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公开(公告)号：CN118838127A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411085436.5
申请日：2024-08-08
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种光阻消退量的测量方法及光学邻近修正方法，测量方法包括：提供光阻层，在光阻层定义出目标光阻图形，目标光阻图形上设置有锚定点；依据定义的目标光阻图形对光阻层进行曝光显影，以形成具有锚定点的实际光阻图形；基于实际光阻图形的锚定点位置确定目标光阻图形的目标边缘；通过测量获取实际光阻图形的实际边缘；基于实际边缘与目标边缘的间距，获取实际光阻图形的光阻消退量。本发明基于锚定点可以获取光阻图形准确的目标边缘，及通过测量获得光阻图形的实际边缘后，通过实际边缘与目标边缘的间距，可以准确获得光阻图形的实际光阻消退量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118838110A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411091526.5
申请日：2024-08-09
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种掩膜版图形及其优化方法，该优化方法为在初始图形包括并排排列且长度不等的密集图形和稀疏图形时，通过在位于密集图形宽度方向至少一侧的稀疏图形末端增加曝光辅助图形，使其沿稀疏图形长度方向延伸，且密集图形长度与稀疏图形的始端和曝光辅助图形的末端之间的距离的差值为密集图形长度的±10％之间，使得集成电路版图中图形密度程度相差减小，密集图形的末端因为有曝光辅助图形的遮挡不会接收到更多的曝光能量，所以不会由于光学临近效应发生“端部膨胀”现象。从而在衬底上转移得到和原始的掩膜版上图形设计相同的图案，减少集成电路版图中因图形密度不同引起的工艺差异，从而解决由此导致的接触孔功能性不良和短路等工艺缺陷。
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公开(公告)号：CN119903804A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411989443.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F16/23 , G06F16/2458
Abstract: 本发明提供一种利用OPC修正数据库的OPC修正方法、系统、终端及介质，通过首先对各版图的每个layer层进行切分，提取出各个layer层的单元元素，进而构建起一个全面的基础图形库。随后，对基础图形库中的每个单元元素实施OPC修正，形成OPC修正数据库。在面对新进版图时，本发明利用已建立的OPC修正数据库，对版图中与基础图形库相匹配的单元元素进行快速修正，并对未匹配部分执行额外修正。这种方法为不同客户的个性化需求提供了一种高效的版图修正解决方案，有效减少了运行时间，提升了研发效率以及生产稳定性。
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公开(公告)号：CN119625043A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411633601.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种芯片对数据库图像比对定位的方法及系统，属于半导体领域。该芯片对数据库图像比对定位的方法包括提供一GDS原始文件，所述GDS原始文件包括集成电路设计时的原始图形；获取原始图形的关键尺寸，筛选原始图形的关键尺寸分别为第一设定值和第二设定值的图形；对晶圆进行刻蚀，获取刻蚀之后的图形；对刻蚀之后的图形进行量测，获取第一图形和第二图形的关键尺寸的变化量，并基于变化量，获取原始图形的关键尺寸的补偿值。本发明通过内差的方式，获取GDS文件中的图形的关键尺寸补偿值，能够避免晶圆刻蚀后的图像，由于收缩或扩张的大小不同，造成检测机台定位失败。
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公开(公告)号：CN119439606A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411452592.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G03F1/72 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种版图缺陷修正的方法及系统、掩膜版，属于半导体领域。该版图缺陷修正的方法包括提供一版图。筛选出同时存在于第一区域和第二区域的目标图形。基于所述密集图形和孤立图形，获取所述目标图形的过渡区域。对与目标图形相邻的两个图形的线端，沿与目标图形平行的方向做延伸处理，形成延伸图形，以将过渡区域的图形从孤立图形转换为密集图形。本发明通过筛选出目标图形中易出现缺陷的过渡区域，通过对目标图形相邻两个图形做延伸处理，从而能够将过渡区域的孤立图形转换为密集图形，从而，能够增加目标图形的工艺窗口，能够避免金属层出现电流无法顺利传输的问题，提高芯片的良率。
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公开(公告)号：CN119335810A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411692047.9
申请日：2024-11-25
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种版图优化方法及系统，属于半导体领域。该版图优化方法包括提供初始版图，所述初始版图包括若干分立排布的主图形；筛选所述主图形中的目标图形，所述目标图形包括第一目标图形和第二目标图形。获取辅助图形的添加规则，在所述第一目标图形的外围添加辅助图形。将两个所述第一辅助图形沿着朝向第二目标图形的方向延伸，并与第二辅助图形延伸的图形连接，形成目标辅助图形。基于所述目标辅助图形，使所述初始版图形成为优化版图。本发明通过采用优化版图进行光刻，当工艺条件发生变化时，在光刻胶层形成的轮廓变化更小。在接下来的刻蚀工艺中，能够保持刻蚀工艺稳定，使得光刻胶层形成的轮廓如预期，提高芯片良率。
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