可以被选择性地从高度图的计算和/或聚焦时的使用中排除。
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公开(公告)号：CN104238284B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410500277.0
申请日：2014-09-25
申请人： 中国科学院光电技术研究所
CPC分类号： G03F9/7026 , G01B9/02097 , G02B7/28
摘要： 本发明涉及一种基于光栅泰伯效应的检焦方法，其作用是实时检测光刻机系统的硅片位置，完成硅片的高精度调平和调焦。检测系统利用硅片离焦引起的光栅泰伯效应的“自成像”位相变化，完成光刻机硅片的高精度检焦：硅片位于焦面位置时，光栅成像波前为平面波前；硅片离焦时，其成像波前为球面波前。该检测系统结构简单，具有较高的抗干扰能力和较好的工艺适应性。
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公开(公告)号：CN101218482B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN200680024570.8
申请日：2006-06-28
申请人： 株式会社尼康
IPC分类号： G01B11/00 , G03F9/02 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F9/7026 , G03F9/7034 , G03F9/7065 , G03F9/7088 , Y10T29/49124
摘要： 本发明提供一种面位置检测装置，其可以在实质上不受在穿过了反射面的光束中产生的偏光成分所致的相对的位置错移等的影响，高精度地检测出受检面的面位置。投射系统具备具有第一反射面(7b、7c)的投射侧棱镜构件(7)。受光系统具备具有与投射侧棱镜构件对应地配置的第二反射面(8b、8c)的受光侧棱镜构件(8)。还具备用于补偿穿过了第一反射面及第二反射面的光束的偏光成分所致的相对的位置错移的位置错移补偿构件。
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公开(公告)号：CN103283002A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180051853.2
申请日：2011-02-10
申请人： 株式会社尼康
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G01N21/9501 , G03F7/70641 , G03F9/7026 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 表面检查装置(1)，具备：载台(5)，支承通过曝光装置(100)进行曝光而于表面形成有既定图案的晶片(10)；照明系统(20)，将照明光照射于支承在载台(5)的晶片(10)的表面；摄影装置(35)，检测来自照射照明光的晶片(10)的表面的光并输出检测信号；以及图像处理部(40)，根据从摄影装置(35)所输出的检测信号以判定曝光时的聚焦状态。
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公开(公告)号：CN102832106A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210203588.1
申请日：2012-06-15
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/42 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/42 , G03F9/7026
摘要： 本发明涉及制造半导体器件的方法。校正经过投影透镜的聚焦以防止由于散焦而在图案中出现尺度误差。至少一个自动聚焦校正标记形成于在用于曝光的掩膜板中形成的每个芯片图案的上方。使用位于实际器件区域的中心部分中的自动聚焦校正标记之一来执行对曝光聚焦的自动校正。以这一方式，检测和校正经过投影透镜的中心部分(该中心部分比投影透镜的末端部分更可能达到高温)的曝光的聚焦变化。
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公开(公告)号：CN102236270B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110216470.8
申请日：2011-07-29
申请人： 中国科学院光电技术研究所
CPC分类号： G03F9/7026 , G03F9/7061
摘要： 本发明提供一种适用于双工件台投影光刻机的检焦装置，该装置包含激光器、聚焦光学单元、力检测单元、位置检测单元、六自由度工件台、硅片、差分放大器、Z向反馈控制单元、扫描信号发生器、三维形貌数据存储单元；由激光器发出的激光束经聚焦光学单元聚焦在力检测单元的背面，并从力检测单元背面反射到位置检测单元，硅片经真空吸附在六自由度工件台上，六自由度工件台在扫描信号发生器驱动下带动硅片进行XY二维扫描检测过程中，由位置检测单元的输出得到探针与光刻胶相互作用的强度，进而计算出两者间距并用于改变六自由度精密工件台的Z向驱动电压，以调节探针与光刻胶表面的间距，即通过Z向反馈控制单元实现反馈控制。
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