使用红外线的贯通孔图案检查方法

    公开(公告)号:CN103201830A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201180053877.1

    申请日:2011-11-09

    Inventor: 藤森义彦

    Abstract: 提供一种能检查至图案的深部为止的硅基板(晶圆)的检查方法。基板的检查方法,具有:照射步骤(S101),对在一方的面形成有既定图案的硅基板的一方或另一方的面照射照明光,该照明光具有对硅基板的渗透性;检测步骤(S102),检测来自照明光照射后的硅基板的光;以及检查步骤(S103),从在检测步骤检测出的来自硅基板的光的检测信号,进行利用图案的周期性的光的特性的硅基板的检查。

    表面检查设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101460833A

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:CN200780020228.5

    申请日:2007-05-29

    Abstract: 一种表面检查设备(1)包括利用线偏振光(L1)来照明形成有重复图案的晶片(10)的表面的照明光学系统(30);保持晶片(10)的对准台(20);拾取来自晶片(10)表面的反射光的图像的拾取光学系统(40);存储通过拾取光学系统(40)拾取的图像的图像存储单元(51);对存储在图像存储单元(51)中的图像执行预定的图像处理并检测重复图案的缺陷的图像处理单元(52);以及输出通过图像处理单元(52)处理的图像的结果的图像输出单元(53)。第二偏振板(43)的传输轴的方位设定为相对于第一偏振板(32)的传输轴成45度倾斜。

    表面检查装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101443649A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200780016832.0

    申请日:2007-05-11

    Inventor: 藤森义彦

    CPC classification number: G01N21/9501 G06T5/20 G06T2207/30148

    Abstract: 本发明的表面检查装置包括下列构成:对晶片W表面照射检查用照明光Li的照明光源(1);对晶片W受到检查用照明光Li照射而发出的漫射光进行感光对其表面摄像的相机(5);显示相机(5)的摄像单元(6)摄像得到的晶片表面的图像的显示装置(15);以及使得摄像单元(6)摄像得到的晶片W表面中亮度高的部分膨胀在显示装置(15)上显示的图像膨胀处理装置(11)。

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